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沈爱东

作品数:10 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 6篇超晶格
  • 5篇晶格
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 5篇分子束外延生...
  • 5篇半导体
  • 4篇应变层
  • 4篇应变层超晶格
  • 4篇ZNSE-Z...
  • 2篇硒化锌
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇P型
  • 2篇ZNSE
  • 1篇多量子阱
  • 1篇特性分析
  • 1篇品格
  • 1篇吸收谱
  • 1篇绿光
  • 1篇蓝绿光

机构

  • 10篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 10篇沈爱东
  • 8篇陈云良
  • 7篇王海龙
  • 7篇崔捷
  • 3篇徐梁
  • 2篇屠玉珍
  • 2篇沈玉华
  • 1篇王之江
  • 1篇吕少哲

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇半导体情报
  • 1篇科学通报
  • 1篇光学学报
  • 1篇国外激光
  • 1篇量子电子学

年份

  • 3篇1993
  • 4篇1992
  • 3篇1991
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
蓝绿光半导体激光器被引量:1
1992年
1.引言许多年来研究人员一直孜孜以求波长更短的激光器,蓝绿光半导体激光器就是激光科学追求的重要目标之一。这种激光器能聚成更小的光点,可提高光盘的存贮密度、激光打印机的分辨率及打印速度。同时,由于波长480~560nm的蓝绿光通过海水时吸收损耗极小,蓝绿光激光器可以打破深海通信的'禁区',因此国际上许多研究人员都竞相开展蓝绿光激光器研究。在紧凑的蓝绿光半导体激光器出现之前,人们采用GaAlAs/GaAs激光二极管在非线性光学晶体(如LiNbO_3,KNbO_3)中倍频。
王海龙崔捷沈爱东陈云良
关键词:半导体激光器蓝绿光激光器
Li掺杂p型ZnSe的分子束外延生长被引量:2
1993年
宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物ZnSe,室温带隙为2.7eV,是研制高效蓝色发光器件最有潜在用途的材料。要用ZnSe材料制作高质量的结型器件,关键在于外延薄膜时有意掺入一定量的杂质,使这种材料具有人为控制的导电类型。宽带Ⅱ-Ⅵ族化合物都是离子性很强的单极性材料,通常情况下,ZnSe材料只呈现n型。
陈云良崔捷沈爱东屠玉珍王海龙
关键词:硒化锌分子束外延生长P型掺杂
N-型ZnSe:Cl的分子束外延生长
1993年
本文报道利用分子束外延(MBE)技术,采用高纯ZnCl_2作掺杂源,成功地进行了n—型ZnSe:Cl的分子束外延生长。n-ZnSe:Cl/p-GaAs异质结构的伏-安(I—V)特性和热探针测试显示外延层呈n型导电特性。反射高能电子衍射(RHEED)和x射线衍散谱测量表明ZnSe:Cl外延层具有较好的晶体质量。
陈云良崔捷沈爱东屠玉珍王海龙
关键词:硒化锌分子束外延
分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格被引量:1
1993年
一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm^2/V·s,空穴浓度为3—5×10^(14)/cm^3。
徐梁王海龙沈爱东崔捷陈云良沈玉华
关键词:分子束外延ZNSE-ZNTE超晶格P型
ZnSe-ZnTe应变层超晶格的分子束外延生长及特性分析被引量:1
1991年
运用MBE/FWIII设备成功地生长了高质量的ZnSe-ZnTe应变层超晶格.对材料的特性进行了俄歇电子能谱、低角度X射线衍射、光荧光及拉曼光谱等分析测试.并首次观测到ZnSe层内6个LO声子限制模.
沈爱东崔捷陈云良徐梁王海龙
关键词:ZNSE-ZNTE应变层超晶格
ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱
1992年
在16K至室温范围内测量了ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱.观测到对应于1E-1HH1E-1LH及1E-3HH跃迁的三个激子吸收峰.
沈爱东陈云良王海龙王之江吕少哲
关键词:吸收谱应变层超晶格
Ⅱ—Ⅵ族多量子阱光双稳器件的研制
1991年
本文报道了利用分子束外延技术生长的(ZnSe-ZnS)/GaAs多量子阱材料,研制成功F-P腔型和波导型两种不同结构的多量子阱光双稳器件。以YAG三倍频光为激发光源,首次在室温下观察到F-P腔型(ZnSe-ZnS)/GaAs多量子阱光双稳器件的脉冲压缩效应。根据输入输出脉冲波形获得了该器件的双稳回线。器件的开关功率为0.1W/μm^2,开关时间10ns。
陈云良沈爱东崔捷徐梁王海龙
关键词:化合物半导体
ZnSe-ZnS超晶格材料的光学特性
1992年
本文首次报道了ZnSe-ZnS应变层超晶格的分子束外延生长.对材料进行了光荧光谱、远红外反射谱及喇曼光谱测量.得到了激子发射峰的移动随ZnSe阱宽及温度的变化以及发射峰半宽随温度的变化.首次在室温下测量到该材料的三级纵声学声子折叠模.通过对远红外反射谱的计算机拟合,确定了ZnSe、ZnS材料的几个基本声子参数.我们还首次在室温下观测到ZnSe-ZnS多量子阱标准具有明显的脉冲压缩效应.
王海龙崔捷沈爱东陈云良徐梁沈玉华
关键词:半导体材料光学特性
ZnSe-ZnS及ZnSe-ZnTe应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究
沈爱东
关键词:半导体材料分子束外延超晶格
ZnSe-ZnTe应变层超晶格(SLS)的结构与光谱特性
1991年
对用分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格进行了俄歇电子能谱、透射电镜及喇曼散射等分析测试,结果表明材料具有良好的结构与光谱特性。
沈爱东崔捷陈云良王海龙王之江
关键词:化合物半导体超晶格光谱
共1页<1>
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