王林申
- 作品数：12 被引量：24H指数：4
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- RF-PECVD法制备微晶硅籽晶层的研究
- 为了便于研究微晶硅材料的性能和结构，以及改善微晶硅在异质衬底上的成核和生长，在RF-PECVD(13.56 MHz)条件下，研究了微晶硅籽晶层的制备方法。研究发现，在没有籽晶层的情况下，制备出的材料将主要是非晶结构，随着...
- 靳果蔡宏琨陶科王林申张德贤
- 关键词：硅太阳能电池非晶结构
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- 微晶硅薄膜太阳能电池的研究进展
- 硅薄膜太阳电池技术是光伏领域最具低成本优势的光伏技术,目前已成为各国光伏计划支持的重点。相比于非晶硅电池,相变区的微晶硅薄膜太阳电池几乎没有光致衰退,且具有良好的长波段光谱响应特性,可以和非晶硅薄膜电池相结合制备成叠层电...
- 王林申张德贤陶科薛颖姜元建赵敬芳
- 关键词：太阳能电池非晶硅微晶硅柔性衬底
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- 柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池界面处理的研究被引量：7
- 2009年
- 通过实验和模拟计算对比分析了i/p界面过渡层对太阳电池性能的影响.结合具体实验工艺参数,模拟计算了不同带隙和缺陷态密度的过渡层对太阳电池的影响,同时结合实验情况重现了宽带隙高缺陷态密度过渡层对太阳电池的损伤,为实验结果提供了理论依据.通过优化调整i/p界面过渡层的制备方法得到了转换效率为7.09%的聚酰亚胺衬底非晶硅薄膜太阳电池.
- 蔡宏琨陶科王林申赵敬芳隋妍萍张德贤
- 关键词：柔性衬底太阳电池AMPS模拟计算
- 基于柔性衬底的P型微晶硅薄膜生长工艺的研究
- 硅基薄膜太阳电池采用聚酰亚胺薄膜为柔性衬底,由于具备低成本、高比功率的显著特点已成为目前太阳电池研究的重点。本论文所制备的柔性衬底倒结构非晶硅薄膜太阳电池是以P型微晶硅材料作为窗口层,所制备的太阳电池既可以拥有非晶硅本征...
- 隋妍萍张德贤席强陶科薛颖蔡宏琨姜元建王林申赵敬芳
- 关键词：柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池
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- PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备
- PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备，本发明涉及新能源中薄膜太阳电池领域。所述的P型微晶硅碳薄膜材料层厚15-30nm，电导0.15S/cm-10S/cm，带隙在2.0eV以上，晶化率为30％-50％。本发明...
- 蔡宏琨张德贤胡居涛陶科赵静芳王林申靳果谢珂
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- 电子束加热蒸发方法与装置及其用途
- 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提...
- 张德贤蔡宏琨隋妍萍陶科薛颖席强姜元建冯凯齐龙茵赵敬芳王林申孙云
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- 电子束加热蒸发方法与装置及其用途
- 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提...
- 张德贤蔡宏琨隋妍萍陶科薛颖席强姜元建冯凯齐龙茵赵敬芳王林申孙云
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- 用恒定光电导法分析薄膜材料及太阳电池性能
- 本文介绍了对本征氢化非晶硅材料进行恒定光电导测量,然后通过计算得到材料的吸收特性曲线,从而分析材料的缺陷态密度等性能。文中针对薄膜制备过程,对沉积压强、衬底温度不同的材料的性能进行了分析,优化得到了制备太阳电池所需的最佳...
- 薛颖张德贤陶科姜元建王林申赵敬芳
- 文献传递
- Si基薄膜太阳电池绒面ZGO透明导电膜的研究被引量：8
- 2010年
- 采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。
- 隋妍萍姜元建蔡宏琨陶科王林申赵静芳张德贤
- 关键词：太阳电池
- 柔性衬底硅薄膜太阳电池中ZGO薄膜的应用被引量：5
- 2009年
- 在室温下,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺,在玻璃衬底上制备出高质量的Ga掺杂ZnO(ZnO:Ga)透明导电膜。研究了薄膜厚度对薄膜的结构、光学及电学特性的影响。制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。优化反应条件,薄膜的电阻率达到4.69×10-4Ω.cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。将不同厚度的ZnO:Ga薄膜(350～820 nm)在柔性聚酰亚胺衬底nip非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池中,随厚度的增加,电池的填充因子和效率都得到了提高,得到聚酰亚胺衬底效率7.09%的a-Si薄膜太阳电池。
- 张德贤姜元建蔡宏昆薛颖陶科王林申赵敬芳隋妍萍
- 关键词：磁控溅射柔性衬底太阳电池
