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(NaBi)_(0.5–x)(LiCe)_xBi_8Ti_7O_(27)陶瓷的电性能被引量：1: 2015年; 采用固相法制备(Na Bi)0.5–x(Li Ce)xBi8Ti7O27铋层状共生结构陶瓷,研究了陶瓷的结构与电性能。结果表明:所有(Na Bi)0.5–x(Li Ce)xBi8Ti7O27陶瓷样品均为共生结构,Li,Ce掺杂没有改变其固有结构;适量Li、Ce掺杂使样品晶粒尺寸均匀,且密度增加,达到ρ=6.88 g/cm3;剩余极化强度Pr和压电常数d33均有显著提高,分别从4.19μC/cm2和8 p C/N提高到8.39μC/cm2和20 p C/N;在645℃和657℃处,样品介电温谱出现介电双峰;当x=0.25时,陶瓷样品综合性能达到最佳:d33=20 p C/N,平面机电耦合系数kp=8.86%,厚度机电耦合系数kt=15.15%,机械品质因子Qm=2 152,Pr=8.39μC/cm2。600℃退极化处理后,d33仍有15 p C/N,表明该材料在高温领域具有良好的应用前景。; 邵虹江向平傅小龙涂娜李小红杨帆徐新民熊珊; 关键词：压电性能介电性能铁电性能

Ce掺杂对0.85Bi_4Ti_3O_(12)-0.15LiNbO_3铋层状压电陶瓷电性能的影响被引量：6: 2015年; 采用固相法制备0.85Bi4Ti3O12-0.15Li Nb O3-0.75%Ce O2(BTO-LN-0.75Ce)铋层状压电陶瓷。通过阻抗谱研究不同温度和频率对样品电性能的影响。结果表明:介电常数ε*的实部ε′和虚部ε″在低频区域出现分散现象;随频率增大,阻抗(Z*)的实部Z′值逐渐减小,而虚部Z″值先增大后减小。阻抗Cole-Cole图表明:晶粒内部对电传导过程起主要作用,并可用一个并联电阻–电容电路等效。陶瓷样品的阻抗值随温度的升高而减小,电导率值在低频区域相对稳定,且电导率满足Arrhenius关系,说明陶瓷样品的电导是热激活的过程。BTO-LN-0.75Ce的电导活化能小于BTO-LN的电导活化能,分别为1.591 9和1.756 2 e V。; 杨帆江向平涂娜邵虹徐新民熊珊; 关键词：铋层状结构压电陶瓷阻抗谱电导率

Co^(2+)掺杂Zn_2SiO_4结晶釉生长机理的研究被引量：4: 2015年; 以高岭土、石英、钠长石、石灰石、氧化锌等矿物为原料,Zn O为晶核剂,并掺杂Co2+控温烧结Zn2Si O4结晶釉。利用X射线衍射仪(XRD)分析样品物相,白度色差计测量釉料色度(L*、a*、b*),EDS能谱仪分析样品组成含量。采用Johnson-Mehl-Avrami(JMA)方程对釉的结晶动力学进行分析,探讨釉中晶体的生长机理。结果表明:高温时Co2+置换了Zn2Si O4结晶釉中的Zn2+。随着保温时间的延长,掺杂了Co2+的Zn2Si O4晶体颗粒不断长大,在1140℃下保温170 min晶花达到最大,其晶花面积均值为410.91 mm2。模拟动力学分析,釉中晶体的Avrami指数n1100℃=0.82,n1140℃=1.23,n1180℃=1.12,表明晶体的形成由扩散机制向成核机制转变。拟合Arrhenius方程,晶体的活化能Ea=148.2 k J/mol。; 徐新民江向平傅小龙杨帆邵虹熊珊; 关键词：结晶釉动力学

