梁玲
- 作品数：17 被引量：62H指数：5
- 供职机构：同济大学波耳固体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
- 相关领域：理学核科学技术金属学及工艺更多>>
- 变价元素铋掺杂钨酸铅晶体辐照损伤的研究被引量：1
- 2003年
- 采用剂量为 4Mrad的γ射线辐照Bridgman法生长的未掺杂和掺铋钨酸铅晶体 ,研究了辐照前后晶体的透射光谱、X射线激发发射光谱 (XSL)的变化 .利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对钨酸铅晶体辐照前后的微观缺陷进行了研究 ,并对其抗辐照损伤性能及微观机理进行了初步探讨 .研究表明 ,铋掺杂使得晶体中的正电子捕获中心和低价氧浓度下降 ;辐照后 ,未掺杂晶体中正电子捕获中心浓度下降 ,低价氧浓度上升 ,掺铋晶体则出现了与之完全相反的情况 ,正电子捕获中心浓度上升 ,低价氧浓度下降 .提出掺铋钨酸铅晶体中铋的掺杂辐照前主要以Bi3+占据VPb的形式存在 ,辐照使变价元素铋发生Bi3+→Bi5+的变价行为 ,Bi5+可以替代W6+格位并使得晶体内部分 (WO4 ) 2 -根团形成 (BiO3+Vo) -.
- 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松吴湘惠邱隆清陈铭南廖晶莹沈定中张昕宫波薛炫萍徐炜新王景成
- 关键词：钨酸铅晶体辐照损伤透射光谱正电子湮没寿命谱X光电子能谱强子对撞机
- 掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究被引量：3
- 2003年
- 采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4∶Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量 ,并运用过渡态方法计算了其激发能。通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布 ,发现与VO 相关的F+ 心是晶体掺Nb的主要补偿机制。 (NbO3 +F+ ) 2 -缺陷在掺铌钨酸铅晶体各相关缺陷形式中存在所需能量最低。计算结果表明VO 有关的F+ 的存在是有效消除晶体中 35 0nm吸收的主要原因。而F+ →W5d轨道的跃迁能量为 2 .8eV ,对应晶体中 4 2 0nm吸收。
- 刘峰松顾牡姚明珍梁玲
- 关键词：密度泛函态密度
- 高精度温控退火炉的研制与控温程序的调试被引量：4
- 2002年
- 晶体退火是一个重要的工艺过程 ,不同温度、不同气氛下的退火处理是晶体缺陷研究的重要手段。本文从退火炉的整体构造、管端配件的设计、控温电路和温度程序控制调节器的使用三个方面介绍了由同济大学玻耳固体物理研究所自行研制的小型高精度温控退火炉装置 。
- 梁玲顾牡许伟群陈玲燕
- 关键词：晶体退火PID调节
- PbWO_4电子结构的密度泛函计算被引量：18
- 2000年
- 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法模拟计算了PbWO4 晶体的本征能级结构 .发现价带主要由O2p轨道组成 ,含有部分W 5d轨道 ;导带主要由W 5d和O2 p的轨道组成 .发现导带底由Pb6 p1/ 2 的狭窄能级占有 .禁带宽度和价带宽度分别约为 4.8和 4eV .计算结果很好地解释了实验得到的反射谱 ,并从理论上分析了PbWO4
- 童宏勇顾牡汤学峰梁玲姚明珍
- 关键词：密度泛函电子结构PBWO4晶体
- 掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究被引量：3
- 2003年
- 通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)实验手段 ,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究。实验表明 ,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例 ,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降 ,低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y3 + 占据VPb的形式存在。Y3 + 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因 ,而由于晶体内低价氧浓度的减少 ,作为绿光发光中心的 (WO3 +O-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。
- 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松
- 关键词：发光性能钨酸铅晶体正电子湮没寿命谱X光电子能谱
- 超短脉冲X射线激发荧光寿命谱仪的设计与研制被引量：9
- 2003年
- 介绍了一种利用超短脉冲X射线作为激发光源,用时间关联单光子计数法进行测量的荧光衰减时间谱仪的设计与研制。该仪器具有时间分辨率高、测量动态范围大、使用方便等优点,可应用于晶体、粉末和液体等各种样品的测量,该仪器同时还具有很强的扩展性。
- 段勇顾牡梁玲马晓辉陈铭南
- 掺锑钨酸铅闪烁晶体的缺陷研究
- 钨酸铅晶体是九十年代发现的一种新型闪烁材料,它具有高密度、衰减时间快、辐射长度短、莫莱尔半径小、晶体易于生长等优点,已被欧洲核子中心正在建造的强子对撞机(LHC)上的CMS正式选为探测器材料。实验利用透射谱、发射谱、正电...
- 梁玲顾牡段勇马晓辉姚明珍陈玲燕廖晶莹沈定中张昕官波薛炫萍徐炜新王景成
- 关键词：钨酸铅晶体正电子湮没寿命谱X光电子能谱
- 文献传递
- 不同化学配比钨酸铅晶体缺陷的研究被引量：2
- 2002年
- 利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)的测试手段 ,对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究 ,结果表明丰W样品增加晶体中铅空位 (VPb)浓度 (物质的量比 )、而丰Pb样品则减少晶体中VPb浓度 .这一结论对大尺寸钨酸铅晶体生长过程中关于温度梯度、生长速度和加温制度的有效选取具有一定的参考作用 .并结合发射谱的测试 ,提出钨酸铅晶体中的绿发光很可能产生于由VPb引起的WO3+O- .
- 梁玲顾牡段勇马晓辉
- 关键词：晶体缺陷钨酸铅晶体正电子湮没寿命谱X光电子能谱发光机理
- 掺镧PbWO_4闪烁晶体的缺陷研究被引量：8
- 2000年
- 利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X射线电子能谱 (XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化 .结果表明 :掺镧后 ,PbWO4 晶体中的正电子捕获中心铅空位 (VPb)浓度增加 ,并进一步诱导低价氧浓度的增加 .讨论了掺La的作用机制 ,认为掺La将抑制晶体中的氧空位 ,增加铅空位浓度 .
- 汤学峰顾牡童宏勇梁玲姚明珍陈玲燕廖晶莹沈炳浮曲向东殷之文徐炜新王景成
- 关键词：PATXPS
- +3价离子掺杂钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究被引量：7
- 2004年
- 通过透射光谱、x射线激发发射光谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的几种不同 +3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和x光电子能谱 (XPS)的实验手段 ,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究 .实验表明 ,不同的 +3价离子掺杂 ,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同 ,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化 .其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升 ,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降 ,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况 .提出 +3价离子在钨酸铅晶体中的掺杂作用机理并不相同 ,晶体中La3+ 将替代Pb2 + 的格位 ,Y3+ 和Bi3+ 将占据铅空位 ,而锑可以以Sb3+ 替代Pb2 + 格位和Sb5+ 替代W6 +
- 梁玲顾牡段勇马晓辉刘峰松吴湘惠邱隆清陈铭南廖晶莹沈定中张昕宫波薛炫萍徐炜新王景成
- 关键词：钨酸铅晶体正电子湮没寿命谱X光电子能谱发光性能
