严勇健
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：苏州大学计算机科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术电子电信理学更多>>
- 含铝的富硅二氧化硅薄膜的发光特性及结构
- 2004年
- 采用双离子束共溅射技术制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO),采用荧光分光光度计对样品进行PL测试表明:AlSiO复合膜共有三个发光峰,分别在370nm、410nm、510nm处。发光峰的位置随铝含量的变化基本上没有改变,峰强随铝含量有变化,且510nm处的峰强随铝含量增加而增强。PLE结果表明:370nm和410nm的PL峰与样品中的氧空位缺陷有关,而510nm的PL峰则是由于铝的掺入改变了样品中的缺陷状态所致,是Al、Si、O共同而复杂的作用。
- 李群严勇健成珏飞吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：铝掺杂光致发光
- 电化学腐蚀法制备纳米硅薄膜的结构和发光特性的研究
- 该论文采用电化学腐蚀法制备多孔硅,通过浸泡液分离多孔层后,在表面形成丰富的SiO<,x>包裹纳米硅线和纳米孔,测量了它们室温下的光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱,采用SEM、TEM、AFM、XPS、FTIR对样品表...
- 严勇健
- 关键词：电化学腐蚀电致发光发光中心多孔硅
- 文献传递
- 电化学腐蚀法制备的SiO_2包裹纳米硅颗粒结构的电致发光特性
- 2005年
- 将采用传统电化学腐蚀法制备的多孔硅样品,用浸泡液浸泡剥离其表层多孔层,使样品表面形成 SiO2 包裹纳米硅颗粒的结构,在表面镀半透明Au膜后制备成电致发光器件.在正向偏压下样品可以长时间稳定地发出绿光(510nm),并且随着偏压的升高,发光强度增强,峰位不变.讨论了可能的发光机制.
- 严勇健吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：电致发光发光中心
- 基于Web服务的异步操作研究
- 2007年
- 本文首先对Web服务的涵义进行了阐述,在分析了Web服务标准及规范之后,提出了基于Web服务的四种异步操作类型。
- 严勇健
- 关键词：WEB服务异步操作
- 硅多孔层分离后稳定的可见蓝紫光发射特性
- 2003年
- 多孔硅具有很强的室温发光,介绍了多孔硅在分离多孔层后的发光情况.用传统的电化学法腐蚀样品,待多孔层分离后,通过SEM(表面电子显微镜)和PL(光致发光谱)观察多孔层分离后表面的形貌和光致发光特性,观察到样品有很强的蓝紫发光峰,在高温氧气气氛下退火后,发光强度增加,峰位不变.在大气中保存三个月后,发光峰又有所加强,证明样品具有很好的发光特性;FTIR(红外吸收谱)表明多孔层分离后样品表面主要由Si—O、Si—H键组成;利用量子限域—发光中心模型解释了发光机制,认为蓝紫光来自表面SiOx线中的发光中心.
- 严勇健吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：多孔硅表面形貌光致发光发光强度发光机制
- 浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性被引量：1
- 2004年
- 用电化学腐蚀方法制备了多孔硅样品,在浸泡液中浸泡使其表层多孔层与样品分离,在样品表面形成了丰富的SiO_2包裹纳米硅颗粒结构,研究了样品的光致发光(PL)特性。结果表明,与剥离前相比,表层多孔层剥离后PL谱的强度约有10倍的增幅,峰位主要在蓝紫光范围内。在300℃干氧中退火后,样品的发光强度下降为退火前的三分之一,随着退火温度的升高,发光强度有所增强。退火前后有不同的发光机理,退火前光激发主要在纳米硅内,然后在二氧化硅层中的发光中心辐射复合;退火后光激发和光辐射都发生在二氧化硅层中。
- 严勇健吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：无机非金属材料光致发光发光中心
- 南通市福彩网上办公系统关键技术的设计与实现
- 随着福彩事业的高速发展，开发环境和功能都不同的多种福彩管理系统在行业内同时并存，数据的统一集中管理非常困难;同时传统的以手工方式为主的工作和管理模式在福彩系统内部还广泛存在。在这种情况下，充分利用现有各种福彩管理系统丰富...
- 严勇健
- 关键词：网上办公系统
- 文献传递
