- 背电极对AlGaN/GaN RESURF HEMT击穿电压的影响
- 针对常规AlGaN/GaN RESURF HEMT中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出了一种带有背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构.该背电极通过感应诱生负电荷,调制器件沟道处的电...
- 赵子奇尹成功罗杰杜江锋
- 关键词：高电子迁移率晶体管击穿电压背电极
- 文献传递
- 一种带有背电极的高耐压AlGaN/GaN RESURF HEMT被引量：4
- 2013年
- 针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构。该背电极通过感应诱生负电荷调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道横向电场分布更加均匀,从而提升器件击穿电压。仿真结果表明,对于栅漏间距为6μm的器件,背电极的引入使器件击穿电压得到显著提升(从1 118V增至1 670V),同时对器件导通电阻几乎没有影响(从0.87mΩ·cm2增至0.88mΩ·cm2)。研究结果为高耐压大功率AlGaN/GaN HEMT设计提供了一种新思路。
- 赵子奇杜江锋杨谟华
- 关键词：高电子迁移率晶体管
- 一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管， 从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层...
- 杜江峰赵子奇尹江龙张新川马坤华罗谦于奇
- 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成...
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- 文献传递
- 表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究
- 2006年
- 针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件输出电流有所增大,并随着脉冲宽度减小而缓慢增大。实验结果,可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理。
- 赵子奇杜江峰罗谦靳翀杨谟华
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管电流崩塌脉冲测试表面态
- 一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>‑GaN衬底，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖...
- 杜江锋赵子奇尹成功罗杰黄思霓严慧罗谦于奇
- 文献传递
- 一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化...
- 杜江锋尹江龙马坤华张新川赵子奇于奇
- 文献传递
- 一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明提供了一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，p-GaN电流阻挡层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势...
- 杜江锋赵子奇罗杰尹成功黄思霓严慧罗谦于奇
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- 一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明提供了一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极...
- 杜江锋赵子奇罗杰尹成功严慧黄思霓罗谦于奇
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- 一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化...
- 杜江锋尹江龙马坤华张新川赵子奇于奇
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