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刘海琪

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 8篇刻蚀
  • 4篇碳化硅
  • 4篇干法刻蚀
  • 3篇晶体管
  • 2篇等离子体
  • 2篇电路
  • 2篇亚微米
  • 2篇栅介质
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇碳化
  • 2篇微波电路
  • 2篇微米
  • 2篇线宽
  • 2篇磷化铟
  • 2篇介质膜
  • 2篇金属
  • 2篇静电感应晶体...
  • 2篇刻线
  • 2篇硅外延
  • 2篇反应气体

机构

  • 9篇中国电子科技...

作者

  • 9篇刘海琪
  • 4篇柏松
  • 4篇陈刚
  • 3篇任春江
  • 3篇陈堂胜
  • 2篇陈征
  • 2篇李理
  • 2篇程伟
  • 2篇王泉慧
  • 2篇王元
  • 2篇赵岩
  • 2篇牛斌
  • 1篇余旭明

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种双凹槽场板结构氮化物高电子迁移率晶体管制造方法
本发明公开了一种双凹槽场板结构氮化物高电子迁移率晶体管制造方法，通过光刻定义第一次凹槽的位置，刻蚀介质层、去除光刻胶、以第一层介质层为掩膜刻蚀势垒层后获得第一次凹槽，第二次凹槽通过淀积第二层介质层、大面积刻蚀去除第二层介...
任春江陈堂胜刘海琪余旭明
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一种碳化硅静电感应晶体管减小栅长的方法
本发明是一种碳化硅静电感应晶体管减小栅长的方法，它是在制作碳化硅静电感应晶体管时，在碳化硅台面形成后，进行介质生长工艺，然后采用自对准干法刻蚀介质工艺，在干法垂直刻蚀后，利用侧壁残留介质有效保护台面侧壁，避免其被注入，从...
陈刚刘海琪柏松
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一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法
本发明是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法。其工艺包括：一、在碳化硅外延层上形成一层介质膜；二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；四、过刻蚀介质膜到碳...
陈刚李理刘海琪柏松
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一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法
本发明是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法。其工艺包括：一、在碳化硅外延层上形成一层介质膜；二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；四、过刻蚀介质膜到碳...
陈刚李理刘海琪柏松
一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法
本发明是一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法，包括以下步骤：1）在磷化铟（InP）衬底上光刻一次布线图形，通过蒸发金属并进行剥离，实现一次布线金属图形化；2）旋涂BCB（Benzocyclobutene），并在...
王元程伟赵岩牛斌刘海琪陈征
一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法
本发明是一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法，包括：1）介质层上涂覆光刻胶层，介质层的厚度在150nm-250nm；2）通过曝光显影在光刻胶层上形成A栅脚图形，A栅脚图形的线宽在50nm-250nm；3）采...
刘海琪王泉慧任春江陈堂胜
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一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法
本发明是一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法，包括以下步骤：1）在磷化铟（InP）衬底上光刻一次布线图形，通过蒸发金属并进行剥离，实现一次布线金属图形化；2）旋涂BCB（Benzocyclobutene），并在...
王元程伟赵岩牛斌刘海琪陈征
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一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法
本发明是一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法，包括：1）介质层上涂覆光刻胶层，介质层的厚度在150nm-250nm；2）通过曝光显影在光刻胶层上形成A栅脚图形，A栅脚图形的线宽在50nm-250nm；3）采...
刘海琪王泉慧任春江陈堂胜
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一种碳化硅静电感应晶体管减小栅长的方法
本发明是一种碳化硅静电感应晶体管减小栅长的方法，它是在制作碳化硅静电感应晶体管时，在碳化硅台面形成后，进行介质生长工艺，然后采用自对准干法刻蚀介质工艺，在干法垂直刻蚀后，利用侧壁残留介质有效保护台面侧壁，避免其被注入，从...
陈刚刘海琪柏松
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