王保柱
- 作品数：41 被引量：50H指数：4
- 供职机构：河北科技大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 基于石墨烯材料的太赫兹波探测器研究进展被引量：3
- 2018年
- 太赫兹波具有瞬态性、宽带性、穿透性和低能性等一系列独特性质,使其在材料研究、信息传递、环境检测、国防安全、医疗服务等方面展现了非常广阔的应用前景。作为该领域应用的关键,太赫兹探测器得到科研人员极大的重视。一般来讲,探测器的性能很大程度上依赖于基质材料的特性。石墨烯具有2个非常重要的优势,一是石墨烯具有线性能带结构,使得能够吸收太赫兹波;二是石墨烯具有超高载流子迁移率,能够进行超快探测。因此,石墨烯基有望成为太赫兹频段新一代高性能探测器的基质材料。详细综述了近几年关于石墨烯基太赫兹探测器的发展状况。
- 仝文浩刘北云杨炎翰游聪娅王保柱睢丙东袁瑞玚张永哲
- 关键词：石墨烯太赫兹波探测器室温高灵敏度
- 一种制备氮化物量子点的方法
- 制备氮化物量子点的方法，其特征在于，包括以下步骤：选择一衬底；在衬底上采用分子束外延技术生长氮化铝缓冲层；生长氮化镓层；降低生长温度，生长铟氮或铟铝氮量子点成核层；升高温度，对铟氮或铟铝氮量子点成核层进行退火处理；最后在...
- 王保柱文环明
- 文献传递
- 一种基于半导体紫外发光二极管的便携式水消毒装置
- 一种基于半导体紫外发光二极管的便携式水消毒装置，整个消毒装置可以采用太阳能或电池供电，在消毒装置的双层结构内部安装有一组4×4的紫外发光二极管装置，以及用于通过水的蛇形石英管。采用宽禁带氮化镓材料制成的大功率紫外发光二极...
- 王保柱文环明
- 文献传递
- GaN HEMT器件寿命预测方法及理论研究被引量：1
- 2022年
- GaN HEMT器件以其优良的性能被广泛应用于各种领域的电子设备中。由于其经常被用于高频、高温和高辐射的环境中,过高的环境应力会加速器件的损伤。当损伤达到一定程度时,就会引起器件失效,甚至导致整个系统失效。因此外加应力下GaN HEMT器件的寿命成为了当前研究的热点。基于不同机构对GaN HEMT器件的三温度直流测试结果,运用多元线性回归法和图估计法对GaN HEMT器件在正常使用温度下的寿命进行预测。预测结果表明,GaN HEMT器件在正常使用时,器件沟道温度为150℃的情况下,中位寿命长于10^(7)h;在累积失效概率达23%时,3.6 mm栅宽器件与1.25 mm栅宽器件的正常工作时间均为5.04×10^(5)h;当累积失效概率在23%以上时,1.25 mm栅宽器件的寿命明显较3.6 mm栅宽器件长。
- 王保柱赵晋源苏雪平张明杨琳侯卫民
- 关键词：可靠性
- 大功率LED粘结材料及热沉材料热分析
- 2010年
- 本文介绍了ANSYS有限元分析软件在大功率LED封装材料热分析中的应用,同时对1WLED的封装结构进行了热模拟分析,比较了3种不同的粘结材料和3种不同的热沉材料对LED封装结构的温度场分布,并对所模拟出的温度分布进行对比。结果表明,提高封装的粘结材料和热沉材料的导热率能够有效地降低芯片温度,从而提高LED的使用寿命。
- 李珅李春明王保柱王秀朋韩冰
- 关键词：大功率发光二极管有限元热分析
- 一种基于分段电容的低功耗SARADC设计被引量：1
- 2017年
- 针对当前物联网技术对功耗的严格要求,设计了一种基于分段电容的低功耗SAR ADC电路.电路通过使用分离电容阵列来降低整个CDAC所需要的单位电容数和ADC的功耗.同时采用了分离电容校正技术来降低整体CDAC的非线性和失调校正技术来降低比较器电路的失调.在0.18,mm CMOS工艺下完成了一款10-bit 10-Msample/s的电路原型设计及相应的版图设计和验证工作,带有PAD的芯片整体面积为1,2mm.芯片后仿真结果表明:该转换器在校正情况下,4.89,MHz输入信号频率下信号噪声谐波比(SFDR)为61.43,dB,比不校正提高了54%,;有效位数达到9.90,bit,比不校正提高了3.7,bit;在1.8,V电源电压下功耗仅为255.61,mW.
