吴贵能
- 作品数：19 被引量：40H指数：4
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市高等教育教学改革研究项目国家自然科学基金重庆市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学自动化与计算机技术更多>>
- 通用二阶曲率补偿带隙基准电压源被引量：7
- 2010年
- 详细分析了基本低压带隙基准电压源电路实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在-50℃～+120℃温度范围内,通过选择合适的电阻比例及MOSFET的沟道调制效应系数λ,获得了任意输出电压值的二阶曲率补偿基准电压源,且具有较低的温度系数。
- 吴贵能周玮李儒章董少青
- 关键词：模拟集成电路带隙基准电压源曲率补偿CMOS
- 一种高电源抑制比CMOS运算放大器被引量：4
- 2009年
- 解释了基本两级CMOS运算放大器电源抑制比(PSRR)低的原因;提出了只通过改变偏置结构来提高CMOS运算放大器PSRR的方法。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,结果显示:通过改变偏置结构,运算放大器的PSRR在一个很宽的频率范围内比传统运算放大器可提高20dB以上。
- 周玮吴贵能李儒章
- 关键词：CMOS运算放大器电源抑制比
- SDA7247电压输出型D/A转换器的设计与分析
- 随着计算机技术、通信技术和微电子等技术的高速发展，信息技术已渗透到军事、民用领域的各个角落。在系统先进的电子设备或电子系统中，高速高分辩A/D和D/A转换器已成为决定诸如雷达、声纳、高分辨视频和图像显示、军事和医疗成像、...
- 吴贵能
- 关键词：D/A转换器带隙基准电压源电路结构设计
- 摩托车点火器用脉冲分离电路
- 本发明公开了一种摩托车点火器用脉冲分离电路，涉及摩托车点火电路。它主要由一个正向脉冲处理电路、一个负向脉冲处理电路、两个脉冲比较放大器、两个施密特触发器及一个泄放通路组成。本发明电路将脉冲分离电路和摩托车自动进角控制电路...
- 唐政维周忠强吴贵能张跃龙杨小优
- NBT基陶瓷中相变致电子发射的研究(英文)被引量：2
- 2007年
- 在无铅铁电阴极钛酸铋钠(NBT)中获得了20 A/cm2的电流发射密度。在施加激励电压过程中,观察到了和其他阴极材料不同的3个发射电流峰。通过考虑相变因数对电流发射的影响,修正了基于极化反转致电子发射模型的电流发射公式,由此定量解释了在NBT基陶瓷中观察到的不同电流发射现象,揭示了电流发射不仅仅由已有文献中提出的快极化反转产生,也可以由极化的变化(比如相变)产生。为进一步验证该结论和弄清不同种类铁电阴极电子发射的机理,进行了NBT与锆钛酸铅(PZT)的电子发射比较实验。在电子发射前后观察到NBT的压电常数和介电常数没有变化,而在PZT中有变化,由此得出PZT的电子发射机制主要基于极化反转,而NBT的电子发射机制主要基于相变。相变致电子发射机理的提出和实验验证,为新型抗疲劳铁电阴极的研制指明了一个切实可行的方向。
- 蔡雪梅吴贵能王宝英陈世杰郭曙光张树人
- LED通用驱动电路
- 一种LED通用驱动电路，采用TopSwitch、TinySwitch或LinkSwitch系列开关电源控制芯片，在控制芯片的MOS管源极S端加接限流电阻。进一步特征，所述限流电阻为线性可调电阻。本实用新型的LED驱动电路...
- 吴贵能杨虹蔡雪梅夏于波
- 文献传递
- 一种基于跨导电流比-反型系数-过驱动电压的设计方法被引量：3
- 2008年
- 提出了一种基于MOSFET反型系数(Inversion Coefficient)且适合于MOSFET工作在任何反型区的模拟集成电路的设计方法。对于一定工艺的深亚微米模拟集成电路,结合查表法进行的手工估算值与仿真值的误差可控制在±10%左右。该方法尤其适用于低压、低功耗设计。
- 吴贵能周玮李儒章
- 关键词：MOSFET模拟集成电路
- 摩托车点火器用脉冲分离电路
- 本发明公开了一种摩托车点火器用脉冲分离电路，涉及摩托车点火电路。它主要由一个正向脉冲处理电路、一个负向脉冲处理电路、两个脉冲比较放大器、两个施密特触发器及一个泄放通路组成。本发明电路将脉冲分离电路和摩托车自动进角控制电路...
- 唐政维周忠强吴贵能张跃龙杨小优
- 文献传递
- 一种抗干扰能力极强的计算机通信接口电路被引量：1
- 2004年
- 设计了一种结构简单,抗干扰能力极强的计算机通信接口电路。该电路利用模拟开关实现了全数字二态电平(1,0)与三态电平(1,0,-1)之间的相互转换;利用模拟开关导通电阻的动态效应以及MOS晶体管开启电压VT的衬偏效应,提高了接收电路的抗干扰能力,提出了一种与共模干扰无关的模拟数字混合接收电路。
- 吴贵能舒辉然
- 关键词：抗干扰计算机通信接口电路发送电路
- 单密勒电容补偿多级放大器的设计(英文)被引量：1
- 2009年
- 提出了一种结构简单的全新单密勒电容补偿技术。理论分析表明,该技术无需运放的跨导逐级增加就能获得良好的稳定特性,而且单位增益带宽大、补偿电容小。特别是每增加一级放大电路,就会增加一个左半平面零点,从而有效抵消新增加极点对运放稳定性的影响,因此该补偿技术很容易拓展到N(N>3)级联放大结构,这一特性有利于运放在实际中的运用。
- 周玮吴贵能李儒章
