谢加强
- 作品数：14 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种快速软恢复功率开关二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种快速软恢复功率开关二极管，从上到下依次设置有P<Sup>+</Sup>阳极区、超结部分、N<Sup>-</Sup>层和N<Sup>+</Sup>P<Sup>+</Sup>N<Sup>+</Sup>阴极区；...
- 高勇谢加强马丽王秀慜
- 文献传递
- 非对称阳极结构的半超结功率二极管
- 2018年
- 通过将功率二极管改变为非对称阳极结构及优化超结深宽比等参数来提升器件的性能。分析了其动态特性和静态特性变化规律。结果表明深宽比由1.3增大到6.6时,反向恢复峰值电流减小10%左右;在适当调整阳极区掺杂浓度后,其反向恢复时间缩短30%,反向恢复峰值电流减小20%。在同等工艺参数下,击穿电压提升约60%。此外,动态特性和击穿电压的提升对二极管的正向导通特性几乎没有影响。
- 谢加强马丽高勇王逍遥
- 关键词：二极管
- 一种快速软恢复功率开关二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种快速软恢复功率开关二极管，从上到下依次设置有P<Sup>+</Sup>阳极区、超结部分、N<Sup>-</Sup>层和N<Sup>+</Sup>P<Sup>+</Sup>N<Sup>+</Sup>阴极区；...
- 马丽谢加强高勇王秀慜
- 文献传递
- 温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)被引量：1
- 2014年
- 在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电流JR的影响规律基本相似,即随着温度的升高,正向压降降低,击穿电压增加,反向漏电流迅速提高。然而在相同的温度下,与Si功率开关二极管相比,SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的正向压降降低了近0.1V(在正向电流密度10A/cm2的情况下),反向恢复时间缩短了一半以上,反向峰值电流密度也下降了约三分之一,软度因子S提高了2倍多。SiGe二极管的另外一个重要优点是其反向恢复特性受温度影响很小。当温度从300K增加到400K时,Si功率二极管的反向恢复时间增加了近1倍,而SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的反向恢复时间基本保持不变。SiGe/Si功率开关二极管的一个缺点是在高温下产生较大的漏电流,但这可以通过适当降低Ge含量来改善。Ge的引入为器件设计提供了更大的自由度,其含量对器件特性有重要影响。为了获得低的正向压降和短的反向恢复时间,应该提高Ge的含量,但Ge含量增加将导致大的漏电流,因此Ge含量的大小应该优化折衷考虑。
- 马丽谢加强陈琳楠高勇
- 关键词：温度特性
- 一种快速软恢复功率开关二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种快速软恢复功率开关二极管，从下到上依次设置有阴极N<Sup>+</Sup>区、耐压层和阳极P<Sup>+</Sup>区，耐压层由复合结构成，复合结有L型N<Sup>-</Sup>柱和L型P<Sup>-</...
- 高勇谢加强马丽王秀慜
- 文献传递
- 可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
- 本发明公开一种可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括衬底，器件的两端设置有形状相同，但参数可变的结构，本发明还公开一种可双端控制的沟槽型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，本发明中提出的结构有效解决了常规沟槽型IGBT反向...
- 杨媛王秀慜冯松谢加强马丽高勇
- RC-IGBT和续流二极管新结构及特性研究
- 逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor,RC-IGBT）实现了绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar ...
- 谢加强
- 关键词：续流二极管
- 文献传递
- 一种功率二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种功率二极管，包括从下到上依次设置的阴极N<Sup>+</Sup>区、耐压层和阳极P<Sup>+</Sup>区，阴极N<Sup>+</Sup>区包括横向设置的两个N<Sup>+</Sup>区，N<Sup>+...
- 马丽陈琳楠谢加强李伟
- 文献传递
- 氧化槽隔离型RC-IGBT的设计与仿真被引量：1
- 2017年
- 提出了一种新型的RC-IGBT器件,相比于常规RC-IGBT,新型的RC-IGBT在集电极侧引入了一个类似于栅极的多晶硅沟槽结构,不同之处是沟槽底部结构没有氧化层将多晶硅与硅体区相隔离,于是可将此重掺杂的多晶硅区作为新型的RC-IGBT的集电极的N+短路区,故称为TO-RC-IGBT(Trench oxide reverse conducting IGBT)。由于集电极P+阳极层与N+短路区之间的氧化层隔离,TO-RC-IGBT并未出现常规RC-IGBT导通时的回跳现象。为了避免产生回跳现象,常规RC-IGBT的元胞宽度通常达数百微米,而TO-RC-IGBT元胞宽度只有20μm,因而TO-RC-IGBT不会出现常规RC-IGBT的反向电流分布不均匀的问题。
- 马丽李伟李佳豪谢加强康源王馨梅
- 一种沟槽栅RC‑IGBT及其制备方法
- 本发明公开了一种沟槽栅RC‑IGBT，包括从上到下依次设置的N<Sup>+</Sup>发射极、P<Sup>+</Sup>发射极、P‑base区、N<Sup>‑</Sup>层，P‑base区上表面还设置有P<Sup>+</...
- 马丽李佳豪谢加强康源
- 文献传递
