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王莉莉

作品数:9 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇生长温度
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 3篇MOCVD
  • 3篇MOCVD生...
  • 3篇INGAN
  • 2篇单晶
  • 2篇氮化铟
  • 2篇射线衍射
  • 2篇吸收谱
  • 2篇金属有机物
  • 2篇金属有机物化...
  • 2篇氨气
  • 2篇PL谱
  • 2篇X射线衍射
  • 2篇GAN
  • 2篇INN
  • 1篇电池
  • 1篇电池材料

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇烟台大学

作者

  • 9篇王莉莉
  • 8篇杨辉
  • 5篇梁骏吾
  • 4篇张书明
  • 4篇孙苋
  • 2篇王海
  • 2篇江德生
  • 2篇朱建军
  • 2篇王辉
  • 2篇王辉
  • 1篇刘文宝
  • 1篇孙元平
  • 1篇郑大宇

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇烟台大学学报...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响被引量:2
2007年
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加.
王莉莉王辉孙苋王海朱建军杨辉梁骏吾
关键词:INGANX射线衍射光致发光
生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分,结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提...
王莉莉王辉孙苋王海朱建军杨辉梁骏吾
关键词:INGAN薄膜MOCVDX射线衍射光致发光生长温度
文献传递
GaN基太阳电池材料的MOCVD生长及物性研究
Ⅲ族氮化物半导体InxGa1-xN具有可连续变化的禁带宽度,其能量范围几乎覆盖整个太阳光谱,可应用于研制高效全光谱太阳能电池。高质量InxGa1-xN外延材料的制备是该领域的研究重点。本论文开展了InN、InxGa1-x...
王莉莉
InN的光学性质研究
本文对用MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)技术生长在GaN/Saphire衬底上的InN薄膜进行Hall、吸收谱以及光致发光(PL:Photoluminescenc...
孙苋王辉王莉莉江德生杨辉
关键词:INN薄膜MOCVD生长吸收谱PL谱HALL
文献传递
MOCVD生长的GaN:Mg外延膜的光电性质(英文)
2008年
用MOCVD技术生长GaN:Mg外延膜,在550~950℃温度范围内,对样品进行热退火,并进行室温Hall、光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,850℃退火后空穴浓度达到8×1017cm-3以上,电阻率降到0.8Ω.cm以下.室温PL谱有两个缺陷相关发光峰,位于2.8eV的蓝光峰(BL)以及3.27eV附近的紫外峰(UVL).蓝光峰对紫外峰的相对强度(BL/UVL)在550℃退火后升高,之后随着退火温度的升高(650~850℃)而下降,继续提高退火温度至950℃,BL/UVL急剧上升.空穴浓度先随着Mg掺杂浓度的增加而升高;但继续增加Mg掺杂浓度,空穴浓度反而下降.这些结果表明要实现空穴浓度达1018cm-3,不仅要考虑H的钝化作用,还要考虑Mg受主的自补偿效应.
王莉莉张书明杨辉梁骏吾
关键词:光致发光P型GAN
生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法
本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法,所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量卤化物,其包括如下步骤:选择一衬底;将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内,升温并通入氨气预处理;降温至生长温度,同时通入三甲基铟(TMI...
王莉莉张书明杨辉梁骏吾
文献传递
铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性
2008年
利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性.发现随着温度升高,2个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移.对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显.从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据.
郑大宇孙元平王莉莉张书明杨辉
关键词:光致发光激活能
生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法
本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法,所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量四氯化碳,其包括如下步骤:选择一衬底;将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内,升温并通入氨气预处理;降温至生长温度,同时通入三甲基铟(TM...
王莉莉张书明杨辉梁骏吾
文献传递
InN的光学性质
2007年
对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018~1019cm-3.在10K温度下进行PL测量,并对其线形进行分析,得到InN的带隙在0.7eV左右.综合Hall、吸收谱及PL谱的结果发现,吸收边以及PL谱的峰值能量都随载流子浓度的增加而蓝移.此外,我们还讨论了由吸收谱计算InN带隙的存在的不确定性.
孙苋王辉王莉莉刘文宝江德生杨辉
关键词:INNMOCVD吸收谱PL谱
共1页<1>
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