费武雄
- 作品数：23 被引量：44H指数：4
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- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术航空宇航科学技术理学更多>>
- 不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应被引量：1
- 2011年
- 在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRS);在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。
- 王义元陆妩任迪远郑玉展高博陈睿费武雄
- 关键词：电离辐射电流反馈运算放大器偏置
- 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响
- 对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件(基-射结反向偏置、正向偏置和零偏置)的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而...
- 费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管低剂量率偏置电离辐照
- 文献传递
- 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应被引量：3
- 2010年
- 对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。
- 陈睿陆妩任迪远郑玉展王义元费武雄李茂顺兰博崔江维
- 关键词：模数转换器偏置条件
- 国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性
- 2010年
- 对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能;界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流;总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。
- 崔江维余学峰刘刚李茂顺兰博赵云费武雄陈睿
- 关键词：总剂量辐照效应退火效应可靠性
- 变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用被引量：8
- 2010年
- 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。
- 费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管
- 电离总剂量辐照试验流程阐述被引量：3
- 2012年
- 空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素,是当前航天电子技术研究的重点。针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标准,阐述了MOS的辐照试验流程,并对其中包含的机理进行了详细的分析;同时,对试验方法中有关偏置条件、辐照后测试时间的规定等内容进行了详细的分析。
- 王文双费武雄
- 关键词：金属-氧化物-半导体器件偏置条件
- 国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
- 2010年
- 对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用,导致了正栅源漏饱和电流的显著降低;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍与初始值有一定负向距离。
- 崔江维余学峰刘刚李茂顺高博兰博赵云费武雄陈睿
- 关键词：总剂量辐照效应退火
- 直接数字式频率合成器辐射效应敏感性分析被引量：2
- 2015年
- 从直接数字式频率合成器(DDS)的结构出发,对DDS器件的时钟产生单元、相位累加与相位幅度转换器和数模转换器进行了总剂量效应、单粒子效应的敏感性分析。分析认为:辐照前后DDS输出的无杂散动态范围,以及关断功耗是总剂量相对较为敏感的参数;单粒子效应对DDS输出波形的影响为频率改变、相位改变和幅度改变,以及造成输出信号出现毛刺现象,进而影响器件在系统中的功能。
- 卢向军王晓晗罗宏伟王小强费武雄孙宇吕宏峰刘焱
- 关键词：直接数字式频率合成器总剂量效应单粒子效应
- 新型PAGAT聚合物凝胶剂量计的磁共振成像研究被引量：1
- 2011年
- 使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂和甲醛等在常氧条件下制备出一种新型的PAGAT聚合物凝胶剂量计。实验结果表明:剂量计的磁共振横向弛豫率随吸收剂量的增加而增大,经计算,得出了剂量计的探测下限;剂量计样品的批均匀性好于3.2%,且剂量响应在0.05～1.00Gy/s之间基本与剂量率无关。此外,使用该剂量计对异质界面剂量分布的测量结果以及剂量增强效应进行了分析。
- 赵云何承发刘艳杨进军卫平强兰博崔江维费武雄李茂顺王飞
- 关键词：磁共振成像
- 正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤被引量：1
- 2010年
- 对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验。结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤。正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应。高剂量率或低剂量率辐射情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态。高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱。从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET运放电路的退化行为进行了解释。
- 郑玉展陆妩任迪远王义元陈睿费武雄
