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樊海涛

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:厦门大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米压印
  • 4篇纳米压印技术
  • 2篇阵列
  • 2篇活性基底
  • 2篇菇形
  • 1篇氮化镓
  • 1篇等离激元
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学刻蚀
  • 1篇印章
  • 1篇三维形貌
  • 1篇凝胶
  • 1篇微纳加工
  • 1篇蘑菇
  • 1篇纳米结构材料
  • 1篇金薄膜
  • 1篇金膜
  • 1篇晶体
  • 1篇聚丙烯酰胺凝...

机构

  • 5篇厦门大学

作者

  • 5篇樊海涛
  • 4篇周勇亮
  • 3篇张大霄
  • 2篇杨防祖
  • 2篇任斌
  • 2篇田中群
  • 1篇孙文
  • 1篇朱丽虹
  • 1篇陈志远
  • 1篇曾凡明
  • 1篇杨志林
  • 1篇沈少鑫
  • 1篇胡冬洁
  • 1篇刘宝林
  • 1篇林飞

传媒

  • 1篇电化学
  • 1篇厦门大学学报...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
蘑菇形阵列表面增强拉曼光谱活性基底及制备方法
本发明公开了一种蘑菇形阵列表面增强拉曼光谱活性基底及制备方法。活性基底为金或银蘑菇形纳米结构阵列,其制备方法为首先使用纳米压印技术在具有金薄膜的硅或玻璃基片表面的光胶压印通孔,然后进行电沉积,形成蘑菇纳米结构阵列,其主要...
周勇亮樊海涛杨防祖张大霄单洁洁任斌田中群
文献传递
蘑菇形阵列表面增强拉曼光谱活性基底及制备方法
本发明公开了一种蘑菇形阵列表面增强拉曼光谱活性基底及制备方法。活性基底为金或银蘑菇形纳米结构阵列,其制备方法为首先使用纳米压印技术在具有金薄膜的硅或玻璃基片表面的光胶压印通孔,然后进行电沉积,形成蘑菇纳米结构阵列,其主要...
周勇亮樊海涛杨防祖张大霄单洁洁任斌田中群
文献传递
基于聚丙烯酰胺凝胶软印章的电化学纳米加工(英文)
2013年
电化学刻蚀使用腐蚀性小的电解质溶液,且溶液可使用周期长,是一种环境友好的加工工艺.本文采用聚丙烯酰胺水凝胶(PAG)作为软印章,辅以优化工艺,将电化学湿印章技术(E-WETS)的加工精度从几十微米提高到了200纳米.将新配制的聚丙烯酰胺水凝胶浇注在具有纳米结构的软模板表面,固化后脱模并保存于0.2mol·L-1KCl溶液中,在合适电位和压力下,对硅片表面金膜进行电化学湿法刻蚀,分别研究了聚丙烯酰胺水凝胶的聚合条件、电化学加工电位以及水凝胶表面压力对加工结果的影响.实验表明,在最优条件下可加工出直径为200纳米的特征点阵结构,且该方法具有较好的可靠性和稳定性。
孙文樊海涛张大霄胡冬洁周勇亮
关键词:微纳加工电化学刻蚀聚丙烯酰胺水凝胶
纳米压印技术制备表面二维光子晶体发光二极管
2014年
研究利用纳米压印技术在氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)表面制备二维光子晶体结构对器件出光的影响.利用聚合物(IPS)软模板二次压印技术,在样品表面形成较为完整的掩膜,通过感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺分别在p-GaN层与ITO层成功制备了较大面积的光子晶体结构,结构周期为465nm,孔状结构直径为245nm.制成芯片后对样品进行测试,结果表明在LED表面制备二维光子晶体结构会导致LED芯片光谱峰值位置发生偏移,同时在p-GaN层制备二维光子晶体结构能够将LED芯片的发光强度提高39%,而在ITO层所制备的光子晶体结构并未对器件的性能有显著的改善.
陈志远刘宝林朱丽虹樊海涛曾凡明林飞
关键词:纳米压印光子晶体氮化镓发光二极管
表面等离激元共振二次谐波信号产生材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种高效的表面等离激元共振二次谐波信号产生材料及其制备方法和应用。该方法结合纳米压印技术和电化学沉积技术制备得到具有三维形貌特点的固相有序的银纳米柱状阵列,并通过调控电化学沉积时间,使银纳米柱顶端的间隙达到亚...
单洁洁沈少鑫周勇亮樊海涛杨志林
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共1页<1>
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