陈朝
- 作品数：196 被引量：243H指数：8
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金福建省科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学冶金工程更多>>
- 一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法
- 本发明公开了一种近紫外激发的红色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr<Sub>2-2x</Sub>B<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>:xEu<Sup>3+</Sup>,xNa<Sup>+</Su...
- 陈朝应莉莉蔡丽晗郑将辉郑淞生
- 文献传递
- 用于塑料光纤通信的光发射组件及其制备方法
- 用于塑料光纤通信的光发射组件及其制备方法，涉及光发射芯片。芯片设有基底、光发射驱动电路和光源谐振腔光发射二极管；驱动电路设在基底上表面左半侧，在驱动电路左侧设有3个焊盘，在驱动电路右侧设有2个焊盘，在基底上表面右侧部分设...
- 程翔史晓凤陈朝范程程
- 文献传递
- 镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法
- 镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法，涉及一种探测器。提供一种用于红外上转换材料检测的镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法。探测器设有外延片，外延片自下而上依次设有n型高掺杂磷化镓单晶衬底、非掺杂的磷化镓缓冲层、...
- 肖雪芳陈朝
- 文献传递
- 激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
- 涉及一种激光诱导下GaN P－型欧姆接触制备方法。其步骤为在GaN表面淀积金属锌，将Zn/GaN预热，激光辐照，用激光诱导方法掺Zn的样品表面上，淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200n...
- 陈朝田洪涛
- 文献传递
- 半导体光电结构材料及其应用被引量：1
- 2011年
- 半导体光电结构材料广泛应用于信息、照明、交通、能源、医疗、军事等领域.介绍了厦门大学近年来在半导体光电结构材料研究的进展,着重介绍高Al组分AlGaN、高In组分InGaN、GaN基半导体、Si基半导体、ZnO基半导体等结构材料研发中所取得的进展及其在大功率LED、紫外LED、激光器、探测器、太阳能电池等光电器件中的应用.
- 李书平李成陈松岩方志来张保平吴正云吴志明詹华瀚陈朝余金中王启明康俊勇
- 关键词：GANSILED探测器太阳能电池
- 光控赝配HEMT静态特性的PSPICE模拟
- 2002年
- 提出光敏赝配倒置HEMT的静态模型 .该模型是一个四端口的器件 ,其中P端口用来处理输入光信号 ,运用此模型能够模拟不同光功率及光波长下输入光对器件输出电流的影响 .通过PSPICE对光敏PHEMT的DC特性进行数值模拟 ,得到的数值结果与Marso等人的实验数据符合的较好 .
- 肖雪芳傅任武陈朝
- 关键词：HEMT静态特性PSPICE模拟场效应晶体管光功率
- 高性能InP/InP、InGaAs/InP体材料LP-MOCVD生长
- 1997年
- 给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．
- 刘宝林黄美纯陈松岩陈龙海陈朝王本忠王本忠刘式墉
- 关键词：MOCVD铟镓砷磷化铟
- 标准CMOS工艺下高速集成大光敏面光电探测器芯片的研制被引量：1
- 2015年
- 为提高大纤芯(1 mm)塑料(POF)光纤通信用的单片集成光接收机(OEIC)的速率并降低成本,对Si基大光敏面光电探测器(PD)的结构、性能以及后续放大电路进行了研究。首先,基于标准CMOS工艺流程对N+/N-well/p-sub PD结构进行建模和优化设计,对其光谱响应曲线和频率特性曲线进行了仿真;其次,建立PD等效电路模型,结合设计的后续放大电路进行协同设计与仿真;最后,采用0.5μm CMOS工艺对单个面积为200μm×200μm的PD以及后续放大电路单片集成电路进行了流片、封装和测试。实验结果表明,在-2.5V偏压下和650nm波长入射光,N+/Nwell/p-sub PD的响应度约有0.12 A/W,暗电流约为-9pA;单片光接收机在小于10-9的误码率BER条件下,灵敏度为-23dBm,并得到250 Mbit/s速率的清晰眼图。
- 史晓凤王戴木王峰赵正平王诗兵韩波牛磊宋有才李军王静程翔陈朝
- 关键词：单片集成
- 采用CaO-SiO_2-CaF_2渣系去除硅中杂质硼(英文)被引量：5
- 2011年
- 采用CaO-SiO2-10%CaF2渣系,对工业硅进行造渣除硼研究。研究不同工艺条件下,渣系碱性、反应温度T、渣金比和通气搅拌对硼在渣相和硅液中分配系数LB的影响。结果表明,在1873K下,当CaO/SiO2质量比为2时硼的分配系数可达最大值4.61。在1773～1973K下,lgLB与1/T成线性关系。随着渣金比的增大,硼的分配系数也相应增大,但当渣金比大于3时,硼的分配系数并无明显增加。通气可显著提高硼的去除效果,硼的分配系数随气体中H2O含量的增加而增大。
- 蔡靖李锦堂陈文辉陈朝罗学涛
- 关键词：造渣
- Nd∶YAG连续激光诱导下硅中钛过饱和掺杂研究
- 2016年
- 为了在硅中掺入过饱和的过渡金属杂质,采用自行设计的线形大功率Nd∶YAG激光辐照表面溅射钛的硅片,对辐照后样品进行了俄歇电子能谱测试,利用2维热力学模型,对连续激光扫描的过程进行了热力学模拟。结果表明,硅中的钛掺杂浓度远高于钛在硅中的固溶度,钛的最高浓度在表面下方一定距离处;硅片中的最高温度并不在硅的表面,温度分布导致了钛的分布不在表面;模拟结果与实验结果吻合得较好。线形连续激光能够通过对材料表面扫描辐照的方式进行加工,实现过饱和掺杂。
- 范宝殿陈蓉庞爱锁陈朝
- 关键词：硅材料过饱和
