陆敏
- 作品数：17 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学环境科学与工程更多>>
- 自支撑GaN基核辐射探测器的Ⅰ-V特性研究
- 2011年
- 使用自支撑GaN基材料制备了Schottky结构核辐射探测器,研究了探测器不同偏压扫描下的I-V特性。偏压从零偏向正偏扫描和从正偏向零偏扫描的I-V特性曲线并不重合;偏压从零偏向反偏扫描和从反偏向零偏扫描的曲线不重合性并没有正偏明显。测试并分析了PL谱图,得出I-V特性曲线不重合的原因是:从零偏到正偏的导电机制是热生载流子,正偏到零偏的导电机制是大注入的非平衡载流子。
- 王果付凯姚昌胜王金延陆敏
- GaN基光导型X射线探测器的光淬灭研究
- 2011年
- 利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形下的光电流响应实验对这一光淬灭以及电流值突变现象进行了分析和研究,光淬灭主要是由于空穴陷阱和复合中心作用产生,而在荧光灯关闭和开启的瞬间,电流值的突变是由于荧光中某种波长的紫外光激发价带中的电子跃迁至导带中所致。
- 姚昌胜付凯王果陆敏
- 关键词：GANX射线探测器
- 一种PIN型核电池及其制备方法
- 本发明公开了一种PIN型核电池及其制备方法，通过两次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-绝缘层-p型GaN掺杂层结构的PIN器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生成对应的接触...
- 陆敏
- 文献传递
- GaN肖特基核辐射探测器对X射线的响应时间特性研究被引量：2
- 2010年
- 通过制作大面积GaN肖特基X射线探测器,研究了GaN肖特基探测器对X射线的时间响应特性。实验采用Fe掺杂的高阻自支撑GaN片来制备器件,对不同偏压下的时间响应进行了测试。针对所测得的实验结果,对其内部机理进行了分析,提出了1个GaN肖特基探测器对X射线照射下的时间响应的理论模型,得到非常好的拟合结果。实验发现,由于高阻层的存在,GaN肖特基探测器具有很高的信噪比,即使在可能的光淬灭效应的影响下,探测器在200V反向偏压下的信噪比仍可达到80左右。
- 付凯于国浩陆敏
- 关键词：GANX射线
- GaN基PIN结构X射线探测器被引量：4
- 2011年
- 使用GaN基材料制备了PIN结构核辐射探测器,研究了探测器对X射线响应的多方面性能。在没有X射线照射时,探测器具有很小的漏电流,在-10 V时小于0.1 nA。对探测器的X射线的响应时间特性进行了分析和模拟,给出了很好的物理机制解释。研究了信噪比随外加偏压的变化,并得到了最佳信噪比对应的工作电压为-20 V。
- 付凯于国浩陆敏
- 关键词：GANX射线探测器信噪比
- 一种PN型核电池及其制备方法
- 本发明公开了一种PN型核电池及其制备方法，通过两次MOCVD外延和一次HVPE外延的复合外延技术生长获得衬底-n型GaN掺杂层-p型GaN掺杂层结构的PN器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生成对应的接触电极，制备形...
- 陆敏
- 文献传递
- GaN核辐射探测器的性能研究被引量：3
- 2013年
- GaN作为第3代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强等特点。制备了GaN半导体探测器,并应用该探测器对241 Amα粒子能谱进行测量,得到α粒子能谱的能量分辨率约30%。同时,以Si半导体探测器为标准,对GaN探测器进行了能量及探测效率的测量,得到探测器的探测效率最高可达80.1%。最后,应用Keithley 2635静电计对GaN探测器的I-V曲线等进行测试,发现在-15V偏压下,GaN探测器的本底电流密度小于70nA/cm2。
- 苏丹张国光陆敏姚昌胜赵潇丰树强
- 关键词：能谱Α粒子
- 一种光电催化电解水的方法和装置及其应用
- 本发明揭示了一种光电催化电解水的方法和装置及其应用，通过将原水注入分隔设有光电阳极室和光电阴极室的电解水反应器，并至少在光能量辐照下分解原水为弱碱性水和酸性水；其中光电阳极室内设有光电阳极电极，阳极材料选用的催化剂，其光...
- 陆敏
- GaN核辐射探测器材料与器件研究进展被引量：6
- 2010年
- 文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时,根据目前的研究现状,提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的主要技术问题及其解决方向。
- 陆敏于国浩张国光
- 关键词：GAN核探测器金属有机化学气相淀积氢化物气相外延
- 一种高阻GaN室温核探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种高阻GaN室温核探测器及其制备方法，该室温核探测器包括高阻GaN活性结构和两个接触电极，其中该高阻GaN活性结构为外延在基衬底上或自支撑的厚膜单层或多层结构，其总厚度为200μm～2000μm，该高阻Ga...
- 陆敏
- 文献传递
