杨晓杰
- 作品数：9 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法
- 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射...
- 杨晓杰马文全种明苏艳梅陈良惠
- 文献传递
- InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算被引量：5
- 2007年
- 根据八带k.p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波长从18.50μm蓝移到11.87μm,而EC1到EHH1的跃迁波长则从1.04μm红移到1.73μm;随着量子点高度从1.0nm增加到5.0nm,In0.5Ga0.5As和InAs量子点中EC1到EC2的带内跃迁都从束缚态-连续态型转换到束缚态-束缚态型,对应于两种量子点的带内跃迁波长分别从8.12μm(5.90μm)红移到53.47μm(31.87μm),两种量子点中EC1到EHH1的跃迁波长分别从1.13μm(1.60μm)红移到1.27μm(2.01μm).
- 杨晓杰王青马文全陈良惠
- 关键词：INGAAS量子点
- InGaAs/GaAs量子点红外探测器被引量：1
- 2008年
- 与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因。利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。在77 K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号。
- 马文全杨晓杰种明苏艳梅杨涛陈良惠邵军吕翔
- 关键词：量子点红外探测器垂直入射分子束外延光电流
- 慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究被引量：3
- 2005年
- 利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷(VO,VZn)随混合气体中O2比例(PO2)的变化关系。结果表明:PO2≤70%时,这些ZnO样品中存在同一种缺陷类型,O空位(VO)和Zn填隙(Zni)可能是材料中主要缺陷。PO2>70%时,这些ZnO样品中缺陷以Zn空位(VZn)为主。随着反应室中O2含量的增加,样品的Zn空位(VZn)浓度逐渐增加;当PO2为85%时,与正电子湮没的VZn数目减少,可能是杂质原子对VZn屏蔽引起的结果;PO2低于50%,材料中H原子数目相对较多,H原子会与晶格中的悬挂键结合,和存在同种缺陷的其它样品相比,这时能与晶格原子悬挂键湮没的正电子数目要减少很多。随着O2含量增加,VZn浓度逐渐变大,VO和Zni浓度相应减小,这些变化与光致发光谱(Photoluminescence,PL)反映的实验结果相吻合。
- 彭成晓翁惠民杨晓杰叶邦角周先意韩荣典
- 关键词：ZNO氧含量
- 空间有序的量子点超晶格的红外吸收被引量：1
- 2005年
- 利用分子束外延技术,在高温下(540℃)生长了具有三维空间有序的自组织InGaAs/GaAs量子点超晶格结构,利用傅里叶变换红外光谱仪测量到了明显的垂直入射吸收峰,中心响应波长在11μm.作为对比,在低温下(480℃)生长了相同的结构,傅里叶变换红外光谱几乎没有测量到明显的垂直入射吸收峰.高分辨率X射线双晶衍射测量表明高温生长的量子点超晶格具有更好的晶体质量,原子力显微镜测量表明在高温540℃下生长的量子点具有明显的横向有序;而在低温480℃下生长的量子点并没有显示出横向有序.在进行垂直入射的吸收测量时,为了扣除量子点超晶格的周期结构带来的干涉效应,提出使用生长条件完全相同但量子点区没有掺杂的样品作为背景,提高了测量的准确性及分辨率.结果表明空间有序的量子点超晶格结构比空间无序的量子点超晶格更适宜作红外探测器结构.
- 孙永伟马文全杨晓杰屈玉华侯识华江德生孙宝权陈良惠
- 关键词：分子束外延
- 高能电子衍射图像处理系统及方法
- 本发明一种高能电子衍射图像处理系统，其特征在于，包括：一高能电子衍射荧光屏；一CCD摄像头，该CCD摄像头置于高能电子衍射荧光屏的后面，该CCD摄像头用不锈钢圆筒固定；一图像采集卡，该图像采集卡用视频线与CCD摄像头连接...
- 孙永伟侯识华宋国峰杨晓杰叶晓军
- 文献传递
- 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法
- 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射...
- 杨晓杰马文全种明苏艳梅陈良惠
- 文献传递
- In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点的形貌和光学性质
- 提出利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点.实验结果表明随着耦合量子点之间的GaAs隔离层厚度从2nm增加到10...
- 杨晓杰马文全陈良惠
- 关键词：量子点光荧光谱
- 文献传递
- In_(0.5)Ga_(0.5)As/In_(0.5)Al_(0.5)As应变耦合量子点的形貌和光学性质被引量：3
- 2007年
- 提出了利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点。实验结果表明,随着耦合量子点中的GaAs隔离层厚度从2 nm增加到10 nm,In0.5Ga0.5As量子点的密度增大、均匀性提高,Al原子扩散和浸润层对量子点PL谱的影响被消除,而且InAlAs材料的宽禁带特征使其成为InGaAs量子点红外探测器中的暗电流阻挡层。由此可见,选择合适的GaAs隔离层厚度形成InGaAs/InAlAs应变耦合量子点将有益于InGaAs量子点红外探测器的研究。
- 杨晓杰马文全陈良惠
- 关键词：量子点光荧光谱
