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华慧

作品数：14 被引量：15H指数：2
供职机构：西北工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇碲锌镉
  • 5篇晶片
  • 4篇晶体
  • 4篇晶体生长
  • 3篇电阻率
  • 3篇碲锌镉晶体
  • 3篇红外透过率
  • 3篇半导体
  • 3篇CDZNTE...
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶生长
  • 2篇电阻率变化
  • 2篇氧乙烯
  • 2篇椰子油酸二乙...
  • 2篇枝晶
  • 2篇枝晶间距
  • 2篇脂肪醇
  • 2篇脂肪醇聚氧乙...
  • 2篇脂肪醇聚氧乙...
  • 2篇脂肪醇聚氧乙...

机构

  • 14篇西北工业大学

作者

  • 14篇介万奇
  • 14篇华慧
  • 6篇王涛
  • 5篇李国强
  • 4篇徐亚东
  • 4篇刘伟华
  • 3篇郝启堂
  • 3篇陈忠伟
  • 3篇何志
  • 2篇马淑英
  • 2篇谷智
  • 2篇杨光昱
  • 2篇孙晓燕

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇红外技术
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2004
  • 3篇2003
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制备大体积碲锌镉单晶的方法
本发明公开了一种制备大体积碲锌镉单晶的方法，步骤如下：选择高熔点CZT单晶制作极性籽晶<111>或<211>；给石英安瓿内壁镀碳膜，将所述籽晶放入安瓿底部的籽晶袋中，籽晶的引晶生长面朝上，再放入低...
介万奇徐亚东王涛华慧刘伟华
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生长碲锰汞晶体的方法
本发明公开了一种生长碲锰汞晶体的方法，该方法首先根据公式(1)、(2)和具体晶体生长工艺参数和给定晶体生长速度u，计算抽拉速度V与固相长度z的关系，绘出V～z/L关系图；根据V～z/L关系图确定初始抽拉速度、稳定抽拉速度...
介万奇谷智李国强华慧
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生长碲锰汞晶体的方法
本发明公开了一种生长碲锰汞晶体的方法，该方法首先根据公式(1)、(2)和具体晶体生长工艺参数和给定晶体生长速度u，计算抽拉速度V与固相长度z的关系，绘出V～z/L关系图；根据V～z/L关系图确定初始抽拉速度、稳定抽拉速度...
介万奇谷智李国强华慧
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制备大体积碲锌镉单晶的方法
本发明公开了一种制备大体积碲锌镉单晶的方法，其特点是包括下述步骤：选择高熔点CZT单晶制作籽晶；给石英安瓿内壁镀碳膜，将籽晶放入安瓿底部的籽晶袋中，籽晶的引晶生长面朝上，再放入低熔点CZT多晶料，对石英安瓿抽真空并焊封；...
介万奇徐亚东王涛华慧刘伟华
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铝合金薄壁件金属型铸造用焓变涂料及其涂敷方法
本发明公开了一种铝合金薄壁件金属型铸造用焓变涂料及其涂敷方法。焓变涂料主要由三氧化二铁与镁粉组成，其焓变放热是通过金属浇注过程中加热涂料使三氧化二铁与镁粉发生反应放热而产生。该焓变涂料的涂敷方法为：第一层先涂敷一层氧化锌...
介万奇何志陈忠伟郝启堂华慧
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高电阻率碲锌镉晶体的制备方法
本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd<Sub>0.9</Sub>Zn<Sub>0.1</Sub>Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为...
介万奇王涛徐亚东刘伟华华慧孙晓燕
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铝合金薄壁件金属型铸造用焓变涂料
本发明公开了一种铝合金薄壁件金属型铸造用焓变涂料，其特征在于：含有FeCl<Sub>3</Sub>、镁粉、氧化锌和水玻璃；第一层涂料成分的质量百分比为：氧化锌∶水玻璃∶水＝14∶4∶82；第二层涂料为FeCl<Sub>3...
介万奇何志陈忠伟郝启堂华慧
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抛光液以及抛光Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶片的方法
本发明公开了一种抛光液，其组成为：脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠0.1～0.75g/L、十二烷基苯磺酸钠0.04～0.4g/L、椰子油酸二乙醇酰胺0.02～0.15g/L、溴的体积分数1～2%、其余为无水乙醇。还公开了上述抛光液...
马淑英介万奇华慧王涛杨光昱
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抛光液以及抛光Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶片的方法
本发明公开了一种抛光液，其组成为：脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠0.1～0.75g/L、十二烷基苯磺酸钠0.04～0.4g/L、椰子油酸二乙醇酰胺0.02～0.15g/L、溴的体积分数1～2％、其余为无水乙醇。还公开了上述抛光液...
马淑英介万奇华慧王涛杨光昱
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CdZnTe晶片的性能测试被引量：2
2003年
测试了多个Cd0 .9Zn0 .1Te晶片的性能 ,包括红外透过率、成分分布、位错密度、Te沉淀 /夹杂密度以及电阻率。研究表明 ,红外透过率与性能有着密切的联系 :红外透过率的大小及红外透过率图谱的形状可反映晶片的成分分布、位错密度以及电阻率的情况。从晶片对红外光的吸收机理出发 ,对这些联系进行了详细的分析。
李国强华慧介万奇
关键词：CDZNTE晶片红外透过率位错密度电阻率
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共2页<12>
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