陈廷国
- 作品数：24 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 高温超导体中氧行为的内耗研究
- 1993年
- 陈廷国
- 关键词：超导体高TC氧内耗
- PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗被引量：2
- 2001年
- 采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为 Pb(Zr0.7Ti0.3)O3 (PZT73)和 Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 (PZT37) 的两种陶瓷的内耗 Q-1及振动频率的平方 f 2（正比于材料的剪切模量 G）与温度的关系进行了 测定。在纯三角相的 PZT73陶瓷中发现两个内耗峰。高温内耗峰 PM起源于材料的顺电－铁 电相变 ,低温内耗峰 P1本质上是一个宽化的 Debye峰，可归因于氧空位作用下的畴壁振荡弛豫。 对纯四方相的 PZT37陶瓷，除了 P1和 PM峰外，在 P1与 PM峰之间另有内耗峰 P2，这与 900畴附 近的氧空位团簇的弛豫有关 ,其特征可用描述强关联系统的关联态模型（ Coupling model）描述。
- 贺连星李承恩陈廷国王志勇晏海学
- 关键词：内耗PZT陶瓷氧空位畴壁铁电材料
- 热处理对Bi－Pb－Sr－Ca－Cu－O超导材料结构和超导性能的影响
- 1995年
- 利用原位电阻测量、热重分析、电镜观察和电子探针等多种实验手段研究了Ｂｉ_（１．６）Ｐｂ_（０．４）Ｓｒ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（１０＋δ）（下称ＢＰＳＣＣＯ）超导材料在不同温度（６５０—８００℃）和不同氧分压（氧气、空气和氮气）下热处理过程中结构变化及其对超导电性的影响，实验结果表明，在稍高氧分压下退火，２２２３相中的Ｐｂ￣（＋２）离子将失稳析出体外，生成类Ｃａ_２ＰｂＯ_４杂相，导致电阻率和重量增加，其调制结构由纯Ｐｂ型（ｑ＝βｂ）逐渐变为纯Ｂｉ型（ｑ＝βｂ＋ｃ），在低氧分压下退火，类Ｃａ_２ＰｂＯ_４杂相将分解，整个过程基本可逆．此外还发现，适度析出类Ｃａ_２ＰｂＯ_４杂相，２２２３母相的超导转变温度将增高，材料的电传输特性亦将得到改善．
- 张留琬陈廷国谢晓明吴晓初施天生李香庭高建华孙荆
- 关键词：超导材料超导电性BPSCCO
- 正交YBa2Cu3O7-x204℃内耗峰与氧缺位
- 普遍认为 YBaCuO的一维 Cu-O 链对其超导性起着关键的作用。但迄今,人们对其状态仍不十分清楚。本文利用正交相特征内耗峰高与氧含量之间的定量关系,给出了钡原子面间 Cu-O 层(下称 Cu-O 层)氧原子与氧空位的...
- 陈廷国谢晓明陈源谢雷鸣
- 文献传递
- YBa_2Cu_3O_(7-δ)中正交-四方相变的级次被引量：2
- 1992年
- 研究了YBa_2Cu_3O_(7-δ)正交相和四方相中氧在Cu(1)-O基平面上跳动引起的两低频内耗峰;研究了在正交-四方相变过程中它们随氧含量的变化规律,并据此分析了YBCO中正交-四方相变的级次,认为在～200℃该相变实际上可能是一个一级相变。
- 谢晓明陈廷国
- 关键词：YBCO超导体相变
- 掺铅Bi系超导体的内耗研究
- 前已报道,掺铅铋系2223单相超导体 BiPbSrCaCuO(下称 BPSCCO)在 120℃附近呈现一低频内耗峰。本文用倒扭摆法在室温至450℃温区研究了 BPSCCO 在空气和真空(20Pa)中的内耗行为,以期弄清其...
- 陈源谢晓明陈廷国
- 文献传递
- Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_x超导体高温电阻率的研究被引量：4
- 1998年
- 研究了高温热处理对ＢＰＳＣＣＯ２２２３超导体高温电阻率的影响，观察到电阻率的奇异变化．实验结果表明，高温氮气退火，除ＢｉＯ层外，ＣｕＯ层也发生脱氧，同时伴随金属离子的运动．氧含量和氧重布及金属离子的运动引起了ＢＰＳＣＣＯ２２２３相微结构的多样性．
- 张留碗陈廷国
- 关键词：BPSCCO高温热处理高TC超导体
- Bi系超导体氧行为的内耗研究
- ＜正＞迄今发现的高 Tc 超导体都是一些含有氧缺陷的氧化物,其结构和性能与含量密切相关。然而在这些超导体中,氧离子或氧缺陷存在着多种占位状态,为了深入理解超导机制,弄清哪些氧离子直接影响超导电性则是人们极为关注的问题。由...
- 陈廷国张留碗陈源
- 文献传递
- 正交相YBa2Cu3Oy中氧的扩散系数
- 一、引言 YBaCuO 的超导性能与其氧含量密切相关,因此研究氧的扩散具有重要意义。由于 YBaCuO 中,除04(0,1/2,0)和05(1/2,0,0)外,其他氧位置占有率皆为1,可以认为氧扩散只能通过04-05-0...
- 谢晓明陈廷国黄佶
- 文献传递
- 偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究
- 2000年
- 用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究．在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于７０℃（Ｐ１峰）、 ９０℃（Ｐ２峰）、２００℃（Ｐ３峰）、２６０℃（Ｐ４峰）、４３０℃（Ｐ５峰）和５１０℃（Ｐ６峰）处．对引起Ｐ３、Ｐ１、Ｐ２和Ｐ４峰的物理机制进行了详细探讨．分析结果表明，Ｐ３峰的本质是一定化的 Ｄｅｂｙｅ弛豫内耗峰。相应的激活能和指前因子分别为１．０１４Ｖ和 ２．４×１０－１４ｓ．它源于氧空位与畴壁的相互作用． Ｐ１、 Ｐ２和 Ｐ４峰与试样的切割加工密切相关，可归结为点缺陷与位错的交互作用．
- 贺连星李承恩陈廷国刘卫朱震刚水嘉鹏
- 关键词：内耗畴壁氧空位铁电压电
