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韩伟强

作品数：48 被引量：55H指数：4
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 15篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 8篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 6篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 15篇电池
  • 14篇离子
  • 11篇纳米
  • 11篇纳米硅
  • 9篇离子电池
  • 9篇硅薄膜
  • 8篇光阀
  • 7篇液晶光阀
  • 7篇纳米硅薄膜
  • 6篇复合材料
  • 6篇复合材
  • 5篇正极
  • 5篇锂离子
  • 5篇锂离子电池
  • 5篇金属
  • 5篇负极
  • 5篇半导体
  • 4篇正极材料
  • 4篇钠离子
  • 4篇钠离子电池

机构

  • 42篇浙江大学
  • 7篇清华大学
  • 2篇山东建材学院
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 48篇韩伟强
  • 17篇韩高荣
  • 14篇丁子上
  • 7篇田华军
  • 6篇张顺龙
  • 4篇顾秉林
  • 4篇聂东林
  • 4篇杜丕一
  • 3篇李群庆
  • 3篇范守善
  • 2篇李卓斌
  • 1篇魏赛珍
  • 1篇杨丽颖
  • 1篇俞大鹏
  • 1篇何伟
  • 1篇张建华
  • 1篇毛祖遂
  • 1篇黄鹏飞

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 2篇材料导报
  • 2篇材料研究学报
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇青岛化工学院...
  • 1篇首届中国功能...
  • 1篇’94秋季中...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 7篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2000
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 7篇1996
  • 7篇1995
  • 4篇1994
  • 2篇1992
共 48 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种超薄电解质薄膜及全固态电池的制备方法
本发明公开了一种超薄电解质薄膜及全固态电池的制备方法，该方法是将锂镧锆氧电解质材料和锂盐、粘结剂、分散剂、溶剂通过高能球磨的方法制备成纳米浆料，在将纳米浆料制备成稳定、致密的超薄电解质薄膜层。此外选择匹配的正负极材料，装...
韩伟强严旭丰李卓斌
文献传递
一种亚稳态锡基合金材料及其制备方法
本发明公开了一种亚稳态锡基合金材料及其制备方法。该材料主要由Sn、Ni两种金属元素组成，还可能含有Fe、Co等元素，形成亚稳态的主相为MSn<Sub>5</Sub>(M＝Ni，Fe<Sub>0.5</Sub>Ni<Sub...
韩伟强应杭君
文献传递
一种锂离子电池用聚合物-无机纳米复合粘结剂
本发明公开了一种锂离子电池用聚合物‑无机纳米复合粘结剂，该粘结剂是由聚合物和层状无机纳米材料复合而成，所述的聚合物的单体为丙烯酸/酸盐、丙烯酰胺、6‑丙烯酰氨基己酸/酸盐、N‑甲基丙烯酰基甘氨酸/酸盐和2‑丙烯酰胺‑2甲...
韩伟强郭容男
文献传递
纳米硅薄膜界面中的环形结构被引量：3
1996年
纳米固体材料由于具有高浓度界面的结构特性以及相伴随着的新颖物性,1984年以后在材料各个领域得以迅速发展。近年来,随着纳米材料在许多领域的兴起,纳米硅薄膜也受到人们越来越多的关注。纳米硅薄膜是由大量的纳米尺寸晶粒及晶粒间界面构成。由于晶粒具有无规则分布的特征,使得界面具有不同的结构和键合特征。界面对纳米硅薄膜的结构和物性具有极其重要的影响。
韩伟强魏赛珍韩高荣毛祖遂张建华丁子上
关键词：电子显微镜半导体纳米硅薄膜
一种分级结构微米球及其制备方法和用途
本发明公开了一种分级结构微米球及其制备方法和用途。所述微米球材料由三种组分构成，分别为锡氧化物纳米颗粒、二氧化钛纳米颗粒和碳微米球基底，锡氧化物和二氧化钛纳米颗粒均匀地分散在碳基底中。本发明采用湿化学法制备氧化物颗粒，继...
韩伟强应杭君
一种亚稳态锡基合金材料及其制备方法
本发明公开了一种亚稳态锡基合金材料及其制备方法。该材料主要由Sn、Ni两种金属元素组成，还可能含有Fe、Co等元素，形成亚稳态的主相为MSn<Sub>5</Sub>(M＝Ni，Fe<Sub>0.5</Sub>Ni<Sub...
韩伟强应杭君
文献传递
纳米硅系薄膜研究
韩伟强
关键词：纳米硅
液晶光阀阻光层研究
1995年
本文研究了阻光层在液晶光阀中的作用，报导了我们首先提出的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ作为液晶光阀阻光层。ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构和光电性质。ａ－Ｓｉ：Ｈ和随之沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结的液晶光阀可改进器件的许多性能。
韩伟强韩高荣丁子上
关键词：纳米硅非晶硅液晶光阀空间光调制器
碳化硅纳米晶须生长和显微结构被引量：16
1998年
采用两步生长法生成碳化硅纳米晶须首先是二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，再与碳纳米管先驱体反应生成β－SiC纳米晶须其直径为3～35nm，长度为2～20μm．用高分辨透射电镜研究晶须的形貌、显微结构，讨论了碳化硅纳米晶须生长机制．
韩伟强范守善李群庆顾秉林
关键词：碳化硅纳米晶须晶须显微结构
一种MXene/金属化合物复合材料的制备方法及其应用
本发明公开了一种MXene/金属化合物复合材料的制备方法及其应用，其中金属化合物原位地生长在MXene的基体中。所述制备方法包括：1)将前驱体MAX相材料、路易斯酸熔融盐和无机盐混合，高温反应一步制备得到MXene/金属...
韩伟强黄鹏飞
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