谢廷明
- 作品数：18 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- MgO和STO基片上制备YBCO高温超导薄膜生长研究
- 2005年
- 用AFM和XRD研究在MgO和STO基片上外延生长2-200nm的YBCO高温超导薄膜的生长机制。采用倒筒式直流溅射装置,首次实现单轴驱动双轴旋转技术,本质上实现同时在MaO基片和STO基片上沉积同一均匀厚度的YBCO薄膜。
- 谢廷明陶伯万熊杰陈家俊刘兴钊李言荣
- 关键词：高温超导钛酸锶氧化镁
- 基于MCM-D工艺的叠层芯片互连工艺研究
- 基于MCM-D薄膜工艺开展了层叠芯片互连装配技术相关的芯片层叠,低弧度细节距金丝键合等工艺技术研究.采用单组分绝缘胶，解决了悬垂型层叠结构层间芯片和垫片粘接问题;采用SSB反向键合方式实现了低弧度键合问题，键合丝拱丝高度...
- 谢廷明杨立功
- 一种提高楔焊劈刀清洗质量的方法
- 本发明公开了一种提高楔焊劈刀清洗质量的方法，包括1）、超声清洗；将劈刀放入专用夹具，在NaOH溶液中超声清洗；2）、去离子水冲洗；3）、氮气吹拂；4）、镜检；5）、等离子清洗；6）、去离子水清洗；7）、乙醇脱水；8）、氮...
- 谢廷明徐全吉燕子鹏胡立雪
- 文献传递
- 蓝宝石衬底上射频溅射法生长CeO2外延薄膜研究
- 实验采用射频溅射法在(1102)蓝宝石基片上制备(00l)取向CeO2外延薄膜.低温、低溅射功率都会导致CeO2薄膜呈(111)取向生长.当基片温度在700℃～750℃,溅射功率在100～150W范围内能够制备得到高质量...
- 熊杰陶伯万谢廷明陈家俊刘兴钊张鹰李金隆李言荣
- 关键词：超导薄膜
- 文献传递
- 金丝球焊复合键合工艺可靠性研究被引量：1
- 2021年
- 对芯片铝焊盘上不同重叠面积的金丝球焊复合键合的可靠性进行研究,并与非复合键合进行对比。结果表明,随着复合键合重叠面积的减少,键合拉力和界面生成的合金化合物面积均无明显变化,而剪切强度呈下降趋势。高温储存结果表明,复合键合拉力值满足国军标要求。复合键合有掉铝和弹坑缺陷隐患。经分析,原因是复合键合时施加的超声能量破坏了硅及金属化的结合态,在硅及金属化的结合界面上形成微裂纹。复合键合在高可靠电路中应进行键合参数优化并验证充分后使用。
- 燕子鹏赵光辉谢廷明周成彬
- 关键词：混合集成电路金丝键合
- 基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究被引量：1
- 2010年
- 基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。
- 刘欣谢廷明罗驰刘建华唐哲
- 关键词：3D-MCM
- 有源硅基板的制作方法
- 本发明公开了有源硅基板的制作方法，首先在有源晶圆片上涂覆和固化第一层非光敏BCB介质，然后在BCB膜层上光刻和刻蚀出通孔，随后在BCB介质层制作第一层TiW/Au导带，接着在第一层导带上涂覆和固化第二层非光敏BCB介质，...
- 叶冬谢廷明罗驰杨镓溢
- 3英寸YBCO/CeO2/Al2O3双面超导外延薄膜的制备研究
- 采用自制的大面积四靶溅射设备,并结合基片的调速双轴旋转,成功研制出3英寸双面CeO2薄膜及YBa2Cu3O7-σ(YBCO)薄膜。通过对所制备薄膜的微观结构、表面形貌以及电性能的分析测试,得到的CeO2薄膜与YBCO薄膜...
- 熊杰陶伯万谢廷明陈家俊刘兴钊张鹰李言荣
- 关键词：YBCO薄膜微波器件
- 文献传递
- 一种高密度系统封装的设计与制作
- 2013年
- 介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术。
- 罗驰叶冬谢廷明刘继海
- 关键词：系统级封装
- 蓝宝石上射频溅射沉积CeO_2外延缓冲层被引量：1
- 2005年
- 研究了基片温度、溅射功率对采用射频溅射沉积在(1102)蓝宝石基片上的CeO2薄膜生长的影响。过低的沉积温度、溅射功率都会导致CeO2薄膜呈[111]取向生长。在基片温度为700~750 ℃,溅射功率为100~150 W,溅射气压为14 Pa下沉积了高质量[00l]取向的CeO2缓冲层。通过X射线衍射和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌。在最优化条件下制备的 CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面。在CeO2缓冲层上制得的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全[00l]取向,面内取向性良好,并具有优越的电学性能,其临界转变温度(Tc)为89.5 K,临界电流密度Jc(77 K,0T)约为1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77 K,10 GHz)大约为 0.30 mΩ。
- 熊杰陶伯万谢廷明陈家俊刘兴钊李金隆李言荣
- 关键词：蓝宝石
