公共文化服务平台

徐飞: 作品数：100 被引量：85H指数：5; 供职机构：上海大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金江西省材料科学与工程研究中心基金更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>

合作作者

高浓度掺铒硅发光薄膜的制备: E<'3+>在石英光纤中的成功应用开拓了掺Er光纤放大器和光纤激光器，成为光通讯技术发展中的重大突破;Er<'3+>第一激发态到基态的跃迁发出的光波长为1.54μm，正好对应于标准石英光纤的最小吸收窗口，因此，掺Er硅在...; 肖志松徐飞谢大韬; 关键词：掺铒硅发光薄膜; 文献传递

RE(La、Dy)/Si多层膜的结构研究: 2000年; 利用XRD、TEM、SEM等技术,对热处理前后的La/Si和Dy/Si多层膜样品的结构进行了研究.在未退火时,La/Si多层膜中形成了非晶态LaSi合金,Dy/Si多层膜存在非晶硅和纳米结构的Dy.两类多层膜中均未有稀土硅化物形成;经过400℃热处理后,多层膜中的稀土原子和硅原子的扩散加强,两元素之间的相互作用也随之增强,La/Si多层膜开始析出LaSi2-x相,Dy/Si多层膜中开始析出DySi2-c相.随着热处理温度的升高,La/Si多层膜样品中LaSi2-x硅化物的量逐渐增加,结晶逐渐完整;Dy/Si多层膜中DySi2-x硅化物相量逐渐增加,结晶逐渐完整.; 程国安游琼玉徐飞肖志松叶敦茹; 关键词：多层膜

一种基于溶液的无机卤化物闪烁晶体的生长方法: 本发明公开了一种基于溶液的无机卤化物闪烁晶体的生长方法，属于晶体材料制造技术领域，其步骤：(a).将有机溶剂N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)加入到平底烧瓶中，再加入无机卤化物晶体粉末，放在磁力搅拌机上搅拌，使其完全溶解,直...; 徐闰蔡江王文贞孟华徐飞倪超伟张笑铮周渺水元戎陈婧莎王林军; 文献传递

钙钛矿太阳电池吸收层薄膜材料光致发光的研究: 我们采用一步旋涂法制备出CH3NH3I钙钛矿薄膜吸收层材料[1]。XRD结果表明,我们所制备的钙钛矿薄膜结晶性能良好,具有(220)择优取向(图1)。我们对钙钛矿薄膜进行了光致发光的研究。通过405 nm激光器泵浦钙钛矿...; 徐飞曹汝楠马忠权徐闰陈丹丹吴杨琳; 关键词：钙钛矿光致发光; 文献传递

MEVVA离子源(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光的研究被引量：1: 2000年; 利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO_2/Si薄膜,获得高浓度Er掺杂硅基发光薄膜。RBS分析表明,稀土元素Er离子掺杂到热氧化SiO_2/Si薄膜中的Er原子浓度百分比达到～10at.％,即Er原子体浓度为～10^(21)/cm^3。这是高能离子注入所不能达到的,它为稀土Er离子高掺杂硅基发光薄膜的制备提供了一个新途径。XPS研究发现,热氧化SiO_2膜厚,溅射保留量多;Er以固溶态存在。在77K下,我们获得了近红外区1540 nm处较强的光致发光。氧离子对Er掺杂热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光起了很大作用,发光强度提高了3～5倍。; 徐飞程国安肖志松朱景环王水凤张通和; 关键词：热氧化双注入光致发光

ZnO纳米线的水热法生长被引量：11: 2007年; 本文采用两步湿化学法在玻璃衬底上制备了ZnO纳米线。首先,利用Sol-gel方法在载玻片上制备含有ZnO纳米颗粒的薄膜作为“种子”衬底。然后,利用水热法在“种子”衬底上生长了高度取向的ZnO纳米线。并对“种子”衬底和随后生长的ZnO纳米线进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子形貌图(SEM)和原子力显微镜(AFM)等分析。结果表明“种子”衬底为大范围内纳米颗粒均匀一致的ZnO薄膜。通过水热法制备的ZnO纳米线的直径在50～80nm,平均直径为60nm,长度大约为2μm。该ZnO纳米线除了具有很强的紫外发光(399nm)外,还在蓝光(469nm)和绿光(569nm)波段有较弱的光致发光现象。; 赵文刚马忠权裴广庆杨文继徐飞王德明赵占霞; 关键词：ZNO纳米线 SOL-GEL 水热法 PL谱

MAPbI3晶体的抛光方法: 本发明公开了一种CH3NH3PbI3(MAPbI3)晶体的抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤：准备好待抛光的晶体，对待抛光的晶体表...; 徐闰王文贞杨亦桁戚焕震仝向赖建明徐飞王林军; 文献传递

经济一体化下的知识产权平行进口问题研究: 应当说平行进口问题已不再是知识产权保护中的新问题,但理论界对此多年来一直存在诸多争议.作者通过对现有资料的研究发现,之所以如此,除了平行进口本身的复杂性外,对该问题的研究存在两个误区:其一,平行进口的概念界定不统一.由于...; 徐飞; 关键词：知识产权产品平行进口权利穷竭经济一体化规制原则; 文献传递

界面种子层修饰策略制备高性能CsPbIBr_(2)光电探测器被引量：1: 2023年; 在相对湿度低于90%(<90%RH)的大气环境下,通过界面种子层修饰策略,利用气动喷涂法制备出高结晶度、界面接触良好、结构稳定的CsPbIBr_(2)厚膜。界面种子层的引入对CsPbIBr_(2)厚膜的光学带隙(2.10~2.12 eV)没有太大的影响,但明显增强了其对光的吸收和发射,并且荧光寿命也明显延长(从0.95 ns到4.49 ns)。由此厚膜制备的二极管型光电探测器(p-n CsPbIBr_(2)-ITO)具有非常低的暗电流(5.70×10^(-10)A),并且展示出高效的光电探测性能:高开关比(1.8×10^(4))以及微秒级别的响应时间(上升时间和下降时间分别为9μs、13μs)。当未封装的CsPbIBr_(2)光电探测器处在<90%RH的大气环境下,其表现出强的抗水抗氧能力:储存60 d后,其仍能保持初始开关比的83%。所提方法为在大气环境下制备低成本、高性能、长效稳定的二极管型CsPbIBr_(2)光电探测器提供了一种有效的途径。; 舒鑫鹿颖申张子发康家兴袁翔洪峰徐闰马忠权徐飞; 关键词：探测器大气环境

提高硅纳米墙光电器件背部欧姆接触的超声修饰方法: 2013年; 提供了一种硅纳米墙结构器件的背面电极接触改善方法。通过利用超声的方法修饰金属催化法制备的硅纳米墙结构,并制备了AZO/硅纳米墙异质结光电器件。研究发现超声波可以对金属催化法制备的纳米硅墙进行单面修饰,与未经超声修饰的样品制备的器件相比,超声修饰能够改善硅纳米墙器件的背面电极欧姆接触,2min的超声修饰可以将器件的串联电阻从5.87Ω下降到0.82Ω,填充因子提高86%,光电转换效率提高76.2%,提高了光电器件的载流子收集效率。; 周平华徐飞杜汇伟杨洁石建伟马忠权; 关键词：欧姆接触