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杨传凯

作品数:10 被引量:9H指数:1
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 6篇MOCVD
  • 6篇衬底
  • 4篇非极性
  • 4篇SIC衬底
  • 4篇GAN薄膜
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇形貌
  • 2篇源流
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶体管
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇SUB
  • 2篇GAN
  • 2篇M
  • 1篇低频
  • 1篇点缺陷

机构

  • 10篇西安电子科技...
  • 2篇国家电网公司
  • 2篇国网陕西省电...
  • 1篇武汉大学
  • 1篇国网陕西省电...

作者

  • 10篇杨传凯
  • 6篇张进成
  • 6篇许晟瑞
  • 6篇郝跃
  • 4篇周小伟
  • 4篇欧新秀
  • 4篇陈珂
  • 2篇付小凡
  • 2篇杨林安
  • 2篇薛军帅
  • 2篇曹艳荣
  • 2篇史林玉
  • 2篇王昊
  • 1篇陈凯
  • 1篇覃兆宇

传媒

  • 1篇水电能源科学
  • 1篇智慧电力

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法,主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是:(1)将r面Al<Sub>2</...
许晟瑞郝跃周小伟张进成史林玉陈珂杨传凯欧新秀
文献传递
基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法,主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是:(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中,并向反应室通入氢气与氨气的混合...
郝跃许晟瑞张进成周小伟欧新秀付小凡杨传凯薛军帅
基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法,主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是:(1)将r面Al<Sub>2</...
许晟瑞郝跃周小伟张进成史林玉陈珂杨传凯欧新秀
文献传递
基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法,主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是:(1)将c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>衬底置于MOCVD...
郝跃许晟瑞张进成杨林安王昊陈珂曹艳荣杨传凯
文献传递
GaN外延薄膜点缺陷与材料电学光学性质关系研究
GaN材料作为一种第三代半导体材料,具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等优点,目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、高频微波大功率器件。器件级的GaN材料大多数都是在异质衬底上用MOCVD的方法外延得到的。由于衬...
杨传凯
关键词:GAN材料光学性质半导体材料电学性质
基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法,主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是:(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中,并向反应室通入氢气与氨气的混合...
郝跃许晟瑞张进成周小伟欧新秀付小凡杨传凯薛军帅
文献传递
基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法,主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是:(1)将c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>衬底置于MOCVD...
郝跃许晟瑞张进成杨林安王昊陈珂曹艳荣杨传凯
结合扣分制与熵值法的站用直流系统状态评价方法研究被引量:6
2018年
为及时排查变电站直流系统的安全隐患,需要定期对其运行状态进行全面准确的评价。基于直流系统的主要组成部分蓄电池组和直流屏,提出一种基于扣分制和熵值法的综合评价方法。通过扣分制评价蓄电池组和直流屏的设备状况,再通过熵值法评价蓄电池组和直流屏的电气性能。通过直流系统对各种问题的客观评价,避免了主观性和模糊性导致的偏差,提高了规范化和可靠性,为变电站直流系统的运行维护的标准化提供参考。
杨传凯杨传凯师一卿张晓兰贾继超陈凯
关键词:变电站直流系统熵值法
射频能量采集系统的设计
射频能量采集是最近几年比较热门的研究方向,对空间中存在的射频能量进行有效的收集,可以用在可穿戴设备,智能家居,可植入式芯片和无线充电,物联网等领域。射频能量采集在物联网领域的应用将是未来研究的大方向,在未来的物联网时代,...
杨传凯
关键词:整流器芯片设计
共振磁耦合无线电能传输系统参数与电磁分布特性仿真研究被引量:1
2018年
为进一步改进共振磁耦合式无线充电系统的低频化问题,利用二端口网络参数理论对共振磁耦合无线电能传输系统进行建模,分析了系统传输效率与功率和S参数的关系,指出传输效率最大化的条件,提出了降低无线电能传输系统工作频率的必要性,并结合低频化设计思路,针对铜贴片改变进行HFSS本征频率仿真,得到系统共振频率和贴片厚度、距离、摆放位置等之间的关联,基于仿真结果为共振线圈选择合适的品质因数和共振频率。最后针对典型的共振磁耦合传输系统传输通道上的电磁场分布特性进行计算,得到磁场强度分布,比较了加入屏蔽体之后对传输系统的性能影响和屏蔽体效果,提高了系统传输效率。
杨传凯杨传凯王森丁彬毛辰高峰李文慧覃兆宇
关键词:无线电能传输优化设计
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