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魏东

作品数:3 被引量:4H指数:1
供职机构:长春理工大学更多>>
发文基金:中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇腔面
  • 2篇面发射
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇反射镜
  • 2篇布拉格反射镜
  • 2篇垂直腔
  • 2篇垂直腔面
  • 2篇垂直腔面发射
  • 1篇氧化速率
  • 1篇氧化物限制
  • 1篇量子
  • 1篇面发射半导体...
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇晶格
  • 1篇红外
  • 1篇红外窗口
  • 1篇红外窗口材料
  • 1篇发射激光器
  • 1篇分布布拉格反...

机构

  • 3篇长春理工大学

作者

  • 3篇魏东
  • 1篇冯源
  • 1篇郝永芹
  • 1篇张和保
  • 1篇刘景和
  • 1篇李建立
  • 1篇谢浩锐
  • 1篇姜晓光
  • 1篇张亮
  • 1篇钟景昌
  • 1篇赵英杰

传媒

  • 2篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
ZnSe晶体加工工艺研究被引量:4
2003年
制备了ZnSe晶体 ,对其生长和加工工艺进行了研究 ,提出了一些合理的解决办法。测试结果表明 。
张亮李建立魏东刘景和
关键词:红外窗口材料
选择氧化工艺在垂直腔面发射激光器中的应用
2005年
讨论和研究了氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面对A l0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。综合考虑各因素,得到最佳氧化条件:氧化温度为420℃,氧化载气的气体流量1.6L/m in,此时的氧化速率为0.58μm/m in。
谢浩锐钟景昌赵英杰郝永芹姜晓光冯源张和保魏东
关键词:垂直腔面发射激光器布拉格反射镜氧化物限制氧化速率
850nm垂直腔面发射激光器的设计、工艺及特性分析
垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers,简称VCSEL)是一种新型的半导体激光器,和普通激光器相比,它的阈值电流低、效率高、功耗低、发散角小、容易和光纤耦合以及...
魏东
关键词:超晶格量子阱
文献传递
共1页<1>
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