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范玉杰

作品数：13 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇电池
  • 5篇激光
  • 3篇太阳电池
  • 3篇晶体硅
  • 3篇硅衬底
  • 3篇硅太阳电池
  • 3篇红外
  • 3篇发射极
  • 3篇非制冷
  • 3篇掺杂
  • 3篇衬底
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅太阳电...
  • 2篇电池结构
  • 2篇电偶
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化膜
  • 2篇氧化硅
  • 2篇深能级

机构

  • 13篇中国科学院

作者

  • 13篇韩培德
  • 13篇范玉杰
  • 8篇梁鹏
  • 8篇邢宇鹏
  • 8篇王帅
  • 7篇胡少旭
  • 6篇李辛毅
  • 5篇毛雪
  • 5篇叶舟
  • 2篇高利朋

传媒

  • 2篇太阳能学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 7篇2012
  • 1篇2011
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
利用工艺和器件仿真优化发射极提高单晶硅电池转换效率被引量：6
2014年
利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD软件的工艺仿真模块模拟单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到与测试结果相一致的掺杂分布曲线。在工艺仿真基础上,利用TCAD软件的器件仿真模块计算电池的转换效率和内量子效率,发现通过降低扩散温度以及在扩散之后加入热氧化工艺可减小发射极表面附近的掺杂,从而减小发射极复合以及表面复合,且热氧化还可减少发射极方阻,如果电池接触电阻增加较小的话,上述工艺可提高转换效率。通过测试实际电池的量子效率曲线对仿真进行验证,说明了器件仿真的准确性。
邢宇鹏韩培德范玉杰王帅梁鹏叶舟
关键词：发射极仿真
一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法，该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括：在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层，沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层；具有热隔离作用的热绝缘层；高红外辐射吸收的黑硅材料层...
李辛毅韩培德毛雪胡少旭王帅范玉杰
文献传递
效率达19.1%的全离子注入单晶硅太阳电池被引量：2
2015年
基于PESC(钝化发射极太阳电池)的电池结构,制备发射极为磷离子注入、背面场为硼离子注入的全离子注入单晶硅太阳电池,分析磷和硼离子注入的退火特性和杂质分布以及离子注入硼背场对电池性能的影响,并与常规POCl3扩散发射极电池进行对比。研究表明:离子注入的硼背场可明显提高电池的长波响应,使电池的开路电压提高约100 m V,效率提高5.4%;与POCl3扩散发射极电池相比,磷离子注入发射极改善了电池的短波响应,使电池效率提高0.8%;全离子注入电池的效率达到19.1%。
范玉杰韩培德梁鹏邢宇鹏叶舟
关键词：太阳电池离子注入发射极退火
提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法
本发明公开了一种提高太阳能电池效率的方法，该方法是采用脉冲激光对太阳能电池掺杂区域进行辐照，使掺杂区域中的杂质形成过饱和替位掺杂、且被激活，减少间隙掺杂数量，从而改善半导体结质量，减少载流子复合，达到提高短路电流和开路电...
韩培德邢宇鹏范玉杰梁鹏
文献传递
Si中离子注入S杂质引起的深能级研究
2012年
本文在n型硅中通过离子注入方法用500 keV的能量注入剂量为1×1014cm-2的过量S以引入杂质,并通过深能级瞬态谱方法(DLTS)对离子注入引入的深能级进行研究,得到多个S的深能级峰,计算了各深能级的位置和其俘获截面等参数。同时也发现,采用离子注入工艺在Si中引入了大量缺陷深能级。
高利朋韩培德毛雪范玉杰胡少旭
关键词：深能级离子注入深能级瞬态谱
一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法，该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括：在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层，沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层；具有热隔离作用的热绝缘层；高红外辐射吸收的黑硅材料层...
李辛毅韩培德毛雪胡少旭王帅范玉杰
硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法
一种硼铝共掺背面场硅太阳能电池，包括：一p型硅衬底；一n型发射极，该n型发射极位于p型硅衬底上；一迎光面钝化层，该迎光面钝化层生长在n型发射极上，该迎光面钝化层上开有电极窗口；一金属栅线电极，该金属栅线电极制作在迎光面钝...
范玉杰韩培德梁鹏邢宇鹏叶舟胡少旭
文献传递
利用工艺和器件仿真优化发射极提高单晶硅太阳电池转换效率
利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD 软件的工艺仿真模块模拟了单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到了与测试结果相一致的掺杂分布曲线.在工艺仿真基础上,利用TCAD 软件的器件仿真模块计算了电池的转换效率,发现通过...
邢宇鹏韩培德范玉杰王帅梁鹏叶舟李辛毅
关键词：发射极仿真
用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法
一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构，包括：一钝化膜；一第一掺杂层，制作在钝化膜上的中间部位；一硅衬底，制作在第一掺杂层上的中间部位；一第二掺杂层，制作在硅衬底上，其长度大于衬底的长度，与第一掺杂层的长度相同；一...
邢宇鹏韩培德范玉杰王帅梁鹏
文献传递
一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法
本发明公开了一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法，该方法包括：在硅衬底表层蒸镀钛薄膜；以及采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层。本发明提供的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法，采用超快激光辐照镀有钛薄层的硅...
李辛毅韩培德毛雪胡少旭王帅范玉杰
文献传递
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