罗卢杨
- 作品数：4 被引量：20H指数：2
- 供职机构：电子科技大学IC设计中心更多>>
- 相关领域：电子电信环境科学与工程理学更多>>
- 灾情巡视路线寻优模型被引量：3
- 1999年
- 本文讨论了灾情巡视路线的优化问题。并总结出一些在这类图中求最优回路的有效法则。文中首先将乡村公路示意图转化为赋权连通图,并通过最小生成树分解法将原权图分为若干子图,分析并给出在这些子图中寻找最佳回路的若干原则:扩环策略、增环策略、换枝策略。依据这些原则,求得不同条件下的巡视路线。 当巡视人员分为组时,在要求总路程最短且尽可能均衡的条件下各组巡视路程分别为:2O6.8km,219.5km 159.3km。当要求在24小时完成巡视,至少需分4组,巡视完成时间为:22.3小时。当巡视人员足够多时,完成巡视的最短时间为6.43小时。
- 罗卢杨龙继东唐小军
- 关键词：灾情巡视路线最佳化
- 具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性被引量：17
- 2003年
- 提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区浓度高 ,导通电阻小的特点 .这表明降场电极是一种缓和漂移区掺杂浓度和耐压之间矛盾的有效方法 .该结构是一种器件耐压与导通电阻优化的新途径 .
- 罗卢杨方健罗萍李肇基
- 关键词：耐压特性SOILDMOSRESURF
- SiC高压肖特基二极管特性研究
- 本文比较了SiC高压肖特基热垒二极管与Si基肖特基二极管导通电阻与击穿电压的矛盾关系.通过修正二维数值模拟器MEDICI中关于SiC的参数和模型,对SiC肖特基二极管进行了准确的模拟分析.本文首次将阶梯掺杂终端用于SiC...
- 罗卢杨张平德张波李肇基
- 关键词：肖特基二极管碳化硅
- 文献传递
- SOI高压器件及功率开关集成电路的研究
- SOI技术是21世纪重要的主流集成技术之一。它为器件及SOI技术提供了良好的隔离，减少了寄生效应，提高了工作速度，而且具有抗辐射能力强，集成度高等优点。本文目的是为某军工电路研究所设计，应用于某军工系统研究所的火炮控制系...
- 罗卢杨
- 关键词：SOI高压器件功率开关高压LDMOS
- 文献传递
