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邓宁

作品数：54 被引量：6H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 8篇自动化与计算...
  • 6篇电子电信
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 12篇存储器
  • 10篇动脉
  • 10篇血压
  • 10篇脉搏波
  • 9篇刻蚀
  • 8篇动脉血
  • 8篇动脉血压
  • 8篇编程
  • 7篇心动周期
  • 7篇信号
  • 6篇量子
  • 6篇量子点
  • 5篇多晶
  • 5篇信号处理
  • 5篇信号处理模块
  • 4篇电子束曝光
  • 4篇淀积
  • 4篇多层膜
  • 4篇血流
  • 4篇血流速度

机构

  • 54篇清华大学
  • 7篇北京兆易创新...

作者

  • 54篇邓宁
  • 20篇陈培毅
  • 10篇李毅彬
  • 9篇张磊
  • 9篇董浩
  • 9篇任敏
  • 8篇何虎
  • 7篇魏榕山
  • 7篇吴华强
  • 6篇钱鹤
  • 6篇潘立阳
  • 6篇张洋
  • 6篇马海林
  • 6篇李洪阳
  • 6篇李申龙
  • 4篇张树超
  • 4篇杨奕南
  • 4篇许志恒
  • 4篇焦斌
  • 3篇刘志弘

传媒

  • 1篇北京教育（高...
  • 1篇科技纵览
  • 1篇中国科协20...
  • 1篇2010(第...
  • 1篇核科技、核应...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 8篇2017
  • 8篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 6篇2005
共 54 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种复合自由层STT-RAM存储单元
本发明公开了数据存储技术领域中的一种复合自由层STT-RAM存储单元。该单元包括上电极、盖帽层、复合自由层、绝缘氧化层、固定层、铂锰种子层、缓冲层、下电极；其中，复合自由层采用复合材料CoFeSiO，绝缘氧化层为Mgo，...
邓宁张树超焦斌陈培毅
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电流驱动对称磁多层结构微波振荡器
电流驱动对称磁多层结构微波振荡器，属于微波技术领域，其特征在于：由两个铁磁膜组成，具有相同厚度，在2-6纳米间，中间被一薄的非磁层隔开，厚度1-3纳米(对非磁金属层)或0.5-1.5纳米(对绝缘层)。纳米磁多层柱的上、下...
陈培毅董浩邓宁任敏
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一种基于进化算法的自适应学习神经网络实现方法
本发明属于神经网络计算技术领域，为一种基于进化算法的自适应学习神经网络实现方法，以某种或者某几种已知的神经网络作为进化算法的最初父代，通过进化算法整合作为所述最初父代的各个神经网络的特点，从而得到最优的输出值，本发明通过...
何虎许志恒马海林王玉哲杨奕南邓宁
血压实时测量装置及测量方法
本发明涉及一种血压实时测量装置，包括：第一脉搏波感应模块，用于获取每个心动周期主动脉的第一脉搏波信号，所述第一脉搏波信号为压力脉搏波；第二脉搏波感应模块，用于获取每个心动周期的邻近主动脉的毛细动脉的第二脉搏波信号，所述第...
邓宁李毅彬
文献传递
一种以现场可编程门阵列的逻辑片为基本单元模拟生物神经元网络的方法
一种以现场可编程门阵列的逻辑片为基本单元模拟生物神经元网络的方法，将现场可编程器件中的逻辑片(slice)与神经元细胞结构的相应部分形成映射，即确定各个控制信号添加方式；采用图形处理器(GPU)仿真FPGA行为进行在线学...
何虎许志恒马海林杨奕南邓宁
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一种自旋电流驱动的新型微波振荡器
一种自旋极化电流驱动的微波振荡器件结构和制备方法，属于自旋输运器件技术领域。其特征在于，采用氧化硅衬底，通过超高真空磁控溅射制备的一种“固定层(铁磁)/隔离层(非磁)/自由层(铁磁)”的多层膜结构，再通过电子束曝光、Ar...
陈培毅任敏邓宁董浩张磊
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用于“超级人工大脑”的忆阻器
2017年
忆阻器（Memristor）由于其读写速度快、集成密度高、成本低和可扩展性好．被认为是最有希望的下一代新兴存储器技术之一，其核心是利用电介质中缺陷的产生、迁移和恢复来存储数据。在外加电场的作用下，忆阻器的阻值会发生连续且可逆的变化．以此来存储相应的数据。
吴华强张清天高滨邓宁钱鹤
关键词：大脑读写速度可扩展性存储数据外加电场存储器
DUSG 3D NAND闪存存储器及其形成方法
本发明公开了一种DUSG 3D NAND闪存存储器及其形成方法，该方法包括：提供衬底；形成底层隔离层和底层选择管栅极层；交替形成多组存储管隔离层和存储管栅极层；形成顶层隔离层；形成多个顶层选择管下栅极条和多个顶层选择管下...
邓宁吴华强丰伟钱鹤
基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管
本发明公开了属于新型半导体器件和纳米电子器件领域的一种基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管。采用应变SiGe层做空穴量子阱，用Si做空穴势垒，形成空穴的双势垒单量子阱结构。用高掺杂P型Si作衬底，在此树底上采用化学气...
陈培毅熊晨荣邓宁王燕王民生
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同位素纯硅半导体器件研制及性能测试
采用气体离心机方法分离得到丰度为99.5％的SiHCl3气体.利用SiHCl3作为反应气体,采用超高真空CVD方法在普通硅片上得到硅-28外延膜.在标准生产工艺线上制造得到硅-28二极管.利用半导体参数测试仪测量二极管的...
张小章邓宁周明胜
关键词：稳定同位素半导体器件反向击穿电压
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