王文宝
- 作品数:2 被引量:4H指数:1
- 供职机构:苏州大学分析测试中心更多>>
- 发文基金:江苏省高校自然科学研究项目更多>>
- 相关领域:理学电子电信更多>>
- 基片及基片温度对Fe_4N薄膜的形成及其特性的影响被引量:3
- 2002年
- 以双离子束溅射法在 (111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ′ Fe4 N薄膜 ,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响。结果表明 ,以 (111)硅片为基片 ,可制得无晶粒择优取向的单一γ′ Fe4 N相 ;而以玻璃为基片 ,在基片温度为160℃时 ,则可制得具有 (10 0 )面晶粒取向的单一γ′ Fe4 N相薄膜 ;与无晶粒择优取向的γ′ Fe4 N相比较 ,具有 (10 0 )面晶粒取向的γ′ Fe4 N相的矫顽力较低 ,易达到磁饱和 ,但二者的饱和磁化强度基本一致。
- 诸葛兰剑姚伟国吴雪梅王文宝
- 关键词:基片温度基片晶粒取向
- Si和C共掺杂的SiO_2薄膜的光致发光被引量:1
- 2004年
- 采用双离子束溅射技术制备了Si和C共掺杂的SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理。分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性,在该样品中观察到分别位于410nm和470nm的两个发光峰。这两个发光峰的强度随着退火温度的变化呈现不同的变化趋势,表明两个发光峰的来源并不相同。用XRD和FTIR测试手段分析了样品的结构,认为470nm的发光来源于中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),而410nm的发光来源于Si1-xCx纳米晶粒与SiO2基质之间的界面缺陷。
- 成珏飞吴雪梅诸葛兰剑王文宝
- 关键词:光致发光红外吸收谱碳化硅掺杂二氧化硅薄膜