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尹志军

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇标准

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇晶格
  • 4篇超晶格
  • 4篇衬底
  • 3篇半导体材料
  • 2篇单晶
  • 2篇导体
  • 2篇应变弛豫
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅衬底
  • 2篇碳化钽
  • 2篇热管理
  • 2篇热性能
  • 2篇微桥结构
  • 2篇晶格结构
  • 2篇拉曼
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇化合物半导体...
  • 2篇基极
  • 2篇机械泵

机构

  • 11篇中国电子科技...

作者

  • 11篇尹志军
  • 6篇李忠辉
  • 5篇高汉超
  • 4篇朱志明
  • 3篇陈堂胜
  • 3篇李赟
  • 3篇郭怀新
  • 2篇赵志飞
  • 2篇程伟
  • 2篇陆东赛
  • 1篇张东国
  • 1篇吴维丽
  • 1篇王伟

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法
本发明公开了一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法，包括：待测薄膜样品的微桥结构设计及制备；薄膜材料的拉曼谱峰随温度偏移系数标定；薄膜微桥待测区温度分布计算；利用仿真拟合分析提取薄膜的热导率。本发明解决了特定...
郭怀新李忠辉尹志军陈堂胜
文献传递
一种用于GaN功率器件瞬态拉曼结温测试系统、测试方法及应用
本发明公开了一种应用于GaN功率器件的瞬态拉曼测试方法，引入声光调整器实现拉曼的脉冲光技术，进行拉曼激光光源调制，实现器件脉冲载荷与拉曼测试信号的同步触发，满足对GaN器件瞬态的测试分析。并且通过分析瞬态下脉冲信号强度与...
王瑞泽郭怀新戴家赟尹志军李忠辉陈堂胜
一种提高磷化铟异质结晶体管频率性能的基区结构
本发明公开了一种提高磷化铟异质结晶体管频率性能的基区结构，所述基区位于集电区和发射区之间，采用P型掺杂的InGaAs外延层或P型掺杂的InGaAsSb外延层，且在由集电区向发射区的外延过程中，P型掺杂的浓度由低到高渐变，...
马奔于海龙王伟沈逸凡尹志军
基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法
本发明公开了一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法，包括：待测薄膜样品的微桥结构设计及制备；薄膜材料的拉曼谱峰随温度偏移系数标定；薄膜微桥待测区温度分布计算；利用仿真拟合分析提取薄膜的热导率。本发明解决了特定...
郭怀新李忠辉尹志军陈堂胜
文献传递
一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法
本发明是一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法，包括如下工艺步骤：一、选取硅面碳化硅衬底置于有碳化钽涂层的石墨基座上；二、系统升温；三、降低反应室温度至1200℃以下；四、提高氩气流量；五、系统升温；六、降低氩气流...
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构
本发明是单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，单晶InP衬底上生长InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，在半绝缘单晶InP衬底生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长重n型掺杂InP次集电极层；在重n型掺杂InP次...
高汉超尹志军程伟李忠辉朱志明
GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管材料及方法
本发明是GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管半导体材料的外延结构及方法，其结构是半绝缘GaAs衬底上是GaAs缓冲层（2）；缓冲层上是第一势垒层（3）；第一势垒层上是第一平面掺杂层（4）；第一平面掺杂层上是第一隔离层（...
高汉超尹志军
文献传递
一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法
本发明是一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法，包括如下工艺步骤：一、选取硅面碳化硅衬底置于有碳化钽涂层的石墨基座上；二、系统升温；三、降低反应室温度至1200℃以下；四、提高氩气流量；五、系统升温；六、降低氩气流...
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
文献传递
单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构
本发明是单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，单晶InP衬底上生长InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，在半绝缘单晶InP衬底生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长重n型掺杂InP次集电极层；在重n型掺杂InP次...
高汉超尹志军程伟李忠辉朱志明
文献传递
微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范
本规范规定了微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片(以下简称砷化镓外延片)的技术要求、质量保证规定、交货准备等内容。本规范适用于砷化镓微波功率器件和砷化镓微波单片集成电路(MMIC)用砷化镓外延片，其他砷化镓外延片可参照使...
高汉超吴维丽张东国李赟李忠辉尹志军王翼
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