杨超
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 复合沟道氟离子增强型AlGaN/GaN HEMT的研究被引量：2
- 2014年
- 提出一种复合沟道氟离子(F-)增强型AlGaN/GaN HEMT(Hybrid-channel enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT,HCE-HEMT)新结构。该结构引入高、低浓度F-复合沟道,其中高浓度F-注入区位于沟道靠近源漏两端以调制阈值电压,获得增强型器件;低浓度F-区位于沟道中部以调制肖特基栅电极的正向开启电压,增加器件承受的栅电压摆幅,但它对其下方二维电子气的耗尽作用很弱。同时,高浓度区只占栅长的40%,减轻高浓度F-对沟道的影响,提升器件的电流能力。利用Sentaurus软件仿真,结果显示,与传统F-增强型AlGaN/GaN HEMT相比,HCE-HEMT载流能力提高了40.3%,比导通电阻下降了23.3%,同时反向耐压仅下降了5.3%。
- 蔡金勇周琦罗小蓉陈万军范远航熊佳云魏杰杨超张波
- 关键词：氮化镓增强型复合沟道
- 高稳定性化学镀铜液的参数优化
- 2014年
- 采用单因素实验法,以镀液稳定性、镀速及镀层光亮度为指标,优化了化学镀铜液参数以提高镀液稳定性,并研究了添加剂对镀液电化学极化性能的影响。试验结果表明:随着Cu SO4·5H2O和HCHO浓度的增加,镀液稳定性有所下降;适量的络合剂和稳定剂的加入能有效提高镀液稳定性。采用优化后的镀液施镀30 min,镀速为4.93μm/h;施镀后的镀液在80℃水浴中的稳定时间大于2 h;所得铜层为具有金属光泽的淡粉红色,铜颗粒排列紧密;镀铜层电阻率低至3.67×10–8Ω·m,铜层与基体之间的附着强度提高至10 N/mm2。
- 杨超陈金菊冯哲圣王大勇薛文明
- 关键词：化学镀铜液稳定性镀速参数优化单因素实验添加剂
