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时廷

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：西安交通大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电位分布
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理
  • 1篇亚微米
  • 1篇深亚微米
  • 1篇数字滤波
  • 1篇数字滤波器
  • 1篇数字信号
  • 1篇数字信号处理
  • 1篇微米
  • 1篇滤波器
  • 1篇硅膜
  • 1篇核设计
  • 1篇FIR
  • 1篇FIR数字滤...
  • 1篇串行

机构

  • 2篇西安交通大学

作者

  • 2篇时廷
  • 1篇于忠
  • 1篇程彬杰
  • 1篇邵志标

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
深亚微米FD-SOI器件表面势模型
对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解了亚阈区的二维泊松方程,得到了全耗尽器件正背界面的表面势公式;通过引入修正参数,建立了深亚微米全耗尽器件正背界面的表面势模型.该模型能够直观地反映DIBL效应,并...
程彬杰邵志标于忠时廷
关键词：电位分布硅膜
文献传递
通用串行FIR数字滤波器IC核设计方法研究
在实际的IC产品当中,既使是不需要用到大量的数字信号处理,也经常需要用到数字滤波器.有限冲激响应(FIR)数字滤波器与无限冲激响应(IIR)数字滤波器相比较,具有稳定和线性相位两个突出优点.而滤波器的设计,需要设计者具有...
时廷
关键词：FIR数字滤波器数字信号处理
文献传递
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