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杨春

作品数:5 被引量:14H指数:3
供职机构:南京航空航天大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺理学机械工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇NCD
  • 3篇SI
  • 2篇有限元
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷轴承
  • 2篇轴承
  • 2篇温度场
  • 1篇弹性模量
  • 1篇压痕
  • 1篇应力
  • 1篇应力分析
  • 1篇涂层
  • 1篇热丝
  • 1篇热丝法
  • 1篇轴承内圈
  • 1篇温度场模拟
  • 1篇膜制备
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压痕
  • 1篇内圈

机构

  • 5篇南京航空航天...

作者

  • 5篇任卫涛
  • 5篇左敦稳
  • 5篇徐锋
  • 5篇杨春
  • 5篇卢文壮
  • 1篇王珉

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇机械制造与自...

年份

  • 5篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
NCD/Si_3N_4界面接触应力分析
2009年
本文运用有限元分析软件MSC. patran/marc对弹性接触状态下NCD/Si3N4进行了接触应力分析,研究了NCD膜弹性模量、膜厚及载荷等因素对NCD/Si3N4界面剪切应力场分布的影响。结果表明:接触状态下NCD/Si3N4最大剪切应力产生于NCD膜与Si3N4基体结合面;弹性模量对NCD膜内部剪切应力场分布、最大剪切应力值及其产生位置影响显著;膜厚影响NCD膜内部剪切应力场分布;载荷与最大剪切应力值约成线形比例关系,对剪切应力场分布无明显影响。
任卫涛卢文壮杨春左敦稳徐锋
关键词:剪切应力有限元
Si_3N_4陶瓷轴承NCD涂层制备中的温度场模拟
2009年
纳米金刚石(NCD)薄膜涂层由于优异的力学和摩擦学性能,是一种理想的轴承涂层材料。在用HFCVD方法制备NCD涂层的过程中,衬底温度是重要参数之一。首先设计了一种适合轴承内外圈NCD涂层制备的热丝夹持装置,其次分析了HFCVD系统的热交换过程,并建立了相应的衬底温度场的三维有限元模型。在此模型基础上具体讨论了热丝数目、温度、热丝到衬底距离等因素对衬底温度大小及均匀性的影响。结果表明,由于衬底相对尺寸较小并且考虑了衬底内部的热传导,各参数的变化对衬底温度大小有明显影响,但对衬底温度均匀性影响不大。结果为轴承NCD涂层的制备提供了理论基础。
杨春卢文壮左敦稳徐锋任卫涛
关键词:陶瓷轴承热丝法温度场
Si_3N_4陶瓷轴承内圈NCD膜制备中的热流耦合分析被引量:3
2009年
本文设计了一套用于HFCVD系统中轴承内圈NCD涂层制备的电极装置,同时在热交换过程的分析基础上对该系统进行了热流耦合分析。对进气参数进行优化后,衬底温度场及气体流场分布均匀。在数值分析的基础上,在氮化硅陶瓷内圈上成功制备了NCD膜。
杨春卢文壮左敦稳徐锋任卫涛
关键词:NCD陶瓷轴承有限元
金刚石涂层的纳米压痕力学性能研究被引量:7
2009年
用HFCVD法在硬质合金刀具上制备了CVD金刚石涂层,利用纳米压痕仪研究了CVD金刚石涂层的硬度和弹性模量等力学性能。结果表明,反应室气压、衬底温度、反应气体中CH4含量、沉积时间等参数改变了CVD金刚石膜中sp2成分含量、晶界数量及晶界上缺陷,从而影响CVD金刚石涂层的纳米硬度和弹性模量。较高或较低的衬底温度都会导致硬质合金刀具上CVD金刚石涂层的纳米硬度、弹性模量降低;随着反应室气压、反应气体中CH4含量的增加,硬质合金刀具上CVD金刚石涂层的纳米硬度、弹性模量降低;沉积时间低于6 h时,沉积时间对硬质合金刀具上CVD金刚石涂层的纳米硬度、弹性模量影响显著,沉积时间超过6 h后,沉积时间对硬质合金刀具上CVD金刚石涂层的纳米硬度、弹性模量逐渐趋向稳定。
卢文壮左敦稳任卫涛杨春徐锋王珉
关键词:CVD金刚石涂层弹性模量
HFCVD系统中衬底温度场及气相空间场的数值分析被引量:7
2009年
探讨了典型气氛中热丝辐射、气体热传导与对流、化学反应生热等因素对衬底温度的影响,建立了三维热丝辐射和二维热流耦合有限元模型,研究了各工艺参数对衬底温度场及气相空间场的影响。结果表明H2占主导地位的气氛中衬底表面的氢原子重组放热对衬底温度有较大影响,氩气气氛中原子重组放热对衬底温度影响很小;热丝温度对衬底温度的影响最大;进气口到衬底的距离及进气口气体流速对衬底附近的流场影响最大,适当提高进气口到衬底的距离有助于提高衬底附近流场均匀性,增大进气速度有助于突破热障提高衬底表面流速,但同时加剧了衬底附近流场的不均匀性。
杨春卢文壮左敦稳徐锋任卫涛
关键词:金刚石膜HFCVD温度场
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