- 安胜彪张琳王保柱王书海杨瑞霞
- 关键词：逐次逼近型模数转换器低功耗
- 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
- 本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温...
- 王晓亮王新华冯春王保柱马志勇王军喜胡国新肖红领冉军学王翠梅
- 文献传递
- 双栅GaN HEMT生物传感器仿真研究
- 2024年
- GaN HEMT因具有优异的高灵敏度、快速响应特性、电学特性和生物相容性,其在生物传感领域具有广泛的应用潜力。为提升GaN HEMT生物传感器直接检测生物分子的灵敏度,提出了一种双栅结构分析模型,并使用Silvaco TCAD工具研究了其电学特性。从漏极电流、阈值电压和电势方面分析了单栅和双栅器件的结构特性,比较了其灵敏度。研究表明,在特定生物分子(尿酸酶、链霉亲和素、蛋白质和胆固醇氧化酶)的检测中,双栅GaN HEMT生物传感器的灵敏度分别比单栅器件高1.55%,2.18%,1.07%和3.3%。其中,增加空腔长度可以为生物分子与生物功能化层(AlGaN)的相互作用提供更多的面积,从而使传感器的灵敏度增加。因此,双栅和较大空腔的GaN HEMT生物传感器器件更适用于高灵敏度的应用。
- 王保柱刘莎张明杨琳段磊
- 关键词：双栅生物传感器GANHEMT灵敏度
- P型Al_(0.25)Ga_(0.75)N电子结构和热电性质计算
- 2017年
- 能够实现热能和电能转换缓解能源紧张问题的热电材料已经被公认,为了提高材料的热电性能,最重要的是提高材料的热电优值。这里采用合金化来优化GaN的热电性质。主要采用基于密度泛函理论计算的软件VASP和基于玻尔兹曼理论的BoltzTraP软件对GaN以及Al_(0.25)Ga_(0.75)N进行了计算。通过计算得出GaN及其合金Al_(0.25)Ga_(0.75)N的能带结构,电导率,功率因子,塞贝克系数,热电优值。P型GaN的ZT在1100K时达到了0.039,P型的Al_(0.25)Ga_(0.75)N的ZT值在1100K时达到了0.661。Al_(0.25)Ga_(0.75)N的热电优值明显高于GaN的热电优值,合金化可以优化GaN的热电性质。
- 王保柱孟立智宋江王敏
- 关键词：VASP第一性原理
- 基于超表面的宽带太赫兹热释电探测器设计
- 2024年
- 为了解决传统太赫兹(THz)探测器吸收效率低,频率范围小的问题,提出将双层超表面吸收阵列结构与钽酸锂热释电探测器相贴合,构成宽带太赫兹超表面热释电探测器。采用MATLAB和CST联合仿真的优化方法对超表面结构进行按需优化;使用ANSYS对热释电探测器进行仿真分析,得到敏感层、绝热层等特征参数对太赫兹热释电探测器的温度变化率以及响应电流的影响。结果表明,采用超表面阵列结构提高了全THz波段的探测性能,凳型热释电探测器在给定条件下的平均热释电电流输出为31.52 pA。使用超表面作为吸收结构可以使热释电探测器具有连续且高效的吸波特性,为宽带太赫兹探测器的设计提供参考。
- 张明张俊垚张娜娇董朋王保柱尚燕段磊
- 关键词：半导体物理学热释电探测器太赫兹联合仿真
