薛晶晶
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省教育厅科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信建筑科学交通运输工程化学工程更多>>
- 快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷被引量：3
- 2010年
- 利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环。延长退火时间,缺陷密度增加。当过饱和态的间隙氧基本沉淀之后,诱生缺陷密度不再变化。较高剂量辐照样品中的缺陷尺寸较大,但密度相对较低。经高温退火的快中子辐照直拉硅中生成了直径约为40nm的氧沉淀,其形貌为多面体氧沉淀。
- 马巧云陈贵锋马晓薇薛晶晶郝秋艳
- 关键词：快中子辐照直拉硅氧沉淀
- 快速热处理对电子辐照直拉硅氧沉淀的影响
- 研究了快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）以及热处理气氛对电子辐照直拉硅（CZ-Si）中氧沉淀和清洁区（DZ，Denuded Zone）的影响。采用辐照能量为1.5 MeV、辐照剂量为1...
- 马晓薇陈贵锋郝秋艳白云娜薛晶晶李养贤
- 关键词：直拉硅电子辐照氧沉淀单晶硅
- 文献传递
- 低温热处理对电子辐照直拉硅中V-O缺陷的影响被引量：1
- 2011年
- 采用能量为1.5 MeV、辐照温度为100℃、辐照剂量为1.8×1018 e/cm2电子辐照直拉单晶硅;然后对电子辐照样品进行不同温度和时间的低温(200～600℃)热处理。通过辐照样品的Fourier变换红外光谱研究了热处理后样品中的空位–氧相关缺陷的转化情况。结果表明:未经热处理的电子辐照的硅样品中出现了空位–双氧复合体(VO2)缺陷的889 cm–1吸收峰,这是由于辐照温度较高所致。经低温热处理后,在氧含量较低的辐照样品中的VO和VO2缺陷会相互转化,而氧含量较高的样品中VO、VO2吸收峰强度几乎不变。VO2和空位–三氧复合体(VO3)缺陷在450℃热处理30 min后呈现出一定的稳定性。
- 蔡莉莉陈贵锋张辉郝秋艳薛晶晶
- 关键词：单晶硅电子辐照辐照缺陷
- 垂直式HVPE系统中衬底距出气口高度的数值模拟
- 采用有限元分析法对自行研制的垂直式HVPE系统中衬底距离出气口的高度进行了三维数值模拟研究。分析比较了在不同的衬底距离出气口高度的情况下，衬底上方反应物的浓度分布以及流场的变化。结果表明，随着衬底距出气口高度的增加，流场...
- 翟静会万尾甜陈贵锋薛晶晶张辉郝秋艳刘彩池
- 关键词：数值模拟
- 电子辐照直拉硅单晶中空位相关缺陷的红外吸收光谱研究
- 电子辐照会在晶体硅中引入点缺陷空位和间隙原子，它们与硅中氧原子或者缺陷之间相互作用形成VO、VO
- 薛晶晶
- 关键词：直拉硅电子辐照红外吸收
- 文献传递
- 快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响被引量：1
- 2011年
- 研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐照NCZ-Si,RTP有助于后期退火中DZ的生成,且RTP温度越高,形成的DZ越宽;而高的降温速率会使得DZ宽度变窄;对于电子辐照CZ-Si,在N2气氛下高温RTP更能促进氧沉淀形成,体缺陷(bulk micro defects,BMDS)密度较大.
- 陈贵锋马晓薇吴建海马巧云薛晶晶郝秋艳
- 关键词：中子辐照电子辐照直拉硅氧沉淀
