徐伟中
- 作品数：24 被引量：90H指数：5
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- 相关领域：电子电信理学经济管理更多>>
- 中国质量认证中心知识管理战略研究
- 徐伟中
- 关键词：知识管理质量认证中心
- SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征被引量：4
- 2005年
- 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。
- 曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠徐伟中赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜SIO2/SI脉冲激光沉积光致发光
- ZnO薄膜p型掺杂的研究进展被引量：40
- 2003年
- ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.
- 叶志镇张银珠徐伟中吕建国
- 关键词：ZNO薄膜P型掺杂氧化锌半导体
- 生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响被引量：1
- 2007年
- 研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
- 卢洋藩叶志镇曾昱嘉徐伟中朱丽萍赵炳辉
- 关键词：ZNOP型掺杂金属有机化学气相沉积射频等离子体
- MOCVD法制备ZnO同质发光二极管被引量：16
- 2005年
- 在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
- 叶志镇徐伟中曾昱嘉江柳赵炳辉朱丽萍吕建国黄靖云汪雷李先杭
- 关键词：ZNOLEDP型掺杂金属有机化学气相沉积
- 一种实时掺氮生长p型氧化锌晶体薄膜的方法
- 本发明公开的实时掺氮生长p型氧化锌晶体薄膜的方法，是在金属有机化学汽相沉积过程中利用活化裂化高纯氮源气体产生氮原子进行实时掺氮的。步骤如下：先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少10<S...
- 叶志镇徐伟中赵炳辉朱丽萍黄靖云
- 文献传递
- 非故意掺杂ZnO薄膜中受主行为的研究
- 本文采用等离子体辅助金属有机物化学气相沉积法在不同衬底上生长非故意掺杂p型ZnO薄膜.最佳电阻率为12.7 cm,空穴浓度为1.88×1017 cm-3,迁移率达2.6 cm2/V s.二次离子质谱测试表明薄膜中的氧含量...
- 曾昱嘉叶志镇卢洋藩徐伟中朱丽萍赵炳辉
- 关键词：金属有机物化学气相沉积光致发光ZNO薄膜
- 文献传递
- MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜被引量：8
- 2006年
- 利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ω.cm,迁移率为0.838cm2/(V.s).霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰.
- 周新翠叶志镇陈福刚徐伟中缪燕黄靖云吕建国朱丽萍赵炳辉
- 关键词：金属有机化学气相沉积磷掺杂
- 生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置
- 本发明的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长室内，生长室采用水冷结构，具有双层壁，夹层充冷却水冷...
- 叶志镇徐伟中赵炳辉朱丽萍黄靖云
- 文献传递
- MOCVD法生长p型ZnO薄膜
- 本文采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法,首先使用NO混合气体作为氧源和掺氮源,在玻璃上生长了低阻p型ZnO薄膜,其最高的空穴浓度为3.94×10<'18>cm<'-3>,电阻率为1.5Ω·cm;并对薄膜进行了X射...
- 徐伟中叶志镇赵炳辉朱丽萍周婷黄靖云
- 关键词：MOCVD法生长ZNO薄膜
- 文献传递
