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静电纺丝法制备V_2O_5微纳米棒及光催化性能被引量：3: 2013年; 以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和偏钒酸铵(NH4VO3)为原料,利用静电纺丝技术结合溶胶过程制备PVP/NH4VO3纤维,对纤维缓慢控温处理制备V2O5微纳米棒。采用热重-差热分析(TG-DTA)、X射线衍射光谱(XRD)、傅立叶红外光谱(FT-IR)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis)技术手段对V2O5微纳米棒的结构和表面形态进行表征。以亚甲基蓝(MB)的光降解为模型反应,研究V2O5微纳米棒的光催化性能。结果表明:热处理温度对催化剂表面形态和晶相的生长有明显影响,550℃煅烧的V2O5微纳米棒在可见光区对MB的光降解效率最高,并分析和探讨了可能的光催化机理。; 罗飞周德凤杨国程刘建伟李朝辉孟健; 关键词：静电纺丝法 V2O5 光催化性能

静电纺丝法制备钒氧化物微纳米材料及光催化活性: 采用静电纺丝技术结合溶胶法制备了PVP/NH4VO_3微纳米纤维,并在不同温度下对微纳米纤维进行热处理得到不同形态的钒氧化物材料。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FT-IR)、场发射电子扫描电镜(FE-SEM)和...; 罗飞刘建伟周德凤; 关键词：静电纺丝钒氧化物微纳米材料光催化活性; 文献传递

过渡金属氧化物掺杂Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)固体电解质的结构和电性能被引量：3: 2012年; 采用溶胶凝胶法合成Ce0.8Nd0.2O1.9(NDC)粉体,分别将1%(x,摩尔分数)的过渡金属氧化物(Transitional Metal Oxides,TMOs)MnO2,FeO1.5或CoO添加到NDC粉体中,经10MPa压片后于1 300℃烧结6h。用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对样品进行结构表征,采用交流阻抗谱(AC)测试样品导电性能。结果表明,MnO2,Fe2O3或CoO对NDC均可有效促进样品的致密化,增加相对致密度和提高NDC的晶粒电导率;1%(x)MnO2或1%(x)CoO的掺杂对NDC的晶界电导率产生有害的影响,掺杂1%(x)FeO1.5对NDC晶界杂质SiO2有一定的清除作用,提高晶界电导率。Fe2O3不仅是一种良好的烧结助剂,而且是一种有效的晶界清除剂。; 周德凤刘建伟杨国程李朝辉罗飞; 关键词：固体电解质氧化铈过渡金属氧化物电导率

MgO或Fe_2O_3掺杂Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)固体电解质的结构和电性能被引量：6: 2012年; 采用溶胶-凝胶法合成SiO2含量为0.05%(w,质量分数)的Ce0.8Nd0.2O1.9(NDC)粉体(NDCSi).分别将0-2.0%(x,摩尔分数)的MgO或FeO1.5添加到NDCSi粉体中,经10MPa压片后于1300°C烧结6h.采用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对样品进行结构表征.采用交流(AC)阻抗谱测试样品导电性能.结果表明:所有样品均呈现单一立方萤石结构.MgO或Fe2O3掺杂于NDCSi体系,均可提高材料的致密度,降低烧结温度,提高材料的晶界电导率和总电导率.掺杂MgO或Fe2O3样品的相对密度(>93%)高于NDC或NDCSi(约86%),有效促进了样品致密化.掺杂Fe2O3或MgO的样品(NDCSi+0N.D5FCeSOi样1.5或品总ND电C导Si率+2(.10.M1×g1O0)-具3S有·c最m高-1)电的导5.7率和,525.60倍°C.M时g总O电或导Fe率2O分3掺别杂是于6.N3D×C10S-i3样或品2.对9×晶10界-3电S·导c率m-的1,是影响比晶粒电导率更明显.MgO或Fe2O3掺杂于NDCSi均具有烧结助剂和晶界清除剂的双重作用,但清除杂质SiO2的机制不同.; 刘建伟周德凤杨梅罗飞孟健; 关键词：固体电解质烧结助剂

V2O5微纳米棒的制备及光催化性能的研究: V2O5在光催化剂、化学感应材料、固态离子电池、电化学设备和光电转换器等领域具有广泛的应用。V2O5半导体氧化物具有相对较低的能隙值(2.3eV),为光催化剂材料提供广泛的光吸收范围。由于V2O5在光催化反应中产生的...; 罗飞; 关键词：静电纺丝 V2O5 掺杂光催化

MgO和Fe_2O_3掺杂Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)固体电解质的结构和电性能: 采用溶胶凝胶法合成SiO_2含量为0.05%(ω,质量分数)的Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)(NDC)粉体(NDCSi),将0-2.0%(x,摩尔分数)的MgO和FeO_(1.5)分别添加到NDCSi粉体...; 刘建伟罗飞周德凤孟健; 关键词：固体电解质烧结助剂; 文献传递

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罗飞