郭强
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 硅中离子注入硼的异常扩散
- 1989年
- 本工作用不同的Si^+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而不是硼间隙原子的快扩散.而注入损伤中的点缺陷和簇团分解释放的点缺陷是驱动硼异常扩散的因素之一.如果注入损伤形成了扩展缺陷,那么扩展缺陷重构和分解将发射点缺陷,这是驱动硼异常扩散的另一个因素.
- 郭强鲍希茂严勇冯端
- 关键词：离子注入扩散退火
- 硅中注入硼的异常扩散
- 1989年
- 浅结制备是超大规模集成电路发展的关键技术之一。硅中硼、磷等杂质注入,在退火时发生异常扩散,使浅结的控制困难。异常扩散是一个瞬态快速扩散过程。对于硼,在退火开始时,杂质分布尾部推移极快,随之减慢,恢复正常扩散。这一过程用衰变时间表征。
- 鲍希茂郭强华雪梅
- 关键词：硅硼扩散