LiNbO_3改性Bi_4Ti_3O_(12)铋层状陶瓷结构与性能研究被引量：1: 2014年; 采用传统固相法制备了(1-x)Bi4Ti3O12-xLiNbO3(BTO-LN,x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.30)铋层状无铅压电陶瓷。系统研究了LiNbO3掺杂对Bi4Ti3O12铋层状陶瓷物相结构,形貌以及电性能的影响。结果表明:当x≤0.15时陶瓷为单一的铋层状结构相;样品的晶粒尺寸随x的增加逐渐增大,居里温度Tc呈微弱减小趋势;随着LN含量的增加,压电常数d33先增大后减小,介电损耗tanδ表现相反的变化趋势,当掺杂量为0.15时d33达到最大值12,而此时损耗达到最小值0.45%。; 涂娜江向平杨帆傅小龙李小红; 关键词：LINBO3 电性能

全自动液压压砖机CAD/CAE信息集成系统数据库的研究与开发被引量：1: 2004年; 对全自动液压压砖机CAD CAE信息集成系统中的工程数据库的设计和实施进行了研究 ,分析了系统对数据信息的需求 ,提出了该系统数据库的E -R数据模型以及表的定义和结构关系 ,实现了压砖机CAD CAE信息集成系统。; 肖任贤吴南星潘海鹏杨帆; 关键词：全自动液压压砖机信息需求机器辅助设计机器辅助技术制造

Ce掺杂0.85Bi_4Ti_3O_(12)-0.15LiNbO_3铋层状铁电陶瓷的显微结构与性能(英文)被引量：2: 2014年; 采用固相法制备CeO2掺杂改性0.85Bi4Ti3O12-0.15LiNbO3(BTO-LN)铋层状压电陶瓷。借助于X射线衍射和扫描电子显微镜研究了CeO2掺量与BTO-LN陶瓷晶体结构和电性能的关系。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的正交相结构;随CeO2掺量的增加,陶瓷的晶粒尺寸变大,Curie温度TC由653℃下降到617℃;CeO2掺杂提高了样品的压电性能,压电常数d33随CeO2掺量的增加先增大后减小,相对介电常数εr表现出相反的变化趋势;当CeO2的掺入量为0.75%时,样品的电性能最佳,即d33=25pC/N,机械品质因数Qm=2 895,介电损耗tanδ=0.10%,TC=617℃。; 江向平杨帆陈超涂娜; 关键词：铋层状结构钛酸铋

Ce改性0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1SrBi_2Nb_2O_9铋层状铁电陶瓷结构与性能被引量：1: 2015年; 采用固相法制备了CeO_2掺杂改性的0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1SrBi_2Nb_2O_9(BIT-SBN)铋层状铁电陶瓷材料。系统研究了CeO_2掺杂对BIT-SBN基陶瓷物相结构、微观结构以及电性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构,样品的晶粒尺寸随着CeO_2掺杂量的增加而逐渐增大,并且沿a-b面的生长速度明显大于沿垂直c轴方向的生长速度;BIT-SBN基陶瓷的压电性能随着CeO_2的掺杂而显著提高,损耗明显降低。当CeO_2掺量为0.75 wt%时,样品具有最佳的电性能:压电常数d_(33)=28 pC/N,介电损耗tanδ=0.20%,机械品质因数Q_m=3015,居里温度T_C=595℃;并且此时样品具有良好的热稳定性,在高温器件领域具有一定的应用潜能。; 涂娜江向平邵红杨帆陈超; 关键词：铁电陶瓷 BI4TI3O12

Ce掺杂0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3铋层状压电陶瓷结构与性能研究（英文）被引量：3: 2016年; 采用传统固相法制备了CeO_2掺杂0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3(BTO-KNN)铋层状陶瓷材料。系统研究了CeO_2掺杂对BTO-KNN基陶瓷物相结构、微观结构以及电性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构:BTO-KNN基陶瓷的压电性能随着CeO_2的掺杂而显著提高,损耗明显降低。当CeO_2掺量为0.75%(质量分数)时,样品具有最佳的电性能:d_(33)=28 pC/N,介电损耗tanδ=0.29%,机械品质因数Q_m=2897,剩余极化强度P_r=11.83μC/cm^2,且居里温度T_c高达615℃;研究结果表明CeO_2掺杂0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3铋层状陶瓷是一种潜在的高温陶瓷材料。; 涂娜江向平陈超傅小龙杨帆; 关键词：压电陶瓷 BI4TI3O12

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杨帆