邸明东
- 作品数：4 被引量：18H指数：3
- 供职机构：江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金宁波市自然科学基金浙江省“钱江人才计划”更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响被引量：3
- 2010年
- 在异质结前界面缺陷态密度Dit1和异质结背界面缺陷态密度Dit2均取不同值时,对p型单晶硅(c-Si(p))为衬底的硅异质结太阳电池的衬底电阻率ρ与电池性能的关系进行了数值研究.结果表明:衬底电阻率的最优值ρop取决于前界面缺陷态密度Dit1,且ρop随着Dit1的增大而增大;当ρ>ρop时,背界面缺陷态密度Dit2对衬底电阻率的可取值范围具有较大影响,Dit2越大衬底电阻率的可取值范围越小.
- 周骏邸明东孙铁囤孙永堂汪昊
- 基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析被引量：5
- 2010年
- 针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。
- 邸明东周骏孙铁囤孙永堂
- 关键词：微晶硅
- 衬底参数及界面特性对硅异质结电池性能的影响被引量：5
- 2010年
- 针对a-Si∶H(n)/c-Si(p)双面异质结太阳电池结构,数值研究了不同p型单晶硅衬底厚度、氧缺陷密度、电阻率以及异质结界面缺陷态密度与电池转化效率之间的关系。结果表明:异质结界面缺陷态密度是影响电池性能的最主要因素,衬底前表面界面缺陷密度增大,主要降低开路电压和填充因子,衬底背表面界面缺陷态密度主要影响短路电流和填充因子。其次,p型硅衬底厚度减小和氧缺陷密度的增大,均导致短路电流密度下降,电池转化效率降低,特别是在界面缺陷态密度较低时,氧缺陷密度对电池性能影响较大;最后,在衬底前表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2,后表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2以及氧缺陷密度为109cm-2时,衬底电阻率存在最优值1Ω.cm。
- 孙永堂周骏孙铁囤邸明东苑红伟
- 关键词：太阳电池
- 基于等效介质理论的光伏电池亚波长光栅减反结构设计被引量：7
- 2010年
- 根据等效介质理论(EMT),利用薄膜特性矩阵方法提出了等效介质膜模型,用以研究亚波长光栅减反特性。运用遗传算法分析入射光偏振态和光栅结构参数对亚波长光栅反射率的影响,获得了特定波段下复周期亚波长光栅较低的平均反射率。此外,以TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si:H(p)/Ag光伏电池为例,将其表面透明导电层(TCO)设计为复周期亚波长光栅结构,利用AFORS_HET软件模拟分析光伏电池的光谱响应,结果表明,复周期亚波长光栅的减反特性可以显著提高光伏电池的量子效率。
- 马佑桥周骏孙铁囤邸明东丁海芳
- 关键词：亚波长光栅介电常数遗传算法光伏电池
