高哲
- 作品数：7 被引量：13H指数：2
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 织构ZnO:Al与p-μ c-Si:H薄膜接触特性的研究被引量：1
- 2010年
- 用PECVD法在不同织构ZnO:Al上沉积了p-μc-Si:H薄膜,研究了不同织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触特性,研究结果表明:在织构后的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜的晶化率均大于在未织构的ZnO:Al上沉积的p-μc-Si:H薄膜,且织构ZnO:Al与p-μc-Si:H薄膜的接触电阻也均小于未织构的,且织构时间最佳点为15s。
- 吴芳赵先林王海燕王子健高哲
- 关键词：接触特性
- 多孔硅层的剥离及反射率研究被引量：1
- 2007年
- 通过改变电化学腐蚀电流密度的大小成功剥离了多孔硅层,并分析了多孔硅层的剥离机理,测量了多孔硅层的反射率曲线。结果表明:影响多孔硅层剥离的主要因素是多孔硅的形成临界电流密度,当电化学腐蚀的电流密度增大到100mA/cm2时,已经大于多孔硅的临界形成电流,从而发生了硅片表面的电化学抛光,并且多孔硅层对从近紫外到近红外的整个波段反射率都较低。
- 陈庆东张宇翔郭敏王俊平高哲李红菊
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀反射率
- 脉冲式退火法对AZO薄膜性能的研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,然后用脉冲式快速光热处火(PRTP)法对样品进行了600 ～800℃的退火处理。采用X射线衍射仪(XRD)、分光光度计、四探针等测试手段对AZO薄膜的结晶性能、透光率和导电性能进行了表征。结果表明:(1)薄膜退火后透光率基本维持在退火前(82 ～92%)的水平,而电阻率则由10-4Ω.cm上升了1到6个数量级,已丧失了"导电膜"意义;(2)样品具有好的结构性能有利于提高样品的导电性能。对此现象进行了理论分析。
- 张松青吴芳张丽伟高哲王子健卢景霄
- 关键词：AZO薄膜退火透过率电阻率
- 浮法玻璃的铝诱导表面织构研究被引量：3
- 2008年
- 本文采用铝诱导表面织构方法,在浮法玻璃表面成功地制备了陷光结构:采用快速辐射加热法对蒸镀约200 nm厚Al膜的浮法玻璃基片进行了一定时间的热处理,然后分别经H3PO4和HF/HNO3的混合溶液腐蚀。借助扫描电镜(SEM)、紫外可见分光光度计研究了热处理和HF/HNO3混合溶液处理的时间对玻璃表面织构形貌及陷光特性的影响。实验发现,快速辐射加热法退火2 h,就可在玻璃表面形成较好的陷光织构,织构的特征尺寸较小时,陷光作用较好。
- 郑文陈永生卢景霄郭学军张庆丰高哲
- 关键词：浮法玻璃
- ZnO/SnO_2复合透明导电膜性能的研究被引量：5
- 2008年
- 采用直流磁控溅射工艺在SnO2透明导电玻璃上沉积一层ZnO膜,制备出ZnO/SnO2复合透明导电膜,作为硅薄膜太阳电池前电极。比较了具有不同ZnO厚度的复合膜氢轰击前后的光电性能,发现适当控制ZnO膜的厚度至关重要。研究了快速热退火(RTA)对薄膜的结构及光电性能的影响,发现400℃退火能够改善薄膜的光学性能。
- 高哲卢景霄陈庆东刘玉芬王子健陈永生
- 不同衬底上沉积硅薄膜的固相晶化研究被引量：2
- 2008年
- 本文用电化学腐蚀方法制备了多孔硅,并在多孔硅、石英、单晶硅片上用PECVD沉积了本征和P型硅膜,然后将硅膜分别用不同的温度和时间做固相晶化,借助Raman、SEM和XRD等手段对退火前后的硅薄膜微结构进行了分析研究。结果表明:单晶硅和多孔硅衬底上的非晶硅薄膜比石英衬底上的更容易晶化;具有硅晶格的衬底可以明显地起到种晶的作用,在一定条件下可以生长出晶格取向一致的硅膜。
- 陈庆东张宇翔郭敏李红菊高哲王俊平
- 关键词：非晶硅退火PECVD多孔硅
- 电子与硅烷分子碰撞的散射截面对微晶硅生长影响
- 2009年
- 较为系统的研究了甚高频化学气相沉积在高压高功率下生长的微晶硅薄膜.给出了功率密度-气体流量和压强-功率密度的二维相图.用朗缪尔探针测出薄膜沉积时等离子体内部电子温度,并用麦克斯韦-玻尔兹曼分布进行拟合给出电子能量分布函数.由电子能量分布函数出发通过单电子碰撞模型给出等离子体内部各种基浓度的计算公式.并通过数值模拟给出等离子体中 SiH_2,SiH_3等基的浓度.利用 SiH_2与 SiH_3比值,结合表面扩散模型,解释气压-功率密度相图中随电子温度的增加(功率的增加),晶化率增大的现象.
- 文书堂姚鹏卢景霄李云居李维强魏长春谷锦华杨仕俄郭学军高哲赵尚丽
- 关键词：微晶硅薄膜散射截面
