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马浩文

作品数：60 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...

主题

  • 32篇介质
  • 32篇介质栅
  • 32篇复合介质
  • 17篇晶体管
  • 17篇光电
  • 11篇光电子
  • 8篇探测器
  • 8篇MOSFET
  • 7篇读出
  • 7篇栅结构
  • 7篇绝缘
  • 7篇感器
  • 7篇成像
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 6篇电荷耦合
  • 6篇绝缘介质
  • 6篇暗电流
  • 5篇噪声
  • 5篇介质层

机构

  • 60篇南京大学

作者

  • 60篇马浩文
  • 57篇闫锋
  • 56篇卜晓峰
  • 20篇吴福伟
  • 20篇夏好广
  • 17篇杨程
  • 14篇张丽敏
  • 13篇毛成
  • 12篇刘泉
  • 12篇陈辉
  • 7篇胡悦
  • 6篇司向东
  • 6篇曹旭
  • 4篇潘红兵
  • 4篇张佳辰
  • 4篇岳涛
  • 3篇徐跃
  • 3篇沈忱
  • 2篇王凯
  • 2篇施毅

年份

  • 8篇2024
  • 11篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 8篇2015
  • 1篇2014
  • 9篇2013
  • 3篇2012
共 60 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两...
闫锋马浩文沈忱卜晓峰吴福伟夏好广张佳辰
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高光电转换效率的光电计算单元
本发明公开了一种高光电转换效率的光电计算单元，光电计算组件及光电计算单元的制备方法。所述的光电计算单元进行了大间距的源端和漏端设计，并使源端和漏端分别与栅极区域之间具有小梯度的离子掺杂浓度分布，使装置实现高水平的光输入效...
宋年华潘红兵李张南王宇宣卜晓峰马浩文赵文翔何展梁佳宝
一种单读取管多感光管的复合介质栅光敏探测器
本发明公开了一种单读取管多感光管的复合介质栅光敏探测器，属于集成电路领域。所述复合介质栅光敏探测器具有单读取管多感光管的结构，针对该新型结构，本申请特别设计了复合介质栅的结构，使得多个感光晶体管共用一个读取晶体管，从而节...
闫锋刘泉陈辉常峻淞王子豪沈凡翔胡心怡程方龙高党辉段爽马浩文卜晓峰
一种有效降低随机电报噪声的复合介质栅光敏探测器
本发明公开了一种有效降低随机电报噪声的复合介质栅光敏探测器。该探测器包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，二者通过衬底中设置的浅沟槽隔离区实现功能区的分离；复合介质栅MOSF...
闫锋陈辉沈凡翔王子豪常峻淞胡心怡刘泉朱千琳程方龙段爽高党辉马浩文卜晓峰
一种复合介质栅电容耦合变增益光敏探测器及其工作方法
本发明公开了一种复合介质栅电容耦合变增益光敏探测器及其工作方法。其探测器单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅晶体管，复合介质栅MOS电容实现探测器的感光功能，复合介质栅晶体管实现探测器的...
马浩文李煜乾黄枝建孔祥顺毛成杨程卜晓峰张丽敏闫锋
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分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法
本发明提出一种分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法，分裂栅型MOSFET结构为在P型衬底正上发设有两层绝缘介质层和控制栅极，两层绝缘介质层之间设有光电子存储层；控制栅极的两侧设有选择栅极，将控制栅极所控制的衬底与探...
卜晓峰闫锋夏好广吴福伟马浩文司向东张佳辰
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降低暗电流的复合介质栅光敏探测器及其工作方法
本发明公开了一种有效降低暗电流的复合介质栅光敏探测器及其工作方法。其探测器单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，在P型半导体衬底中形成N型掺杂区，仅在N型掺杂区和复合介质...
闫锋陈辉王子豪沈凡翔胡心怡常峻淞刘泉朱千琳程方龙段爽高党辉马浩文卜晓峰
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法
基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法，在栅极上加不同的电压脉冲，使MOSFET工作在深耗尽状态，根据所加栅极电压不同使耗尽区的深度不同，以此结合不同波长的光在硅中的穿透深度不同的原理，将入射光中的红、绿、蓝...
闫锋卜晓峰胡悦吴福伟夏好广马浩文
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PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器
PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分界处源极一侧正上方从...
闫锋夏好广卜晓峰徐跃吴福伟马浩文
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一种用于激光测距的单光子雪崩二极管探测器阵列
本发明公开了一种用于激光测距的单光子雪崩二极管探测器阵列，包括单点探测面、整形电路、“与”处理电路和“或”处理电路。其中，单点探测面由多个探测单管以n×n(n≥2)的形式排布集成，探测单管包括单光子雪崩二极管和淬灭电路；...
卜晓峰毛成闫锋孔祥顺李张南李煜乾黄枝建杨程马浩文张丽敏
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