王因生
- 作品数：41 被引量：70H指数：6
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- 超大功率L波段脉冲功率晶体管
- 1996年
- 超大功率Ｌ波段脉冲功率晶体管王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２３．４ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...
- 王因生王志楠林川王伯利康小虎张树丹
- 关键词：脉冲功率晶体管L波段大功率
- 2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
- 2003年
- 傅义珠李学坤戴学梅王佃利王因生周德红康小虎梅海盛国兴陈刚
- 关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率晶体管
- L波段100W硅脉冲功率晶体管
- 1993年
- 南京电器件研究所采用φ75mm硅片研制成脉冲输出100W的L波段硅功率晶体管，
- 谭卫东张纪生熊承堃王因生张树丹刘六亭郑承志陈统华陈正东
- 关键词：功率晶体管P波段脉冲输出
- C波段3W硅功率晶体管
- 1993年
- C波段硅功率晶体管在微波整机和通讯等领域有广泛用途。由于硅双极型晶体管具有比GaAs FET低得多的1/f相位噪声,因此,在一些高质量的振荡器中,急需硅功率晶体管。但是,当工作频率提高到C波段时,晶体管的频率和功率性能发生尖锐的矛盾。晶体管的输出功率、增益和效率随着工作频率的升高而急剧下降。这给器件的研制带来了很多困难,国内长期无法解决。南京电子器件研究所采用T形发射极自对准结构,用φ75mm硅片研制成功C波段硅功率管。晶体管的E-B金属电极横向间距几乎为零。发射极扩散层和基极接触窗口的间距约0.4μm。这种T形电极晶体管(TSET)对光刻工艺精确度的要求不很苛刻。测试结果表明,晶体管在4.2GHz时,连续波输出功率大于3W,增益大于8dB,集电极效率大于40％。晶体管作振荡应用时,在4.3GHz下振荡输出功率可达1W,直流—射频转换效率可达20％。
- 张树丹王因生李相光陈统华谭卫东
- 关键词：功率晶体管C波段双极晶体管
- 真空微电子器件中的场发射硅尖阵列制作研究被引量：1
- 1994年
- 本文阐述了本所采用湿法腐蚀方法制作硅场发射锥尖的过程和实验结果，并对其结果进行了讨论，同时还给出了测得的Ｆ—Ｎ和Ｖ—Ｉ特性曲线。
- 黄仲平蔡勇张树丹王因生谭卫东王保平
- 关键词：真空微电子学湿法腐蚀锐化
- 纳米硅异质结二极管被引量：9
- 2000年
- 在 p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷 N+ 型纳米硅薄膜 ,形成 nc- Si∶ H/ c- Si构成的 N+ / p异质结构。文中报道了它的独特性能 :其反向击穿电压可达 75V,反向漏电流仅 n A量级 ,反向开关时间为 1.5ns,可望应用于微波波段。由其 I- V及 C- V特性初步分析了结的性质及电输运机制。
- 何宇亮王因生桂德成陈堂胜顾晓春
- 关键词：纳米硅异质结二极管
- S波段100W硅脉冲功率晶体管被引量：2
- 2000年
- 报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。
- 傅义珠李相光张树丹王佃利王因生康小虎姚长军
- 关键词：硅微波功率晶体管S波段
- 关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究被引量：5
- 2011年
- 根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性。测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际工作中注意器件热阻并不为常数的客观事实。提出应力试验前后测量器件热阻可有效控制器件的某些制造缺陷。
- 金毓铨陶有迁王因生韩钧施传贵
- 关键词：半导体器件热特性
- 2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管被引量：1
- 2006年
- 吴鹏林川傅义珠盛国兴戴学梅康小虎王因生
- 关键词：硅脉冲功率晶体管长脉宽超宽带功率增益大功率管S波段
- 硅微波功率器件二次发射极镇流研究被引量：3
- 1997年
- 本文报道了采用多晶硅电阻和扩散电阻组合而成的复合镇流电阻对硅微波功率器件进行二次发射极镇流的实验结果．
- 王因生林金庭张树丹
- 关键词：镇流电阻
