徐卓
- 作品数：371 被引量：477H指数：11
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>
- 一种鬼成像求逆方法、系统、电子设备及存储介质
- 一种鬼成像求逆方法、系统、电子设备及存储介质，方法包括：将一套随机散斑与训练集内各图像目标作用，使每个图像目标得到相应的桶探测信号；根据随机散斑和桶探测信号恢复每个目标的初步图像；将训练集内的真实目标作为TransUNe...
- 贺雨晨周越陈辉徐卓
- GaN体单晶生长研究进展被引量：1
- 2017年
- 宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点。以高质量GaN体单晶基片为衬底的同质外延生长,是发挥GaN半导体器件优异性能的关键。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为当前制约GaN器件发展的瓶颈。本文从影响LED器件设计与制造的关键因素(衬底)分析,综述了近年来几种常见GaN体单晶生长方法,并对它们的发展前景做出了展望。
- 周明斌李振荣范世马岂徐卓熊志华
- 关键词：GAN
- 一种具有宽温度稳定电致应变的铌酸钠基铁电陶瓷及其制备方法和应用
- 本发明公开的一种具有宽温度稳定电致应变的铌酸钠铁电陶瓷及其制备方法和应用，属于铁电陶瓷材料制备技术领域，该陶瓷介质材料的化学组成为(1‑x)NaNbO<Sub>3</Sub>‑xBa<Sub>0.85</Sub>Ca<S...
- 靳立王亮徐卓魏晓勇
- 文献传递
- 基于表面等离激元的超薄隐身套的实验验证
- 2015年
- 针对超材料透波隐身套厚度大的问题,提出了基于表面等离激元的超薄隐身套,通过超材料套层将入射电磁波耦合为表面等离激元波并传输至障碍物后方,实现超薄透波隐身。设计了基于开口谐振环的表面等离激元耦合层,将其包覆在金属圆柱表面,制作了基于表面等离激元的超薄隐身套原理样件并进行了对比测试。实验结果表明,该隐身套在其厚度仅为工作波长的1/30时具有良好的绕行透波性能。
- 王甲富屈绍波张介秋徐卓马华
- 关键词：表面等离激元超材料超薄
- 强发射电流反铁电冷阴极材料的实验研究
- 2008年
- 采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性,得到了激励电压对发射电流的影响规律,发射电流随激励电压增加而增加,当激励电压大于1.5 kV时,发射电流趋于饱和.在单脉冲激励下进行电子发射实验,得到如下结果:在激励电压为800 V、抽取电压为0 V的条件下,发射电流密度为1.27 A/cm2;当抽取电压增加到4 kV时,获得了1 700 A/cm2的大发射电流密度.研究结果表明,室温下PLZST的反铁电陶瓷可在较低激励电压下实现电子发射,发射电流密度大,能够工作于4 Pa的低真空环境中.
- 盛兆玄冯玉军徐卓孙新利黄璇
- 关键词：反铁电陶瓷电子发射
- 脉冲电场诱导的相变研究被引量：1
- 2004年
- 反铁电陶瓷材料在电场诱导下发生反铁电-铁电相变.为了研究快速电场诱导相变,诱导电场选择高压脉冲电源产生的脉冲电场.反铁电陶瓷选用Pb(Zr,Sn,Ti)O3相图中位于反铁电-铁电相界附近,正向相变电场小于40kV/cm的锆锡钛酸铅.脉冲电源输出波形为2.7 μs电压脉冲,测量陶瓷样品两端的电压波形与所通过的电流波形,作出正向半周期的"脉冲电滞回线".可以看到反铁电陶瓷在脉冲电场诱导下发生了相变.
- 李红刚冯玉军徐卓王栋
- 关键词：相变反铁电陶瓷高压脉冲
- 电场诱导PLZST陶瓷反铁电-铁电相变的原位X射线衍射研究被引量：4
- 1998年
- 用原位X射线衍射、电滞回线、纵向应变等手段研究了组分分别为(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.75)Ti_(0.09)Sn_(0.16))O_3和(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.65)Ti_(0.01)Sn_(0.25))O_32个样品的电场诱导反铁电-铁电相变现象.结果表明,当外加电场高于相变临界场后,四方反铁电相转变为三方铁电相,四方相轴比a/c越大,相变引起的纵向应变量越大;另外,经外场极化处理的反铁电畴会有取向性.此外还讨论了晶格结构的变化对宏观纵向应变的影响.
- 刘鹏杨同青徐卓翟继卫张良莹姚熹
- 关键词：相变电场诱导
- La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷电场诱导相变的研究
- 2004年
- 研究了制作工艺对于反铁电陶瓷材料性能的影响,以及调压用PLZST在电场诱导下发生反铁电-铁电相变现象,对反铁电陶瓷在不同强度电场下所表现出的极化强度随电压变化进行了测试,记录结果表明,用于在持续电压作用下调压用反铁电陶瓷,对于处于反铁电-铁电开关电场附近(EAFE-FE)的电压波动调压效果最好.此时小电压波动能够引起较大范围内的极化强度值的变化,在此时对于能量的吸收作用最强.从而对于调压用反铁电陶瓷应根据陶瓷的电滞回线选择合适的调节范围.
- 弓长冯玉军徐卓
- 关键词：反铁电陶瓷
- 弛豫铁电单晶的研究进展—压电效应的起源研究被引量：12
- 2012年
- 由于具有优异的压电性能,弛豫铁电单晶自上世纪90年代问世以来即成为了铁电压电领域研究的热点材料,并被认为是研发下一代高性能换能器、传感器等器件的重要压电材料。弛豫铁电单晶不但压电常数可达2500 pC/N,约为软性Pb(Zr,Ti)O3(PZT)陶瓷的5倍,而且其电致应变滞后也远小于软性PZT陶瓷。因此,弛豫铁电单晶高压电性能的产生机理一直是铁电压电领域的研究热点。本文主要介绍了弛豫铁电单晶材料在近些年的发展,从本征压电效应(晶格压电畸变)的角度归纳总结了弛豫铁电单晶高压电效应的产生机理,着重探讨了弛豫铁电单晶的重要特点—剪切压电效应。在本征效应的基础上,本文对弛豫铁电单晶压电效应与晶体组分、切向以及温度的关系进行了分析。需要指出的是,目前基于本征角度对弛豫铁电单晶高压电效应的分析仍处于定性的阶段,因而还不能完全排除一些可能导致弛豫铁电单晶高压电效应的非本征物理机制。
- 李飞张树君李振荣徐卓
- 关键词：单晶体压电效应
- 一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置及方法
- 本发明公开了一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置及方法，包括装配平台，装配平台的一侧设置有垂直支撑杆，垂直支撑杆上活动连接有水平支撑杆，水平支撑杆的端部通过引下管导向管夹连接有引下管导向管，所述引下管导向管上部设置...
- 郭海生宋克鑫王富贵徐卓李飞栾鹏庄永勇
- 文献传递
