李科
- 作品数：15 被引量：14H指数：3
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- 一种RF-LDMOS内匹配电路设计方法
- 2014年
- 介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法,并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点,并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm栅宽RF-LDMOS内匹配电路,说明了内匹配电路设计的一般步骤以及MOS电容和键合线HFSS仿真实现。测试结果表明,该匹配电路实现了预期功能,在工作频带内得到了较为稳定的输入/输出阻抗,同时1 dB压缩点增益达到16.5 dB,功率达到48.9 dBm,器件每毫米栅宽功率密度达到1.7 W/mm。
- 李赛从密芳李科杜寰
- 关键词：MOS电容键合线
- RF LDMOS功率器件研制被引量：1
- 2010年
- 基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。
- 陈蕾王帅姜一波李科杜寰
- 关键词：击穿电压截止频率
- 一种新型射频功率放大器内匹配电路
- 本发明提供了一种新型射频功率放大器内匹配电路，包括：输入匹配单元，其能够接收并减少输入信号的损耗；射频晶体单元，其与所述输入匹配单元耦接，以对所述输入信号进行放大，并输出放大后的信号；输出匹配单元，其与所述射频晶体单元耦...
- 任建伟丛密芳李科李永强宋李梅赵发展
- 文献传递
- 射频功率放大器稳定性的分析与设计被引量：4
- 2018年
- 射频功率放大器的稳定性极大的影响了通信系统性能的可靠性,是通信系统中的重要组件.基于自主研发的RF-LDMOS器件,利用ADS软件设计了一款射频功率放大器,并研究了其稳定性.采用在栅极增加R-C并联电路的方法,改善功率放大器在100~200MHz之间的稳定性.实验结果表明,R-C并联网络的阻抗在低于转折频率时为电阻型,高于转折频率时为电容型,因此在低频可以降低不需要的增益,而对工作频带内的增益和驻波性能没有明显影响.改善后的功率放大器在100~200MHz频段增益达到17.4dB以上,可稳定输出37.4dBm以上功率.
- 韩月丛密芳李科杜寰
- 关键词：射频功率放大器稳定性
- 一种阻抗匹配电路、射频电路及加热设备
- 本发明公开了一种阻抗匹配电路、射频电路及加热设备，涉及电磁波技术领域，阻抗匹配电路包括：容性元件，容性元件用于接收射频信号；可调节电路，可调节电路与容性元件串联连接，可调节电路包括多个可变容性元件和多个可变感性元件，以通...
- 丛密芳任建伟李科宋李梅李永强赵发展
- TO-252封装电磁仿真分析
- 2015年
- 随着工艺尺寸的缩小和工作频率提高,表面贴片式封装技术中的PCB板和键合线都可能对电路的电气特性产生影响,因此有必要对这种封装技术进行信号完整性的分析。文章介绍了一种表面贴片封装TO-252,采用3D电磁仿真软件HFSS进行建模,分析仿真PCB板材、厚度和键合线的长度、拱高、根数及键合线间的距离对封装设计中信号传输的影响,为实物封装设计起指导作用。
- 刘崇辉任建伟李科杜寰金龙
- 关键词：PCB键合线信号完整性
- 一种MOS栅控晶闸管及其制造方法、半导体器件
- 本发明公开了一种MOS栅控晶闸管及其制造方法、半导体器件，涉及半导体技术领域，以防止MOS栅控晶闸管出现回滞现象，利于提升MOS栅控晶闸管的工作性能。所述MOS栅控晶闸管包括：阳极结构、漂移区和阴极结构。阳极结构包括阳极...
- 杜燕强宋李梅李科赵发展
- 采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制
- 2021年
- 硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点,在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景。针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求,基于标准平面MOS工艺,采用平面分栅(split gate)结构,通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。该器件在30~90 MHz频段范围内,小信号增益大于19 dB,在60 MHz频点下连续波输出功率可以达到87 W,功率附加效率达72.4%,具有优异的射频性能。
- 于淼于淼李科宋李梅李科李科
- 关键词：射频场效应晶体管高增益宽带
- L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法
- 2012年
- 报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研究采用了直通-反射-传输线(TRL)低阻抗测试夹具。此种夹具可以很好地抑制低频率的功率增益,消除低频振荡;而且使阻抗调节器获得更多的低阻抗点,提高负载牵引系统测试的准确度。在低阻抗的负载牵引系统测试环境下,1.2 GHz下,脉冲输出功率在1 dB压缩点为109.4 W,功率密度达到1.2 W/mm。
- 王帅李科丛密芳杜寰韩郑生
- 关键词：L波段功率密度脉冲功率
- LDMOS热阻的电学法测试与分析被引量：3
- 2015年
- 基于结构函数理论,运用电学测试法,提取封装LDMOS导热路径上各层材料的热阻值,以及管壳与恒温平台之间的接触热阻值。对各层热阻进行分析,发现焊料层的热阻远大于理论值,提出了一种减小焊料层热阻的方法。改变管壳与恒温平台的接触情况,分别测出不同接触情况下的热阻值,对比发现接触情况会影响结到壳热阻的大小,提出了减小接触热阻的方法。
- 王魁松万宁丛密芳李永强李科杜寰
- 关键词：LDMOS电学法热阻结构函数接触热阻
