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王世忠

作品数：1 被引量：20H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇碳化硅
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇SIC单晶

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇束碧云
  • 1篇肖兵
  • 1篇庄击勇
  • 1篇施尔畏
  • 1篇王世忠
  • 1篇徐良瑛

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiC单晶的性质、生长及应用被引量：20
1999年
本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素， 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ
王世忠徐良瑛束碧云肖兵庄击勇施尔畏
关键词：碳化硅单晶半导体器件晶体生长
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