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符晖

作品数：5 被引量：6H指数：1
供职机构：华中理工大学固体电子学系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇非晶硅
  • 3篇液晶
  • 3篇液晶显示
  • 3篇液晶显示器
  • 3篇显示器
  • 3篇晶体管
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 3篇TFT
  • 2篇有源矩阵
  • 2篇自对准
  • 2篇象素
  • 2篇TFT有源矩...
  • 2篇A-SI
  • 1篇英文
  • 1篇优化设计
  • 1篇自对准工艺
  • 1篇自对准结构
  • 1篇矩阵
  • 1篇计算机

机构

  • 5篇华中理工大学

作者

  • 5篇邹雪城
  • 5篇符晖
  • 5篇徐重阳
  • 5篇张少强
  • 4篇周雪梅
  • 4篇赵伯芳
  • 4篇王长安

传媒

  • 2篇光电子技术
  • 2篇液晶通讯
  • 1篇微电子学

年份

  • 5篇1995
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
a-Si:H TFT自对准工艺的研究
1995年
实验研究了自对准结构的a－Si：HTFT的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的a－Si：HTFT。对影响自对准结构a－Si：HTFT特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的a-Si：HTFT，可以有效地改善a－Si：HTFT的开态特性，其通断电流比比ION／IOFF＞105。
张少强徐重阳赵伯芳邹雪城符晖袁奇燕周雪梅王长安
关键词：非晶硅薄膜晶体管液晶显示器
10万象素a-Si TFT有源矩阵的优化技术被引量：1
1995年
本文研究了3英寸372×276象素a—Si TFT有源矩阵的优化设计理论,讨论了材料物理参数和器件结构参数对器件性能的影响,并对其制作工艺进行了系统研究。
徐重阳符晖邹雪城张少强
关键词：非晶硅象素TFT有源矩阵
非晶硅薄膜晶体管矩阵的计算机辅助测试(英文)被引量：1
1995年
本文提出了一种通过外接电容的耦和电压推算出晶体管特性的矩阵器件测试方法。利用本系统可以对晶体管进行逐个扫描,并推算出缺陷的类型和分布、矩阵板的均匀性及器件特性。同时文中引入了统计分析以确定标准值的范围。
符晖徐重阳邹雪城张少强袁奇燕赵伯芳周雪梅王长安
关键词：非晶硅薄膜晶体管计算机辅助测试
自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究被引量：1
1995年
本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流比Ｉ＿（ＯＮ）／Ｉ＿（ＯＦＦ）＞１０￣５。
张少强徐重阳邹雪城周雪梅赵伯芳袁奇燕符晖王长安
关键词：非晶硅薄膜晶体管液晶显示器
7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究被引量：3
1995年
研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。
徐重阳符晖邹雪城张少强袁奇燕周雪梅赵伯芳王长安
关键词：液晶显示器有源矩阵优化设计
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共1页<1>
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