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许正荣

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 1篇单刀双掷
  • 1篇单刀双掷开关
  • 1篇单片
  • 1篇单片电路
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇移动通信
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频集成
  • 1篇射频集成电路
  • 1篇砷化镓
  • 1篇通信
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率容量
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇许正荣
  • 2篇陈新宇
  • 1篇杨乃彬
  • 1篇蒋幼泉
  • 1篇邵凯
  • 1篇李拂晓
  • 1篇吴振海
  • 1篇钱峰
  • 1篇徐光
  • 1篇陈辰

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
移动通信砷化镓射频集成电路开发及产业化
李拂晓蒋幼泉杨乃彬陈新宇陈辰邵凯钱峰钮利荣许正荣吴振海徐中仓冯欧杨立杰
以中国电子科技集团公司第五十五研究所所现有砷化镓3英寸、0.5微米集成电路工艺线为依托，自主开发移动通信基站和手机用砷化镓射频集成电路，主要研究内容包括砷化镓标准工艺技术、工艺控制技术、批生产技术、射频产品的塑封技术、电...
关键词：
关键词：砷化镓射频集成电路移动通信
射频功率单刀双掷开关电路
本发明是一种基于砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的射频功率单刀双掷开关(SPDT)电路。开关单片电路采用三栅PHEMT，串并拓扑，对称结构设计。信号经过2个三栅PHEMT串联到输出端，输出端同时经过...
许正荣陈新宇徐光
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