刘晓阳
- 作品数：8 被引量：53H指数：5
- 供职机构：国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺化学工程电子电信更多>>
- C/SiC复合材料与CVDSiC涂层的结合性能研究被引量：4
- 2004年
- 采用先驱体转化法(PIP方法)制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过调整多孔预制件的体积密度制备出不同组分比的C/SiC复合材料。结果显示,C/SiC复合材料的热膨胀系数随着复合材料中SiC含量的增加而增加,其与CVDSiC涂层之间的热匹配也相应增加,通过CVI方法制备梯度过渡层,在C/SiC复合材料表面制备出致密度较高的CVDSiC涂层。
- 张玉娣张长瑞刘荣军刘晓阳
- 关键词：C/SIC复合材料SIC涂层先驱体转化法化学气相沉积法
- 低温化学气相沉积SiC涂层沉积机理及微观结构被引量：7
- 2004年
- 由MTS H2 体系在 10 0 0～ 130 0℃沉积了SiC涂层 ,研究了SiC涂层沉积速率和温度之间的关系 ,MTS H2 体系沉积反应的平均活化能为 114kJ mol,用理论模型证明了低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程。SiC涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化 :沉积温度T <115 0℃时 ,CVDSiC涂层表面致密、光滑 ;T≥ 115 0℃时 ,CVDSiC涂层表面变得疏松、粗糙。随着沉积温度的升高 ,CVDSiC涂层的结晶由不完整趋向于完整 ;当沉积温度T≥ 115 0℃ ,CVDSiC涂层的XRD谱图中除了 β SiC占主体外还出现了少量α SiC。
- 刘荣军张长瑞周新贵刘晓阳曹英斌
- 关键词：SIC陶瓷微观结构力学性能导热系数
- 材质气孔率和气孔大小与表面粗糙度的数学模拟与特征
- 2004年
- 为提高光学系统的成像质量,研究了光学系统中镜片表面粗糙度与镜片材质中的颗粒大小、缺陷、气孔率、气孔大小的关系。通过几何方法,建立了气孔率与气孔大小和数量的关系模型,分别给出了单位体积和单位面积中气孔率与气孔大小和数量的关系表达式。最后用数学方法建立了材质中气孔率、气孔大小与表面粗糙度的定量模型,给出了表面粗糙度与材质气孔率和气孔大小的关系表达式,表明表面粗糙度近似与材质中的气孔率成正比,与气孔大小成正比。
- 张长瑞刘荣军刘晓阳周新贵曹英斌
- 关键词：光学材料气孔率粗糙度
- CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响被引量：13
- 2004年
- 以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。
- 刘荣军张长瑞刘晓阳周新贵曹英斌
- 关键词：化学气相沉积SIC涂层沉积速率碳化硅
- CVD SiC涂层的致密化工艺研究被引量：5
- 2002年
- 研究了复合材料表面 CVD Si C涂层的制备工艺 ,并对涂层的表面致密化性能进行分析。在不同的工艺条件下制备 Si C涂层 ,探讨了温度、载气流速、时间等因素对涂层的影响。利用扫描电镜和 X-射线衍射仪 ,对涂层晶型进行分析 ,讨论不同条件下 Si C的结晶形态 ,从而得出制备致密涂层的较好工艺。
- 刘晓阳张长瑞周新贵
- 关键词：CVD复合材料碳化硅涂层
- 稀释气体对化学气相沉积SiC涂层生长行为的影响被引量：9
- 2004年
- 以CH_3SiCl_3-H_2为反应气体，采用Ar和H_2作为稀释气体，在1100℃、负压条件下，由化学气相沉积制备了SiC涂层，研究了稀释气体对涂层沉积速率、形貌以及晶体结构的影响。以Ar为稀释气体时，随着稀释气体流量的增加沉积速率迅速减小；用Ar作稀释气体制备的SiC涂层相对粗糙，随着Ar流量的增加，晶粒簇之间的空隙较大，涂层变得疏松。XRD分析表明：当稀释气体Ar流量超过200 ml／min时，涂层中除了β-SiC外，还逐渐出现了少量的α-SiC。以H_2为稀释气体时，当H_2流量增加到400 ml／min时，涂层的沉积速率迅速增大；以H_2为稀释气体制备的SiC涂层致密、光滑，沉积的SiC涂层全部是β-SiC，且具有非常强的(111)晶面取向，涂层中无α-SiC出现。
- 刘荣军张长瑞周新贵曹英斌刘晓阳
- 关键词：化学气相沉积SIC涂层
- CVD SiC致密表面涂层制备及表征被引量：15
- 2005年
- 考察了沉积温度、稀释气体流量对化学气相沉积(CVD)SiC涂层的显微结构及晶体结构的影响,分析得出:沉积温度为1100℃,稀释气体Ar流量<400mL/min时,制备的SiC涂层晶体结构完整、致密。在该制备工艺条件下沉积的SiC涂层密度为3.204g/cm3,显微硬度为HV4459.2,弹性模量为471GPa,涂层具有优异的光学加工性能,光学加工后表面粗糙度为0.429nm,能满足光学应用的要求。
- 刘荣军张长瑞周新贵曹英斌刘晓阳
- 关键词：化学气相沉积SIC涂层性能表征
- 低温化学气相沉积SiC涂层显微结构及晶体结构研究被引量：9
- 2003年
- 在CH_3SiCl_3-H_2体系中,采用化学气相沉积法(CVD)在1000～1300℃制备了SiC涂层。研究了SiC涂层的沉积速率和温度之间的关系,发现低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程,反应的表观活化能为85～156 kJ/mol。SiC涂层的外观颜色及涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化:当沉积温度<1150℃时,SiC涂层的外观颜色为银白色,涂层表面致密、光滑;当温度≥1150℃时,SiC涂层外观颜色逐渐变暗,涂层表面变得疏松、粗糙。利用XRD分析了不同沉积温度下SiC涂层的晶体结构,随着温度的升高,SiC涂层的结晶由不完整趋向于完整;当沉积温度≥1150℃,SiC涂层的XRD谱图中除了β-SiC外还出现了少量α-SiC。
- 刘荣军张长瑞周新贵曹英斌刘晓阳张彬
- 关键词：碳化硅涂层沉积温度显微结构晶体结构
