刘春霞
- 作品数：8 被引量：48H指数：4
- 供职机构：西安工业学院材料与化工学院更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金陕西省教育厅自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 变形单晶铝线材的组织和性能研究
- 2002年
- 研究了不同程度冷拔变形 (2 9% ,5 1% ,6 4% )的单晶铝线材的拉伸性能 ,并通过扫描电镜对拉伸断口进行了分析 .结果表明 :与原始线材相比 ,变形量为 2 9%的试样抗拉强度提高了 6 7.4 % ,屈服强度提高了 2 0 3.3% ,屈强比也提高了 81% ,但延伸率降低了 70 .7% ,其应力 应变曲线与原始单晶线材的应力 应变曲线明显不同 ;对于经冷拔变形的试样 ,总的趋势是随着变形量的增大 ,抗拉强度、屈服强度增大 。
- 刘春霞严文范新会王鑫
- 关键词：铝线材力学性能断口形貌
- 外加电场对硫化镉晶须生长的影响研究被引量：6
- 2004年
- 在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须 ,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪 ,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响。结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制 ;无论外加电场存在与否 ,沉积温度越高 ,硫化镉晶须越粗越长 ,但是沉积温度对硫化镉晶须的形状没有影响 ;在有电场和无电场条件下的硫化镉晶须的形貌有很大差异 ,外加电场大大促进了硫化镉晶须沿一维方向上的生长 ,这可以由带电团簇模型来解释。
- 于灵敏范新会刘春霞严文刘建刚
- 关键词：硫化镉电场晶须生长半导体发光材料
- 用热蒸发法制备CdS纳米带被引量：15
- 2005年
- 在外加电场的作用下 ,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带。借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪 (EDX)和透射电镜 (TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析。结果表明 :当外加电场为 4 0 0V ,蒸发温度为 1 1 5 0℃ ,环境压力为 1 5 0torr,气体流量为 5 0SCCM时 ,可制备出平均宽度为 2 5 μm ,厚80nm ,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带。
- 刘春霞严文范新会刘建刚
- 关键词：外加电场
- 热蒸发锌粉法制备半导体氧化锌纳米线的研究被引量：23
- 2005年
- 采用热蒸发锌 (Zn)粉的方法 ,制备出高产量的由半导体氧化锌纳米线组成的蒲公英花状和四角锥状纳米结构。利用SEM、TEM和X射线衍射对产物的形貌及结构进行了分析。结果表明 ,所生成的是具有六方结构的单晶ZnO纳米线。纳米线长约 5 1 0 μm ,根部直径较粗 ,约 1 1 0 1 2 0nm ;梢部较细 ,约 2 5 30nm ,其生长机制为气 -固 (VS)机制。
- 刘建刚范新会严文于灵敏刘春霞
- 关键词：热蒸发法氧化锌纳米线
- 外加电场对硅纳米线生长影响的研究被引量：2
- 2004年
- 主要介绍用物理热蒸发法制备硅纳米线阵列，借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)观察硅纳米线的形貌，分析其化学成分及晶体结构，研究非晶硅纳米线在外加电场下的生长过程，讨论外加电场对非晶硅纳米线定向排列生长的影响以及铜粉在其中起的作用。
- 于灵敏范新会刘建刚刘春霞严文
- 关键词：硅纳米线外加电场扫描电子显微镜透射电子显微镜纳米线阵列热蒸发法
- 外加电场制备定向排列的硅纳米线
- 在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线，并且定向排列的硅纳米线以两种形式存在，一种是分散的平行排列，另外一种是象麻花状的定向排列。借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜等分析手段，研...
- 于灵敏范新会刘建刚刘春霞严文
- 关键词：硅纳米线外加电场
- 文献传递
- 阳极氧化工艺对氧化铝模板孔径的影响被引量：4
- 2005年
- 为了能制备出有序的纳米线阵列,采用一次阳极氧化的方法,制备出了孔径在12.8～43.5nm之间的多孔有序的氧化铝模板.通过改变氧化液浓度、氧化电压、氧化温度等条件,可对氧化铝模板的孔径大小进行控制,对各阳极氧化工艺因数对模板孔径的影响机理也进行了分析讨论.结果表明,在较低的氧化液浓度,氧化电压和氧化温度条件下,氧化铝膜的孔径较小;而在高的氧化液浓度,氧化电压和氧化温度条件下,氧化铝膜的孔径较大.
- 刘建刚范新会严文于灵敏刘春霞王鑫
- 关键词：阳极氧化氧化铝模板
- 环境压力对硅纳米线及硅微米晶须生长的影响被引量：1
- 2004年
- 用物理热蒸发法在不同环境压力下制备硅纳米线和硅微米晶须.借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析和透射电子显微镜对不同环境压力下的硅纳米线及硅微米晶须的形貌、化学成分和晶体结构进行分析.研究了环境压力对硅纳米线和硅微米晶须生长的影响.结果表明:平行排列的硅纳米线和硅微米晶须生长的环境压力为13.3kPa;环境压力不但对硅纳米线和硅微米晶须直径产生影响,而且对其生长方向性有一定影响;硅微米晶须杆部出现等距离分布单晶硅颗粒,这是在高温退火过程中发生的球化作用所致.
- 于灵敏范新会刘春霞严文
- 关键词：环境压力硅纳米线方向性热蒸发法晶体生长
