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兰林锋: 作品数：120 被引量：57H指数：5; 供职机构：华南理工大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

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氧化物薄膜的制备方法及其薄膜晶体管: 一种氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管。氧化物薄膜的制备方法是先将氧化物纳米粉末用分散剂分散在溶剂中形成悬浮液，然后将悬浮液在衬底上成膜，再将所成的膜经退火处理去除分散剂后得到所需要的氧化物薄膜；氧化物纳米粉末含有铟、锌、...; 兰林锋高沛雄王磊彭俊彪; 文献传递

一种自对准底栅薄膜晶体管及其制备方法: 一种自对准底栅薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：依次在衬底上沉积导电薄膜、绝缘体薄膜和图案化的疏水聚合物薄膜；采用湿法刻蚀工艺，保留疏水聚合物薄膜覆盖下的绝缘体薄膜和导电薄膜；再在疏水聚合物两侧沉积绝缘体薄膜...; 兰林锋李育智彭俊彪; 文献传递

一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法: 本发明公开一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层；所述的有源层是以非晶氧化物SiSnO薄膜作为有源层。本发明基于背沟道刻蚀型薄膜...; 宁洪龙刘贤哲陈建秋蔡炜兰林锋姚日晖王磊徐苗邹建华陶洪彭俊彪; 文献传递

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，金属氧化物薄膜晶体管由栅极、绝缘层、过渡层、半导体层、漏极以及源极构成；从下到上由栅极、绝缘层、过渡层和半导体层依次连接；漏极和源极位于半导体层上；过渡层和半导体层通过溅...; 彭俊彪兰林锋徐苗徐瑞霞王磊许伟; 文献传递

一种掺钽氧化物半导体材料及其制备方法和应用: 本发明公开了一种掺钽氧化物半导体材料，由氧化锌基材料和钽组成。该半导体材料由Ta2O5、Al2O3、In2O<...; 兰林锋彭俊彪王磊; 文献传递

复合导电薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管: 一种复合导电薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管，复合导电薄膜由导电氧化物薄膜和纳米导电材料层堆叠构成，导电氧化物薄膜位于纳米导电材料层之下；复合导电薄膜的制备工艺如下：步骤S1，在基底上用喷墨打印方式打印导电氧化物墨水，并进...; 彭俊彪林奕龙吴永波兰林锋; 文献传递

一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，设置有栅极、氧化物半导体层、位于栅极和氧化物半导体层之间的绝缘层、分别电性连接于氧化物半导体层两端的源极和漏极、覆设于源极、漏极及氧化物半导体层的裸露面的保护层，保护层的材料...; 兰林锋彭俊彪王磊肖鹏; 文献传递

印刷透明碳纳米管光电薄膜及其在光电器件中的应用: 本发明属于光电材料与器件领域，具体公开了一种印刷透明碳纳米管光电薄膜及其在光电器件中的应用。本发明印刷透明碳纳米管光电薄膜中的碳纳米管采用的是尿素或臭氧处理，可以显著提升碳纳米管的光电响应特性；与常规的酸处理和加入表面活...; 宁洪龙朱峰陶瑞强胡诗犇姚日晖兰林锋王磊徐苗邹建华陶洪彭俊彪吴为敬; 文献传递

金属氧化物TFT驱动AMOLED显示研究进展被引量：6: 2013年; 金属氧化物薄膜晶体管（metal oxide thin film transistor，MOTFT）由于具有迁移率高、均匀性好、工艺简单、工艺温度低、成本低等优势，非常适合高分辨率、大尺寸液晶显示（LCD）和有源矩阵有机发光二极管显示（AMOLED）等新型显示技术发展的需要，因此受到业界和学界的广泛关注．结合本课题组的工作，本文阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用，并对影响MOTFT性能的因素进行了讨论．本课题组开发的新型MOTFT迁移率可达35cm^2／（Vs），阈值电压为1．63V，开关比为10^9，亚阈值摆幅为0．21Wdecade．基于自主开发的MOTFT背板，在国内率先实现了3—5英寸彩色AMOLED显示屏、透明AMOLED显示屏以及柔性AMOLED显示屏，展示了MOTFT背板良好的应用前景．; 王磊王磊兰林锋徐苗陶洪兰林锋李民邹建华彭俊彪; 关键词：金属氧化物氧化物半导体主动矩阵柔性显示屏

一种可拉伸可印刷氧化物晶体管: 一种可拉伸可印刷氧化物晶体管，设置有褶皱衬底、氧化物半导体层、栅极、源极、漏极和离子胶层；所述褶皱衬底的褶皱方向随机分布并能在各方向上拉伸，且在各方向上的最大拉伸量相同；所述栅极、所述源极和所述漏极由同一层导电薄膜同时制...; 兰林锋杨帅黄博彭俊彪