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符晓荣
作品数:
6
被引量:36
H指数:3
供职机构:
中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
电子电信
化学工程
一般工业技术
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合作作者
林成鲁
中国科学院上海冶金研究所上海微...
武光明
北京石油化工学院基础部
多新中
中国科学院上海冶金研究所上海微...
宋志棠
中国科学院上海冶金研究所上海微...
宋世庚
中国科学院新疆物理研究所
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主题
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氧化镁
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喷雾热分解法
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导体
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电路
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应力
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溶胶-凝胶法...
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溶胶凝胶法
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铁电
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退火
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热退火
机构
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北京石油化工...
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微电子有限公...
作者
6篇
林成鲁
6篇
符晓荣
4篇
武光明
3篇
多新中
2篇
宋志棠
1篇
宋世庚
1篇
刘卫丽
1篇
王连卫
传媒
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核技术
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无机材料学报
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功能材料
1篇
材料研究学报
1篇
功能材料与器...
1篇
电子元器件应...
年份
3篇
2000
3篇
1999
共
6
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硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响
被引量:1
2000年
用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解;形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错,同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。
多新中
刘卫丽
张苗
高剑侠
符晓荣
林成鲁
关键词:
硅
热退火
应力
晶体结构
溶胶-凝胶法制备MgO薄膜的研究
被引量:7
1999年
本文采用非金属醇盐以醋酸镁为起始原料,胶棉液为添加剂,在Si(100) 衬底上成功地制备了MgO 薄膜。结果表明,薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关。同时,用X射线衍射( XRD) 、原子力显微电镜(AFM) 和透射电镜( TEM) 对薄膜的微观结构进行了分析。这种制备MgO 薄膜的新方法还未见有报道。
武光明
符晓荣
林成鲁
关键词:
溶胶-凝胶法
氧化镁
喷雾热分解法制备MgO薄膜的研究
被引量:3
1999年
用简单的压缩空气式喷雾热分解法以醋酸镁为原料在Si(100) 衬底上成功地制备了(100) 取向的MgO 薄膜。结果表明,为获得(100) 取向的MgO 薄膜,衬底温度和喷雾速率是关键因素。控制实验条件,在6000C得到了(100) 取向的MgO 薄膜。同时,用X 射线衍射(XRD) 、原子力显微镜(AFM) 和透射电镜(TEM)对薄膜的微观结构进行了分析。
符晓荣
武光明
宋世庚
宋志棠
高剑侠
林成鲁
关键词:
氧化镁
喷雾热分解
SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术
2000年
近来,IBM公司利用绝缘层上的硅(SOI)技术成功研制出高速、低功耗的微电子主流产品微处理器等高性能芯片,该芯片不仅工作速度显著提高,功耗也大幅度下降,充分显现了SOI技术的优越性。这也预示着SOI技术将逐步走向商业应用。SOI技术最突出的优点是能够实现低电压、低功耗驱动。本文介绍了市场对低压、低功耗电路的需求,分析了SOI技术实现低压、低功耗电路的工作原理,综述了当前SOI低压、低功耗电路发展的新动向。
黄继颇
多新中
张苗
王连卫
符晓荣
林成鲁
关键词:
低功耗
集成电路
新型溶胶-凝胶法制备纳米MgO薄膜的研究
被引量:22
1999年
以硝酸镁为起始原料,胶棉液为添加剂,在Si(100)衬底上成功地制备MgO薄膜,结果表明,胶棉液是形成MgO溶胶的关键组份;薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关.同时,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)对薄膜的微观结构进行了分析.
符晓荣
宋志棠
多新中
林成鲁
武光明
关键词:
溶胶凝胶法
纳米级
用喷雾热分解法制备MgO薄膜
被引量:9
2000年
用压缩空气式喷雾热分解法在 Si(100)衬底上制备了(100)取向 MgO薄膜.结果表明,衬 底温度和喷雾速率是制备(100)取向 MgO薄膜的关键问素在 600℃得到了(100)取向的 MgO薄 膜,用X射线衍射(XRD)。
武光明
符晓荣
宋世庚
林成鲁
关键词:
氧化镁
喷雾热分解
超导体材料
铁电薄膜
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