李轶群
- 作品数：19 被引量：37H指数：4
- 供职机构：北京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 半导体环形激光器的输出耦合及阈值增益分析被引量：4
- 2007年
- 通过三维光波导的模式耦合理论分析了半导体环形激光器(SRL)与直波导的耦合系数,用耦合系数的解析表达式结合SRL自再现条件分析了SRL各参数对阈值增益的影响。分析结果表明,耦合系数随波导宽度和厚度、波导间距的增大而减小,随SRL半径的增大而增大;阈值增益随波导宽度和厚度、波导间距的增大而增大,随SRL半径的增大而减小。
- 陈海波黄永清黄辉徐玉峰苗昂李轶群任晓敏
- 关键词：阈值增益
- 单片集成光接收机前端关键技术及相关新型光电子器件的研究
- 互联网的飞速发展、持续增加的带宽需求成为光纤通信系统发展的驱动力。目前，光纤通信正在向智能化、集成化、低成本和高可靠性的新一代光网络演进，因此对光电器件也提出了更高的要求。光电集成器件较分立封装的光电组件具有几何尺寸小、...
- 李轶群
- 关键词：异质结双极晶体管光探测器光电集成光接收机前端
- 文献传递
- 用于光电集成的InP基HBT新结构被引量：8
- 2007年
- 对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构是在单HBT(SHBT)的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InGaAs层和n-InP层,既适用于集成光探测器,又较好地解决了SHBT反向击穿电压低、传统双HBT(DHBT)电子堆积效应等问题,并具有外延层生长简单、集电区电子漂移速率高等优点。
- 崔海林任晓敏黄辉李轶群王文娟黄永清
- InP基PIN＋HBT光电集成器件的设计与研制被引量：4
- 2008年
- 对用于光电集成电路(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)及PIN探测器进行了设计与研制,讨论了堆叠层结构和共享层结构2种常见的集成方式,通过实验比较,确定了共享层结构器件性能更好,并对此结构进行了改进。所研制的HBT截止频率达到30 GHz,直流增益达到100;PIN的3 dB带宽达到了15 GHz。详细介绍了器件结构及工艺流程。
- 崔海林任晓敏李轶群苗昂黄辉黄永清
- InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析
- 2008年
- 根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致。
- 吴强黄永清黄辉苗昂李轶群崔海林任晓敏
- 关键词：稳定性
- 基于微型谐振腔的环形光探测器设计被引量：3
- 2008年
- 提出了一种基于微型谐振腔的新型环形光探测器(MRPD),MRPD采用谐振腔和吸收腔分离的结构。MRPD避免了直波导与环形腔完全耦合时限制因子极低的问题,具有更强的可行性。导出了量子效率的表达式,分析了量子效率与谐振腔半径的关系及透射系数与光谱半高全宽(FWHM)的关系。
- 陈海波黄辉黄永清徐玉峰苗昂李轶群任晓敏
- 关键词：量子效率
- 带复合掺杂层的InP基HBT新结构
- 2008年
- 对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构在集电极区和次集电区之间插入一层特定厚度的p-InGaAs和两层特定厚度但不同掺杂浓度的n-InP层,从仿真结果出发对各种不同结构做出分析,发现这种新结构克服了双异质结双极晶体管的电流阻挡效应,同时很好地解决了传统的双HBT(DHBT)的电子堆积效应和SHBT反向击穿电压低的问题。
- 江琳琳李轶群崔海林黄辉黄永清任晓敏
- 关键词：异质结双极晶体管
- 用于多波长处理的单片集成光探测器阵列的制备方法
- 本发明涉及一种具有多波长处理功能的单片集成光探测器阵列的制备方法，特别涉及此器件中阶梯型谐振腔结构，以及基于该结构的单片集成光探测器阵列的制备方法，和基于该阵列器件的多波长处理功能的实现方法。本发明用于多波长处理的单片集...
- 黄永清段晓峰王琦任晓敏黄辉杨一粟李轶群
- 文献传递
- 光探测器芯片小信号等效电路模型的建立(英文)被引量：1
- 2007年
- 提出了一种光探测器芯片小信号等效电路模型及其建立方法.首先根据光探测器的物理结构确定其等效电路模型,模型考虑了影响光探测器高频性能的主要因素.然后精确测量了光探测器芯片的S参数,通过遗传算法对测量的S参数进行拟合,最终计算出模型的各个参量.在130MHz^20GHz范围内的实验结果表明,模型仿真结果与测量结果相吻合,证明了建模方法的可靠性.该模型有效地模拟了光探测器芯片的高频特性,利用该模型可以对光探测器及相应光电集成器件进行电路级仿真和优化.
- 苗昂李轶群吴强崔海林黄永清黄辉任晓敏
- 关键词：遗传算法
- InP基HBT GP大信号模型直流参数提取的研究被引量：2
- 2009年
- 基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中。通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13项SPICE直流参数,并设计了参数提取实验装置,最后将研究结果用于发射极为2μm×19μm的InP/InGaAs HBT建模中。通过对比模型仿真和器件实测的数据可以看出,本文采用的HBT GP模型准确度高,可以较好地表征实际HBT器件的直流特性。
- 胡钉黄永清吴强李轶群黄辉任晓敏
- 关键词：HBT直流特性
