王莉莉 作品数:9 被引量:2 H指数:1 供职机构: 中国科学院半导体研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 电气工程 更多>>
生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响 被引量:2 2007年 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加. 王莉莉 王辉 孙苋 王海 朱建军 杨辉 梁骏吾关键词:INGAN X射线衍射 光致发光 生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分,结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提... 王莉莉 王辉 孙苋 王海 朱建军 杨辉 梁骏吾关键词:INGAN薄膜 MOCVD X射线衍射 光致发光 生长温度 文献传递 GaN基太阳电池材料的MOCVD生长及物性研究 Ⅲ族氮化物半导体InxGa1-xN具有可连续变化的禁带宽度,其能量范围几乎覆盖整个太阳光谱,可应用于研制高效全光谱太阳能电池。高质量InxGa1-xN外延材料的制备是该领域的研究重点。本论文开展了InN、InxGa1-x... 王莉莉InN的光学性质研究 本文对用MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)技术生长在GaN/Saphire衬底上的InN薄膜进行Hall、吸收谱以及光致发光(PL:Photoluminescenc... 孙苋 王辉 王莉莉 江德生 杨辉关键词:INN薄膜 MOCVD生长 吸收谱 PL谱 HALL 文献传递 MOCVD生长的GaN:Mg外延膜的光电性质(英文) 2008年 用MOCVD技术生长GaN:Mg外延膜,在550~950℃温度范围内,对样品进行热退火,并进行室温Hall、光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,850℃退火后空穴浓度达到8×1017cm-3以上,电阻率降到0.8Ω.cm以下.室温PL谱有两个缺陷相关发光峰,位于2.8eV的蓝光峰(BL)以及3.27eV附近的紫外峰(UVL).蓝光峰对紫外峰的相对强度(BL/UVL)在550℃退火后升高,之后随着退火温度的升高(650~850℃)而下降,继续提高退火温度至950℃,BL/UVL急剧上升.空穴浓度先随着Mg掺杂浓度的增加而升高;但继续增加Mg掺杂浓度,空穴浓度反而下降.这些结果表明要实现空穴浓度达1018cm-3,不仅要考虑H的钝化作用,还要考虑Mg受主的自补偿效应. 王莉莉 张书明 杨辉 梁骏吾关键词:光致发光 P型GAN 生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法,所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量卤化物,其包括如下步骤:选择一衬底;将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内,升温并通入氨气预处理;降温至生长温度,同时通入三甲基铟(TMI... 王莉莉 张书明 杨辉 梁骏吾文献传递 铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性 2008年 利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性.发现随着温度升高,2个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移.对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显.从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据. 郑大宇 孙元平 王莉莉 张书明 杨辉关键词:光致发光 激活能 生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法,所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量四氯化碳,其包括如下步骤:选择一衬底;将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内,升温并通入氨气预处理;降温至生长温度,同时通入三甲基铟(TM... 王莉莉 张书明 杨辉 梁骏吾文献传递 InN的光学性质 2007年 对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018~1019cm-3.在10K温度下进行PL测量,并对其线形进行分析,得到InN的带隙在0.7eV左右.综合Hall、吸收谱及PL谱的结果发现,吸收边以及PL谱的峰值能量都随载流子浓度的增加而蓝移.此外,我们还讨论了由吸收谱计算InN带隙的存在的不确定性. 孙苋 王辉 王莉莉 刘文宝 江德生 杨辉关键词:INN MOCVD 吸收谱 PL谱