罗永胜
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：内蒙古大学半导体能源实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 多晶硅太阳电池激光损伤杂质吸除
- 1990年
- 在多晶硅片背面进行激光辐射损伤,随后进行退火处理,使体内杂质在背表面富集,用化学腐蚀方法将背表面损伤层腐蚀后,进行电池制作,可改善电池特性。 研究了退火时间和退火温度对电池性能的影响,实验得到最佳的退火温度为1000℃,退火时间为1小时。在最佳条件下进行退火处理的电池可使转换效率增加18％。 中子活化分析表明,经处理的多晶硅片中杂质含量明显下降。 用曲线拟合法,由太阳电池光谱响应计算了电池少数载流子扩散长度。经最佳退火条件处理的电池,其少数载流子扩散长度由5.5μm增加至20.1μm。
- 季秉厚罗永胜李蓉萍
- 关键词：电池太阳能多晶硅
- CuInSe_2薄膜特性研究被引量：4
- 1991年
- 利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学性质、组份、结构与工艺条件的关系进行了讨论。
- 季秉厚罗永胜李蓉萍
- 关键词：半导体材料CUINSE2
